Товары из категории транзисторы с каналом типа p - страница 108

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
314.98 
Доступность: 1103 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZXMP10A18GTA, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -3А; 2Вт; SOT223" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "ZXMP10A18KTC, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -3,8А; Idm: -21,1А; 4,3Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
123.85 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "ZXMP2120G4TA, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -200В; -0,2А; 2Вт; SOT223" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
65.75 
Доступность: 2603 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZXMP3A13FTA, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -1,3А; 0,625Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
204.13 
Доступность: 1191 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZXMP3A16GTA, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -5,9А; 2Вт; SOT223" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT26 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
143.73 
Доступность: 54 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZXMP3A17E6TA, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -3,2А; Idm: -14,4А; 1,1Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
165.90 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "ZXMP4A16GQTA, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -5,6А; 2Вт; SOT223" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
160.55 
Доступность: 148 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZXMP4A16GTA, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -5,1А; 2Вт; SOT223" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,9нC КорпусSOT23 МонтажSMD
44.34 
Доступность: 1768 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZXMP6A13FQTA, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,9А; Idm: -4А; 0,806Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,9нC КорпусSOT23 МонтажSMD
71.87 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "ZXMP6A13FTA, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,9А; Idm: -4А; 0,806Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
95.57 
Доступность: 106 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZXMP6A13GTA, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -1,9А; Idm: -7,8А; 2Вт; SOT223" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусDPAK МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
165.90 
Доступность: 1245 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZXMP6A16KTC, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -6,75А; 4,24Вт; DPAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента МонтажSMD Обозначение производителяZXMP6A17E6QTA Полярностьполевой
112.39 
Доступность: 2994 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZXMP6A17E6QTA, Транзистор: P-MOSFET; полевой" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT26 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
92.51 
Доступность: 849 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZXMP6A17E6TA, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -2,4А; 1,1Вт; SOT26" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
113.91 
Доступность: 150 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZXMP6A17GQTA, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -3,5А; 2Вт; SOT223" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
116.97 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "ZXMP6A17GTA, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -3А; Idm: -13,7А; 2Вт; SOT223" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусDPAK МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
146.02 
Доступность: 1198 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZXMP6A18KTC, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -10,4А; 4,3Вт; DPAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
164.37 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "ZXMP7A17GQTA, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -70В; -1,6А; 2Вт; SOT223" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
160.55 
Доступность: 127 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZXMP7A17GTA, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -70В; -2,6А; Idm: -9,6А; 2Вт; SOT223" 1.

Транзисторы с каналом типа P — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления и коммутации электрических сигналов в цепях постоянного тока. Используются как электронные ключи в схемах с общим плюсом, где требуется управление верхнего плеча (high-side switching), например, в источниках питания, драйверах, логических схемах и системах резервного питания.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом типа P от проверенных производителей: KEFA, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Infineon, Nexperia, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж