Товары из категории транзисторы с каналом типа p, стр.34

Производитель

Транзисторы с каналом типа P — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления и коммутации электрических сигналов в цепях постоянного тока. Используются как электронные ключи в схемах с общим плюсом, где требуется управление верхнего плеча (high-side switching), например, в источниках питания, драйверах, логических схемах и системах резервного питания.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом типа P от проверенных производителей: KEFA, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Infineon, Nexperia, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
NTGS3455T1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTSOP6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
64.82 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "NTGS3455T1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -3,5А; 2Вт; TSOP6" 1.

0.0
NTGS4111PT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTSOP6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
65.61 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "NTGS4111PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,7А; 1,25Вт; TSOP6" 1.

0.0
NTHD3101FT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,4нC КорпусChipFET МонтажSMD
152.57 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "NTHD3101FT1G, Транзистор: P-MOSFET + Schottky; полевой; 20В; -2,3А; Idm: -13А" 1.

0.0
NTJS3151PT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSC70-6, SC88, SOT363 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
69.57 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "NTJS3151PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -2А; 0,625Вт" 1.

0.0
NTJS4151PT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSC70-6, SC88, SOT363 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
48.22 
Доступность: 160 шт.
+

Минимальное количество для товара "NTJS4151PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,4А; 1Вт" 1.

0.0
NTK3139PT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT723 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±6В
33.99 
Доступность: 2595 шт.
+

Минимальное количество для товара "NTK3139PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,57А; 0,45Вт; SOT723" 1.

0.0
NTMS10P02R2G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
118.58 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "NTMS10P02R2G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -8А; 2,5Вт; SO8" 2500.

0.0
NTR0202PLT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,18нC КорпусSOT23 МонтажSMD
16.60 
Доступность: 988 шт.
+

Минимальное количество для товара "NTR0202PLT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,4А; 0,225Вт; SOT23" 1.

0.0
NTR1P02LT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,1нC КорпусSOT23 МонтажSMD
52.17 
Доступность: 2442 шт.
+

Минимальное количество для товара "NTR1P02LT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,3А; 0,4Вт; SOT23" 1.

0.0
NTR1P02T1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
37.15 
Доступность: 140 шт.
+

Минимальное количество для товара "NTR1P02T1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1А; 0,4Вт; SOT23" 1.

0.0
NTR2101PT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
60.87 
Доступность: 1721 шт.
+

Минимальное количество для товара "NTR2101PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -8В; -3А; 0,96Вт; SOT23" 1.

0.0
NTR3A052PZT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
74.31 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "NTR3A052PZT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,6А; 0,72Вт; SOT23" 1.

0.0
NTR4101PT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,5нC КорпусSOT23 МонтажSMD
29.25 
Доступность: 3211 шт.
+

Минимальное количество для товара "NTR4101PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,7А; 0,21Вт; SOT23" 1.

0.0
NTR4171PT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,4нC КорпусSOT23 МонтажSMD
84.58 
Доступность: 2628 шт.
+

Минимальное количество для товара "NTR4171PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -1,5А; 1,25Вт; SOT23" 1.

0.0
NTR4502PT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6нC КорпусSOT23 МонтажSMD
33.20 
Доступность: 1954 шт.
+

Минимальное количество для товара "NTR4502PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -1,56А; 1,25Вт; SOT23" 1.

0.0
NTR5105PT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
30.83 
Доступность: 1144 шт.
+

Минимальное количество для товара "NTR5105PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,141А; 0,347Вт; SOT23" 1.

0.0
NTS2101PT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSC70, SOT323 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
54.55 
Доступность: 900 шт.
+

Минимальное количество для товара "NTS2101PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -8В; -1,1А; 0,29Вт; SC70,SOT323" 1.

0.0
NTS4101PT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,4нC КорпусSC70, SOT323 МонтажSMD
59.29 
Доступность: 3083 шт.
+

Минимальное количество для товара "NTS4101PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,62А; 0,329Вт; SC70,SOT323" 1.

0.0
NTS4173PT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10,1нC КорпусSC70, SOT323 МонтажSMD
63.24 
Доступность: 3000 шт.
+

Минимальное количество для товара "NTS4173PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -0,8А; Idm: -5А; 290мВт" 1.

0.0
NTZS3151PT1G
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563F МонтажSMD
57.71 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "NTZS3151PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,76А; 0,21Вт; SOT563F; ESD" 1.

0.0
NVF2955T1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14,3нC КорпусSOT223 МонтажSMD
184.98 
Доступность: 740 шт.
+

Минимальное количество для товара "NVF2955T1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -2,6А; 2,3Вт; SOT223" 1.

0.0
NVMFS5113PLT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусDFN5x6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
453.75 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "NVMFS5113PLT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -45А; 75Вт; DFN5x6" 1.

0.0
NVR5124PLT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
75.89 
Доступность: 2255 шт.
+

Минимальное количество для товара "NVR5124PLT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,67А; 0,19Вт; SOT23" 1.

0.0
NVTFS5116PLTAG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусWDFN8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
157.31 
Доступность: 1174 шт.
+

Минимальное количество для товара "NVTFS5116PLTAG, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -10А; 1,6Вт; WDFN8" 1.

Показать еще 24 товара
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (23)
Хиты продаж