Товары из категории транзисторы с каналом типа p - страница 23

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4нC КорпусPower33 МонтажSMD
213.05 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDMC86265P, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -150В; -1,65А; Idm: -9А; 16Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC КорпусMicroFET МонтажSMD
137.28 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDME510PZT, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -6А; Idm: -15А; 2,1Вт; MicroFET" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC КорпусMicroFET МонтажSMD
159.04 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDME905PT, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -8А; Idm: -30А; 2,1Вт; MicroFET" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусuDFN6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
137.28 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDME910PZT, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -8А; 2,1Вт; uDFN6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора47нC КорпусPower56 МонтажSMD
178.54 
Доступность: 2347 шт.
 

Минимальное количество для товара "FDMS4435BZ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -18А; Idm: -50А; 39Вт; Power56" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора130нC КорпусPower56 МонтажSMD
258.81 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDMS6673BZ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -52А; Idm: -422А; 73Вт; Power56" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора59нC КорпусPQFN8 МонтажSMD
493.62 
Доступность: 2908 шт.
 

Минимальное количество для товара "FDMS86163P, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -50А; 104Вт; PQFN8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора63нC КорпусPower56 МонтажSMD
632.41 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDMS86263P, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -150В; -4,4А; Idm: -70А; 2,5Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14нC КорпусSuperSOT-3 МонтажSMD
97.52 
Доступность: 1514 шт.
 

Минимальное количество для товара "FDN302P, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,4А; 0,5Вт; SuperSOT-3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC КорпусSOT23 МонтажSMD
99.02 
Доступность: 2325 шт.
 

Минимальное количество для товара "FDN304P, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,4А; 0,5Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC КорпусSuperSOT-3 МонтажSMD
131.28 
Доступность: 2087 шт.
 

Минимальное количество для товара "FDN304PZ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,4А; 0,5Вт; SuperSOT-3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17нC КорпусSuperSOT-3 МонтажSMD
69.77 
Доступность: 2723 шт.
 

Минимальное количество для товара "FDN306P, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -2,6А; 0,5Вт; SuperSOT-3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5нC КорпусSuperSOT-3 МонтажSMD
106.53 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDN336P, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,3А; 0,5Вт; SuperSOT-3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,2нC КорпусSuperSOT-3 МонтажSMD
104.28 
Доступность: 1293 шт.
 

Минимальное количество для товара "FDN338P, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,6А; 0,5Вт; SuperSOT-3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC КорпусSuperSOT-3 МонтажSMD
70.52 
Доступность: 8357 шт.
 

Минимальное количество для товара "FDN340P, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2А; Idm: -10А; 0,5Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,9нC КорпусSuperSOT-3 МонтажSMD
102.03 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDN352AP, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -1,3А; 0,5Вт; SuperSOT-3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,6нC КорпусSuperSOT-3 МонтажSMD
97.52 
Доступность: 193 шт.
 

Минимальное количество для товара "FDN358P, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -1,5А; 0,5Вт; SuperSOT-3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9нC КорпусSuperSOT-3 МонтажSMD
96.77 
Доступность: 7244 шт.
 

Минимальное количество для товара "FDN360P, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2А; 0,5Вт; SuperSOT-3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSuperSOT-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±25В
87.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDN86265P, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -150В; -0,8А; 1,5Вт; SuperSOT-3" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора40нC КорпусSO8 МонтажSMD
138.78 
Доступность: 1623 шт.
 

Минимальное количество для товара "FDS4435BZ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -8,8А; 2,5Вт; SO8" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом типа P — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления и коммутации электрических сигналов в цепях постоянного тока. Используются как электронные ключи в схемах с общим плюсом, где требуется управление верхнего плеча (high-side switching), например, в источниках питания, драйверах, логических схемах и системах резервного питания.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом типа P от проверенных производителей: KEFA, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Infineon, Nexperia, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж