Товары из категории транзисторы с каналом типа p , стр.3

Производитель
Вид каналаобогащенный Заряд затвора51нC КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±25В
141.44 
Доступность: 86 шт.
 

Минимальное количество для товара "AOD403, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -55А; 45Вт; TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора7,4нC КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
138.38 
Доступность: 2495 шт.
 

Минимальное количество для товара "AOD407, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -10А; 25Вт; TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора22,2нC КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
140.67 
Доступность: 353 шт.
 

Минимальное количество для товара "AOD409, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -18А; 30Вт; TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора22нC КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AOD409G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -18А; 24Вт; TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора16,2нC КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
48.17 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AOD413A, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -12А; 25Вт; TO252" 3.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора18,6нC КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
163.61 
Доступность: 4163 шт.
 

Минимальное количество для товара "AOD4185, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -31А; 31Вт; TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора31,4нC КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
127.68 
Доступность: 6904 шт.
 

Минимальное количество для товара "AOD4189, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -28А; 31Вт; TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора45нC КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±25В
80.28 
Доступность: 2247 шт.
 

Минимальное количество для товара "AOD423, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -67А; 45Вт; TO252" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора70нC КорпусTO251A Напряжение затвор-исток±25В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AOI21357, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -50А; Idm: -180А; 31Вт; TO251A" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора22,2нC КорпусTO251A МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
88.69 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AOI409, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -18А; 30Вт; TO251A" 3500.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора18,6нC КорпусTO251A МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
148.32 
Доступность: 2661 шт.
 

Минимальное количество для товара "AOI4185, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -31А; 31Вт; TO251A" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора45нC КорпусTO251A МонтажTHT Напряжение затвор-исток±25В
170.49 
Доступность: 3440 шт.
 

Минимальное количество для товара "AOI423, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -67А; 45Вт; TO251A" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора0,75нC КорпусDFN3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AON1605, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,55А; 550мВт; DFN3" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора12,7нC КорпусDFN6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AON2403, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -6А; 1,8Вт; DFN6" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора13нC КорпусDFN6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
22.17 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AON2405, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -6А; 1,8Вт; DFN6" 3000.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора6нC КорпусDFN6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AON2409, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -6,3А; 1,8Вт; DFN6" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора20нC КорпусDFN2x2C МонтажSMD
54.28 
Доступность: 1945 шт.
 

Минимальное количество для товара "AON2411, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -15,5А; 3,2Вт; DFN2x2C; ESD" 3.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора9,6нC КорпусDFN8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AON3419, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -7,8А; 2Вт; DFN8" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора19нC КорпусDFN8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AON4407, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -7А; 1,6Вт; DFN8" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора17,6нC КорпусDFN8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
45.87 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AON4421, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -6А; 1,6Вт; DFN8" 3000.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом типа P — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления и коммутации электрических сигналов в цепях постоянного тока. Используются как электронные ключи в схемах с общим плюсом, где требуется управление верхнего плеча (high-side switching), например, в источниках питания, драйверах, логических схемах и системах резервного питания.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом типа P от проверенных производителей: KEFA, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Infineon, Nexperia, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж