Товары из категории транзисторы униполярные , стр.10

Производитель
Вид каналаобогащенный Заряд затвора124нC КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
175.84 
Доступность: 2468 шт.
 

Минимальное количество для товара "AO4430, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 15А; 2,1Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора8нC КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
87.16 
Доступность: 2247 шт.
 

Минимальное количество для товара "AO4441, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -3,1А; 2Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора8,4нC КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AO4443, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -5А; 2Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора41нC КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
152.14 
Доступность: 869 шт.
 

Минимальное количество для товара "AO4447A, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -13А; 2Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора6,7нC КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AO4449, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -5,5А; 2Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора12,7нC КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AO4453, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -7А; 1,6Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора4,6нC КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
105.50 
Доступность: 2798 шт.
 

Минимальное количество для товара "AO4459, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -5,3А; 2Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора8,6нC КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
39.76 
Доступность: 1585 шт.
 

Минимальное количество для товара "AO4466, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 7А; 2Вт; SO8" 3.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора7,5нC КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
199.54 
Доступность: 1752 шт.
 

Минимальное количество для товара "AO4468, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 8,5А; 2Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора9,5нC КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
138.38 
Доступность: 556 шт.
 

Минимальное количество для товара "AO4476A, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 12А; 2Вт; SO8" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора10,5нC КорпусSO8 МонтажSMD
90.98 
Доступность: 1706 шт.
 

Минимальное количество для товара "AO4480, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 11А; 2Вт; SO8; ESD" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора18нC КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
138.38 
Доступность: 2813 шт.
 

Минимальное количество для товара "AO4482, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 5А; 2Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора13,6нC КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
105.50 
Доступность: 319 шт.
 

Минимальное количество для товара "AO4484, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 8А; 1,1Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора18,6нC КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
133.79 
Доступность: 274 шт.
 

Минимальное количество для товара "AO4485, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -8А; 1,1Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора20нC КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
176.61 
Доступность: 1131 шт.
 

Минимальное количество для товара "AO4486, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 3,4А; 2Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора7,1нC КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
171.25 
Доступность: 503 шт.
 

Минимальное количество для товара "AO4492, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 11,4А; 2Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора13нC КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
54.28 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AO4496, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 7,5А; 2Вт; SO8" 3.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора44,5нC КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
76.45 
Доступность: 419 шт.
 

Минимальное количество для товара "AO4498, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 14А; 2Вт; SO8" 3.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора12,2нC КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
31.35 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AO4566, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 9,4А; 1,6Вт; SO8" 3000.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора6,8нC КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
85.63 
Доступность: 2939 шт.
 

Минимальное количество для товара "AO4576, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 12А; 1,2Вт; SO8" 1.

Показать еще 20 товаров

Униполярные транзисторы (полевые транзисторы, FET) — это полупроводниковые приборы, в которых управление током осуществляется электрическим полем через изолированный затвор.

В отличие от биполярных, они потребляют почти нулевой ток управления, что делает их идеальными для высокочастотных, энергоэффективных и цифровых схем.

Наиболее распространённый тип — **MOSFET** (Metal-Oxide-Semiconductor FET), широко используемый в импульсных источниках питания, драйверах двигателей, DC-DC преобразователях и инверторах.

Мы предлагаем качественные униполярные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте высокую эффективность и надёжность — выбирайте профессиональные MOSFET на 7-el.ru!

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж