Товары из категории транзисторы с каналом типа p, стр.53

Производитель

Транзисторы с каналом типа P — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления и коммутации электрических сигналов в цепях постоянного тока. Используются как электронные ключи в схемах с общим плюсом, где требуется управление верхнего плеча (high-side switching), например, в источниках питания, драйверах, логических схемах и системах резервного питания.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом типа P от проверенных производителей: KEFA, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Infineon, Nexperia, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
SQ2325ES-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC КорпусSOT23 МонтажSMD
109.88 
Доступность: 2578 шт.
+

Минимальное количество для товара "SQ2325ES-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -150В; -1А; Idm: -2А; 1Вт; SOT23" 1.

0.0
SQ2337ES-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11,8нC КорпусSOT23 МонтажSMD
132.02 
Доступность: 1443 шт.
+

Минимальное количество для товара "SQ2337ES-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -80В; -1,3А; 1Вт; SOT23" 1.

0.0
SQ2351ES-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,5нC КорпусSOT23 МонтажSMD
110.67 
Доступность: 1197 шт.
+

Минимальное количество для товара "SQ2351ES-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,8А; 2Вт; SOT23" 1.

0.0
SQ2361AEES-T1-GE3
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15нC КорпусSOT23
188.14 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SQ2361AEES-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -2,8А; Idm: -11А; 0,67Вт; SOT23" 1.

0.0
SQ2361ES-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC КорпусSOT23 МонтажSMD
124.11 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SQ2361ES-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -2,8А; Idm: -11А; 0,67Вт; SOT23" 1.

0.0
SQ2389ES-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC КорпусSOT23 МонтажSMD
92.49 
Доступность: 1943 шт.
+

Минимальное количество для товара "SQ2389ES-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -4,1А; Idm: -16А; 1Вт; SOT23" 1.

0.0
SQ3427AEEV-T1-GE3
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC КорпусTSOP6
113.04 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SQ3427AEEV-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -5,3А; Idm: -21А" 1.

0.0
SQ3427EV-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
160.47 
Доступность: 1201 шт.
+

Минимальное количество для товара "SQ3427EV-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -5,3А; Idm: -21А" 1.

0.0
SQ3457EV-T1-BE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
52.17 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SQ3457EV-T1_BE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -6,8А; Idm: -27А" 3000.

0.0
SQ3457EV-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
79.05 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SQ3457EV-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -6,8А; Idm: -27А" 1.

0.0
SQ3461EV-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора28нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
138.34 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SQ3461EV-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -6,6А; 1,67Вт; TSOP6" 1.

0.0
SQ3481EV-T1-BE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23,5нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
52.17 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SQ3481EV-T1_BE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -7,5А; Idm: -30А" 3000.

0.0
SQ3493EV-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора34нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
56.92 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SQ3493EV-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -8А; Idm: -32А; 5Вт" 3000.

0.0
SQ4153EY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора151нC КорпусSO8 МонтажSMD
265.61 
Доступность: 2326 шт.
+

Минимальное количество для товара "SQ4153EY-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -14А; 2,3Вт; SO8" 1.

0.0
SQA401EEJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,3нC КорпусPowerPAK® SC70 МонтажSMD
107.51 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SQA401EEJ-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,55А; 4,5Вт; PowerPAK® SC70" 1.

0.0
SQA405CEJW-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора34нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
29.25 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SQA405CEJW-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -9А; Idm: -36А" 3000.

0.0
SQA411CEJW-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15,5нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
33.20 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SQA411CEJW-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -6,46А; Idm: -20А" 3000.

0.0
SQA413CEJW-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
26.88 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SQA413CEJW-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -7,5А; Idm: -30А" 3000.

0.0
SQD19P06-60L-GE3
Вид каналаобогащенный Заряд затвора27нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
309.09 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SQD19P06-60L_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -11А; 15Вт; DPAK,TO252" 1.

0.0
SQD40031EL-GE3
Вид каналаобогащенный Заряд затвора186нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
292.49 
Доступность: 1259 шт.
+

Минимальное количество для товара "SQD40031EL_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -94А; 45Вт; DPAK,TO252" 1.

0.0
SQD45P03-12-GE3
Вид каналаобогащенный Заряд затвора55,3нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
335.18 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SQD45P03-12_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -37А; 23Вт; DPAK,TO252" 1.

0.0
SQD50P08-28-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора145нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
517.00 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SQD50P08-28_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -80В; -28А; Idm: -190А; 45Вт" 1.

0.0
SQJ409EP-T1-BE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора260нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
129.64 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SQJ409EP-T1_BE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -60А; Idm: -150А" 3000.

0.0
SQJ431AEP-T1-BE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора85нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
159.68 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SQJ431AEP-T1_BE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -200В; -9,4А; Idm: -60А" 3000.

Показать еще 24 товара
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (23)
Хиты продаж