Москва
 
+7(993)080-09-37
0Корзина

Транзисторы с каналом типа P

Производитель
Сортировать по:
От А до Я
Показать:
24
NTGS3455T1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -3,5А; 2Вт; TSOP6
0.0
NTGS3455T1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTSOP6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
‍70‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "NTGS3455T1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -3,5А; 2Вт; TSOP6" 1.

NTGS4111PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,7А; 1,25Вт; TSOP6
0.0
NTGS4111PT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTSOP6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
‍70‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "NTGS4111PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,7А; 1,25Вт; TSOP6" 1.

NTHD3101FT1G, Транзистор: P-MOSFET + Schottky; полевой; 20В; -2,3А; Idm: -13А
0.0
NTHD3101FT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,4нC КорпусChipFET МонтажSMD
‍164‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "NTHD3101FT1G, Транзистор: P-MOSFET + Schottky; полевой; 20В; -2,3А; Idm: -13А" 1.

NTJS3151PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -2А; 0,625Вт
0.0
NTJS3151PT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSC70-6, SC88, SOT363 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
‍75‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "NTJS3151PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -2А; 0,625Вт" 1.

NTJS4151PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,4А; 1Вт
0.0
NTJS4151PT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSC70-6, SC88, SOT363 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
‍52‍ ₽
Доступность: 160 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "NTJS4151PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,4А; 1Вт" 1.

NTK3139PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,57А; 0,45Вт; SOT723
0.0
NTK3139PT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT723 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±6В
‍37‍ ₽
Доступность: 4000 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "NTK3139PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,57А; 0,45Вт; SOT723" 1.

NTMS10P02R2G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -8А; 2,5Вт; SO8
0.0
NTMS10P02R2G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
‍127‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "NTMS10P02R2G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -8А; 2,5Вт; SO8" 2500.

NTR0202PLT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,4А; 0,225Вт; SOT23
0.0
NTR0202PLT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,18нC КорпусSOT23 МонтажSMD
‍18‍ ₽
Доступность: 2988 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "NTR0202PLT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,4А; 0,225Вт; SOT23" 1.

NTR1P02LT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,3А; 0,4Вт; SOT23
0.0
NTR1P02LT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,1нC КорпусSOT23 МонтажSMD
‍56‍ ₽
Доступность: 2468 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "NTR1P02LT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,3А; 0,4Вт; SOT23" 1.

NTR1P02T1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1А; 0,4Вт; SOT23
0.0
NTR1P02T1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
‍40‍ ₽
Доступность: 1900 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "NTR1P02T1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1А; 0,4Вт; SOT23" 1.

NTR2101PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -8В; -3А; 0,96Вт; SOT23
0.0
NTR2101PT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
‍65‍ ₽
Доступность: 1971 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "NTR2101PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -8В; -3А; 0,96Вт; SOT23" 1.

NTR3A052PZT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,6А; 0,72Вт; SOT23
0.0
NTR3A052PZT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
‍80‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "NTR3A052PZT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,6А; 0,72Вт; SOT23" 1.

NTR4101PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,7А; 0,21Вт; SOT23
0.0
NTR4101PT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,5нC КорпусSOT23 МонтажSMD
‍31‍ ₽
Доступность: 511 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "NTR4101PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,7А; 0,21Вт; SOT23" 1.

NTR4171PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -1,5А; 1,25Вт; SOT23
0.0
NTR4171PT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,4нC КорпусSOT23 МонтажSMD
‍91‍ ₽
Доступность: 3003 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "NTR4171PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -1,5А; 1,25Вт; SOT23" 1.

NTR4502PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -1,56А; 1,25Вт; SOT23
0.0
NTR4502PT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6нC КорпусSOT23 МонтажSMD
‍36‍ ₽
Доступность: 1960 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "NTR4502PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -1,56А; 1,25Вт; SOT23" 1.

NTR5105PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,141А; 0,347Вт; SOT23
0.0
NTR5105PT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
‍33‍ ₽
Доступность: 1154 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "NTR5105PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,141А; 0,347Вт; SOT23" 1.

NTS2101PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -8В; -1,1А; 0,29Вт; SC70,SOT323
0.0
NTS2101PT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSC70, SOT323 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
‍59‍ ₽
Доступность: 3000 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "NTS2101PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -8В; -1,1А; 0,29Вт; SC70,SOT323" 1.

NTS4101PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,62А; 0,329Вт; SC70,SOT323
0.0
NTS4101PT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,4нC КорпусSC70, SOT323 МонтажSMD
‍64‍ ₽
Доступность: 3083 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "NTS4101PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,62А; 0,329Вт; SC70,SOT323" 1.

NTS4173PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -0,8А; Idm: -5А; 290мВт
0.0
NTS4173PT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10,1нC КорпусSC70, SOT323 МонтажSMD
‍68‍ ₽
Доступность: 3000 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "NTS4173PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -0,8А; Idm: -5А; 290мВт" 1.

NTZS3151PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,76А; 0,21Вт; SOT563F; ESD
0.0
NTZS3151PT1G
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563F МонтажSMD
‍62‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "NTZS3151PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,76А; 0,21Вт; SOT563F; ESD" 1.

NVF2955T1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -2,6А; 2,3Вт; SOT223
0.0
NVF2955T1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14,3нC КорпусSOT223 МонтажSMD
‍199‍ ₽
Доступность: 740 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "NVF2955T1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -2,6А; 2,3Вт; SOT223" 1.

NVMFS5113PLT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -45А; 75Вт; DFN5x6
0.0
NVMFS5113PLT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусDFN5x6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
‍487‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "NVMFS5113PLT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -45А; 75Вт; DFN5x6" 1.

NVR5124PLT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,67А; 0,19Вт; SOT23
0.0
NVR5124PLT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
‍81‍ ₽
Доступность: 2975 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "NVR5124PLT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,67А; 0,19Вт; SOT23" 1.

NVTFS5116PLTAG, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -10А; 1,6Вт; WDFN8
0.0
NVTFS5116PLTAG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусWDFN8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
‍169‍ ₽
Доступность: 1185 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "NVTFS5116PLTAG, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -10А; 1,6Вт; WDFN8" 1.

Показать еще 24 товара
Категории
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (23)