Товары из категории транзисторы униполярные - страница 104

Производитель
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227H Механический монтажвинтами Напряжение сток-исток150В Обозначение производителяDAMIA760N150
18 937.13 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DAMIA760N150, Модуль; одиночный транзистор; 150В; 450А; SOT227H; винтами" 1.

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227H Механический монтажвинтами Напряжение сток-исток60В Обозначение производителяDAMIA800N60
16 252.99 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DAMIA800N60, Модуль; одиночный транзистор; 60В; 600А; SOT227H; винтами; винтами" 1.

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227H Механический монтажвинтами Напряжение сток-исток100В Обозначение производителяDAMIA830N100
16 961.08 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DAMIA830N100, Модуль; одиночный транзистор; 100В; 620А; SOT227H; винтами" 1.

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227H Механический монтажвинтами Напряжение сток-исток100В Обозначение производителяDAMIA960N100
17 784.43 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DAMIA960N100, Модуль; одиночный транзистор; 100В; 720А; SOT227H; винтами" 1.

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227H Механический монтажвинтами Напряжение сток-исток60В Обозначение производителяDAMIA960N60
16 961.08 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DAMIA960N60, Модуль; одиночный транзистор; 60В; 720А; SOT227H; винтами; винтами" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,4нC КорпусQFN2X2
83.08 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI002N10PWK-AQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; QFN2X2; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,4нC КорпусQFN2X2
75.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI002N10PWK, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; QFN2X2; ESD" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,5нC КорпусSO8 МонтажSMD
104.79 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI003N03SQ2, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 3А; Idm: 9А; 1,6Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC КорпусQFN2X2 МонтажSMD
116.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI004N06PWK-AQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 4А; Idm: 16А; 1,65Вт; QFN2X2" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC КорпусQFN2X2 МонтажSMD
103.29 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI004N06PWK, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 4А; Idm: 16А; 1,65Вт; QFN2X2" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,6нC КорпусQFN3X3
113.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI005C04PTK-AQ, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 40/-40В; 5/-4А; Idm: 20÷-16А; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,6нC КорпусQFN3X3
116.77 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI005C04PTK, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 40/-40В; 5/-4А; Idm: 20÷-16А; ESD" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11,7нC КорпусQFN2X2 МонтажSMD
57.63 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI005N03PW-AQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 5А; Idm: 40А; 0,7Вт; QFN2X2" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC КорпусSO8 МонтажSMD
149.70 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI005N06SQ2, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 4,1А; Idm: 30А; 1,3Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19нC КорпусQFN2X2 МонтажSMD
45.66 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI005P04PW-AQ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -5,4А; Idm: -40А; 2Вт; QFN2X2" 3.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19нC КорпусQFN2X2 МонтажSMD
126.50 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI005P04PW, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -5,4А; Idm: -40А; 2Вт; QFN2X2" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC КорпусQFN2X2 МонтажSMD
107.04 
Доступность: 465 шт.
 

Минимальное количество для товара "DI006N06PW-AQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 65В; 6А; Idm: 80А; 1,67Вт; QFN2X2" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC КорпусQFN2X2 МонтажSMD
120.51 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI006N06PW, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 65В; 6А; Idm: 80А; 1,67Вт; QFN2X2" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC КорпусQFN2X2 МонтажSMD
91.32 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI006P02PW, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -6А; Idm: -36А; 2Вт; QFN2X2" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15нC КорпусQFN3X3 МонтажSMD
130.99 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI008C04PT, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 40/-40В; 8/-5,5А; Idm: 32÷-22А" 1.

Показать еще 20 товаров

Униполярные транзисторы (полевые транзисторы, FET) — это полупроводниковые приборы, в которых управление током осуществляется электрическим полем через изолированный затвор.

В отличие от биполярных, они потребляют почти нулевой ток управления, что делает их идеальными для высокочастотных, энергоэффективных и цифровых схем.

Наиболее распространённый тип — **MOSFET** (Metal-Oxide-Semiconductor FET), широко используемый в импульсных источниках питания, драйверах двигателей, DC-DC преобразователях и инверторах.

Мы предлагаем качественные униполярные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте высокую эффективность и надёжность — выбирайте профессиональные MOSFET на 7-el.ru!

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж