Товары из категории транзисторы с каналом типа p - страница 22

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
209.30 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDFS2P106A, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -3А; 1,6Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14нC КорпусMicroFET МонтажSMD
130.53 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDMA291P, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -6,6А; 2,4Вт; MicroFET" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусWDFN6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
63.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDMA3023PZ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,9А; 1,4Вт; WDFN6" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора42нC КорпусMicroFET МонтажSMD
42.76 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDMA507PZ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -7,8А; 2,4Вт; MicroFET" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11нC КорпусMicroFET МонтажSMD
217.55 
Доступность: 3000 шт.
 

Минимальное количество для товара "FDMA530PZ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -6,8А; 2,4Вт; MicroFET" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусWDFN6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
155.29 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDMA905P, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -10А; 2,4Вт; WDFN6" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора34нC КорпусMicroFET
194.30 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDMA908PZ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -12А; Idm: -40А; 2,4Вт; ESD" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора29нC КорпусMicroFET МонтажSMD
141.04 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDMA910PZ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -9,4А; Idm: -45А; 2,4Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора53нC КорпусMLP8 МонтажSMD
250.56 
Доступность: 2416 шт.
 

Минимальное количество для товара "FDMC4435BZ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -18А; 31Вт; MLP8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора109нC КорпусPQFN8 МонтажSMD
160.54 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDMC4D9P20X8, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -47А; Idm: -335А; 40Вт; PQFN8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора116нC КорпусMLP8 МонтажSMD
455.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDMC510P, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -18А; 41Вт; MLP8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора116нC КорпусMLP8 МонтажSMD
210.05 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDMC510P-F106, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -18А; Idm: -50А; 41Вт; MLP8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусWDFN8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
195.05 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDMC5614P, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -13,5А; 42Вт; WDFN8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора99нC КорпусPower33 МонтажSMD
254.31 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDMC610P, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -80А; Idm: -200А; 48Вт; Power33" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора65нC КорпусWDFN8 МонтажSMD
252.06 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDMC6675BZ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -20А; Idm: -32А; 36Вт; WDFN8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусWDFN8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±25В
117.03 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDMC6679AZ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -20А; 41Вт; WDFN8" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора122нC КорпусPower33 МонтажSMD
258.81 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDMC6686P, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -56А; Idm: -377А; 40Вт; Power33" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусWDFN8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±25В
396.10 
Доступность: 1227 шт.
 

Минимальное количество для товара "FDMC86139P, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -15А; 40Вт; WDFN8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32нC КорпусPower33 МонтажSMD
518.38 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDMC86259P, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -150В; -13А; Idm: -20А; 62Вт; Power33" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора24нC КорпусPower33 МонтажSMD
402.85 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDMC86261P, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -150В; -9А; Idm: -20А; 40Вт; Power33" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом типа P — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления и коммутации электрических сигналов в цепях постоянного тока. Используются как электронные ключи в схемах с общим плюсом, где требуется управление верхнего плеча (high-side switching), например, в источниках питания, драйверах, логических схемах и системах резервного питания.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом типа P от проверенных производителей: KEFA, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Infineon, Nexperia, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж