Товары из категории транзисторы с каналом типа p - страница 12

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусPICOSTAR3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
84.86 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD25483F4T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,6А; Idm: -6,5А; 500мВт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусPICOSTAR3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
108.56 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD25484F4T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,5А; Idm: -22А; 500мВт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусPICOSTAR3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
190.37 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD25485F5T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -5,3А; Idm: -31А; 1,4Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусPICOSTAR3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
207.19 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD25501F3T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,6А; Idm: -13,6А; 500мВт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19нC КорпусQFN2X2 МонтажSMD
48.17 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI005P04PW-AQ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -5,4А; Idm: -40А; 2Вт; QFN2X2" 3.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19нC КорпусQFN2X2 МонтажSMD
133.03 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI005P04PW, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -5,4А; Idm: -40А; 2Вт; QFN2X2" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC КорпусQFN2X2 МонтажSMD
96.33 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI006P02PW, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -6А; Idm: -36А; 2Вт; QFN2X2" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора34нC КорпусQFN3X3 МонтажSMD
64.22 
Доступность: 4056 шт.
 

Минимальное количество для товара "DI020P06PT-AQ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -20А; Idm: -70А; 29,7Вт; QFN3X3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора34нC КорпусQFN3X3 МонтажSMD
116.97 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI020P06PT, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -20А; Idm: -70А; 29,7Вт; QFN3X3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора35нC КорпусDPAK МонтажSMD
120.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI022P06D1-AQ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -16,1А; Idm: 60А; 43Вт; DPAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора35нC КорпусDPAK МонтажSMD
133.03 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI022P06D1-Q, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -16,1А; Idm: 60А; 43Вт; DPAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC КорпусQFN3X3 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI028P03PT, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -28А; Idm: -80А; 40Вт; QFN3X3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора58нC КорпусQFN3X3 МонтажSMD
142.20 
Доступность: 260 шт.
 

Минимальное количество для товара "DI035P02PT, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -35А; Idm: -80А; 52Вт; QFN3X3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC КорпусQFN3X3 МонтажSMD
143.73 
Доступность: 4960 шт.
 

Минимальное количество для товара "DI035P04PT-AQ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -35А; Idm: -120А; 40Вт; QFN3X3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC КорпусQFN3X3 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI035P04PT, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -35А; Idm: -120А; 40Вт; QFN3X3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора59нC КорпусDPAK, TO252AA МонтажSMD
256.88 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI040P04D1-AQ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -40А; Idm: -160А; 52Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора59нC КорпусDPAK, TO252AA МонтажSMD
144.50 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI040P04D1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -40А; Idm: -160А; 52Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора59нC КорпусQFN3X3 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI040P04PT-AQ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -27А; Idm: -160А; 22,7Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора59нC КорпусQFN3X3 МонтажSMD
181.96 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI040P04PT, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -27А; Idm: -160А; 22,7Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора102нC КорпусQFN3X3 МонтажSMD
142.97 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI050P02PT, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -31А; Idm: -180А; 35,7Вт" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом типа P — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления и коммутации электрических сигналов в цепях постоянного тока. Используются как электронные ключи в схемах с общим плюсом, где требуется управление верхнего плеча (high-side switching), например, в источниках питания, драйверах, логических схемах и системах резервного питания.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом типа P от проверенных производителей: KEFA, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Infineon, Nexperia, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж