Товары из категории транзисторы с каналом типа p, стр.49

Производитель

Транзисторы с каналом типа P — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления и коммутации электрических сигналов в цепях постоянного тока. Используются как электронные ключи в схемах с общим плюсом, где требуется управление верхнего плеча (high-side switching), например, в источниках питания, драйверах, логических схемах и системах резервного питания.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом типа P от проверенных производителей: KEFA, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Infineon, Nexperia, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
SIA811ADJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
47.43 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SIA811ADJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; полевой; -20В; -4,5А" 3000.

0.0
SIA817EDJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
33.20 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SIA817EDJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; полевой; -30В; -4,5А" 3000.

0.0
SIA921EDJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23нC КорпусPowerPAK® SC70 МонтажSMD
126.48 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SIA921EDJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4,5А; Idm: -15А; 5Вт" 1.

0.0
SIA929DJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC КорпусPowerPAK® SC70 МонтажSMD
128.85 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SIA929DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4,5А; Idm: -15А; 5Вт" 1.

0.0
SIA975DJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора26нC КорпусPowerPAK® SC70 МонтажSMD
152.57 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SIA975DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -4,5А; Idm: -15А; 5Вт" 1.

0.0
SIB417EDK-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±5В
43.48 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SIB417EDK-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -8В; -9А; Idm: -15А; 13Вт" 3000.

0.0
SIB433EDK-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
40.32 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SIB433EDK-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -9А; Idm: -20А" 3000.

0.0
SIB441EDK-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора33нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
32.41 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SIB441EDK-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -9А; Idm: -40А" 3000.

0.0
SIB457EDK-T1-GE3
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора44нC КорпусPowerPAK® SC75
105.93 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SIB457EDK-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -6,8А; Idm: -25А; 8,4Вт; ESD" 1.

0.0
SIHF9520S-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
181.03 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SIHF9520S-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -4,8А; Idm: -27А; 60Вт" 1.

0.0
SIHF9530S-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора38нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
134.39 
Доступность: 888 шт.
+

Минимальное количество для товара "SIHF9530S-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -8,2А; Idm: -48А; 88Вт" 1.

0.0
SIHF9640S-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора44нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
314.62 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SIHF9640S-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -200В; -6,8А; Idm: -44А; 125Вт" 1.

0.0
SIHF9Z34STRL-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора34нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
247.43 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SIHF9Z34STRL-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -13А; Idm: -72А; 88Вт" 1.

0.0
SIHFR9014-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
131.23 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SIHFR9014-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -3,2А; Idm: -20А; 25Вт" 1.

0.0
SIHFR9014TR-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
131.23 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SIHFR9014TR-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -3,2А; Idm: -20А; 25Вт" 1.

0.0
SIHFR9014TRL-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
131.23 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SIHFR9014TRL-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -3,2А; Idm: -20А; 25Вт" 1.

0.0
SIHFR9020TR-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
132.02 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SIHFR9020TR-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -50В; -6,3А; Idm: -40А; 42Вт" 1.

0.0
SIHFR9024-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
131.23 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SIHFR9024-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -5,6А; Idm: -35А; 42Вт" 1.

0.0
SIHFR9024TR-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
175.49 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SIHFR9024TR-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -5,6А; Idm: -35А; 42Вт" 1.

0.0
SIHFR9110TR-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,7нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
131.23 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SIHFR9110TR-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -2А; Idm: -12А; 25Вт" 1.

0.0
SIHFR9110TRL-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,7нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
131.23 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SIHFR9110TRL-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -2А; Idm: -12А; 25Вт" 1.

0.0
SIHFR9120-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
142.29 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SIHFR9120-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -5,6А; Idm: -22А; 42Вт" 1.

0.0
SIHFR9120TR-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
129.64 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SIHFR9120TR-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -5,6А; Idm: -22А; 42Вт" 1.

0.0
SIHFR9210TR-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,9нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
132.02 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SIHFR9210TR-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -200В; -1,2А; Idm: -7,6А; 25Вт" 1.

Показать еще 24 товара
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (23)
Хиты продаж