Товары из категории транзисторы с каналом типа p - страница 34

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSuperSOT-6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
32.87 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDC654P, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -3,6А; 1,6Вт; SuperSOT-6" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,1нC КорпусSuperSOT-6 МонтажSMD
127.68 
Доступность: 1720 шт.
 

Минимальное количество для товара "FDC658AP, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4А; 1,6Вт; SuperSOT-6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC КорпусSuperSOT-6 МонтажSMD
161.31 
Доступность: 2627 шт.
 

Минимальное количество для товара "FDC658P, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4А; 1,6Вт; SuperSOT-6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC КорпусDPAK МонтажSMD
176.61 
Доступность: 351 шт.
 

Минимальное количество для товара "FDD306P, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -6,7А; 52Вт; DPAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC КорпусDPAK МонтажSMD
198.78 
Доступность: 1901 шт.
 

Минимальное количество для товара "FDD4141, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -10,8А; 69Вт; DPAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора29нC КорпусDPAK МонтажSMD
162.84 
Доступность: 2413 шт.
 

Минимальное количество для товара "FDD4243, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -14А; 42Вт; DPAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора27нC КорпусDPAK МонтажSMD
201.83 
Доступность: 893 шт.
 

Минимальное количество для товара "FDD4685, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -32А; 69Вт; DPAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора35нC КорпусDPAK МонтажSMD
295.87 
Доступность: 2434 шт.
 

Минимальное количество для товара "FDD6637, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -35В; -55А; 57Вт; DPAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусDPAK МонтажSMD Напряжение затвор-исток±25В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDD6685, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -40А; 52Вт; DPAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
220.18 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDFS2P106A, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -3А; 1,6Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSC70-6, SC88, SOT363 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDG316P, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -1,6А; 0,75Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14нC КорпусMicroFET МонтажSMD
110.86 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDMA291P, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -6,6А; 2,4Вт; MicroFET" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусWDFN6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDMA3023PZ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,9А; 1,4Вт; WDFN6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора42нC КорпусMicroFET МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDMA507PZ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -7,8А; 2,4Вт; MicroFET" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11нC КорпусMicroFET МонтажSMD
190.37 
Доступность: 3000 шт.
 

Минимальное количество для товара "FDMA530PZ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -6,8А; 2,4Вт; MicroFET" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусWDFN6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
156.73 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDMA905P, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -10А; 2,4Вт; WDFN6" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора34нC КорпусMicroFET
204.89 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDMA908PZ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -12А; Idm: -40А; 2,4Вт; ESD" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора29нC КорпусMicroFET МонтажSMD
162.08 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDMA910PZ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -9,4А; Idm: -45А; 2,4Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора53нC КорпусMLP8 МонтажSMD
215.60 
Доступность: 2428 шт.
 

Минимальное количество для товара "FDMC4435BZ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -18А; 31Вт; MLP8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора109нC КорпусPQFN8 МонтажSMD
168.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDMC4D9P20X8, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -47А; Idm: -335А; 40Вт; PQFN8" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом типа P — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления и коммутации электрических сигналов в цепях постоянного тока. Используются как электронные ключи в схемах с общим плюсом, где требуется управление верхнего плеча (high-side switching), например, в источниках питания, драйверах, логических схемах и системах резервного питания.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом типа P от проверенных производителей: KEFA, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Infineon, Nexperia, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж