Транзисторы униполярные

Производитель

Униполярные транзисторы (полевые транзисторы, FET) — это полупроводниковые приборы, в которых управление током осуществляется электрическим полем через изолированный затвор.

В отличие от биполярных, они потребляют почти нулевой ток управления, что делает их идеальными для высокочастотных, энергоэффективных и цифровых схем.

Наиболее распространённый тип — **MOSFET** (Metal-Oxide-Semiconductor FET), широко используемый в импульсных источниках питания, драйверах двигателей, DC-DC преобразователях и инверторах.

Мы предлагаем качественные униполярные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте высокую эффективность и надёжность — выбирайте профессиональные MOSFET на 7-el.ru!

0.0
DN2625K4-G
Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
‍338‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "DN2625K4-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 1,1А; 2,5Вт; TO252" 1.

0.0
DN3135K1-G
Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
‍161‍ 
Доступность: 279 шт.
+

Минимальное количество для товара "DN3135K1-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 350В; 0,18А; 360мВт; SOT23-3" 1.

0.0
DN3525N8-G
Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
‍187‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "DN3525N8-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 0,3А; 1,6Вт; SOT89-3" 1.

0.0
DN3535N8-G
Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
‍195‍ 
Доступность: 1637 шт.
+

Минимальное количество для товара "DN3535N8-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 350В; 0,2А; 1,6Вт; SOT89-3" 1.

0.0
DN3545N3-G
Вид каналаобедненный Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
‍166‍ 
Доступность: 930 шт.
+

Минимальное количество для товара "DN3545N3-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 450В; 0,2А; 740мВт; TO92" 1.

0.0
DN3545N8-G
Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
‍250‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "DN3545N8-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 450В; 0,2А; 1,6Вт; SOT89-3" 1.

0.0
ECH8657-TL-H
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,6нC КорпусECH8
‍149‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "ECH8657-TL-H, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 35В; 4,5А; Idm: 30А; 1,5Вт; ECH8" 1.

0.0
ECH8690-TL-H
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Вид упаковкибобина, лента КорпусECH8
‍253‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "ECH8690-TL-H, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 60/-60В" 1.

0.0
ECH8695R-TL-W
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC Конструкция диодаобщий сток
‍109‍ 
Доступность: 2062 шт.
+

Минимальное количество для товара "ECH8695R-TL-W, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 24В; 11А; Idm: 60А; 1,4Вт; ECH8" 1.

0.0
EFC4612R-S-TR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусWLCSP4 МонтажSMD
‍40‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "EFC4612R-S-TR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 24В; 6А; Idm: 60А; 1,6Вт; WLCSP4" 5.

0.0
EL-MAH01170XA
Вид каналаобогащенный Заряд затвора8,9нC КорпусTO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток-4...20В
‍895‍ 
Доступность: 5 шт.
+

Минимальное количество для товара "EL-MAH01170XA, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 5,2А; TO263-7" 1.

0.0
EL-MAKR02120PA
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора0,22мкC КорпусTO247-4 МонтажTHT
3 988 
Доступность: 15 шт.
+

Минимальное количество для товара "EL-MAKR02120PA, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 90А; Idm: 231А; 465Вт" 1.

0.0
EL-MAKR0365XA-TC
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора240нC КорпусTO247-4-TSC МонтажTHT
2 285 
Доступность: 9 шт.
+

Минимальное количество для товара "EL-MAKR0365XA-TC, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 110А; Idm: 220А; 490Вт" 1.

0.0
EL-MAKR04120PA-TC
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора115нC КорпусTO247-4-TSC МонтажTHT
2 576 
Доступность: 10 шт.
+

Минимальное количество для товара "EL-MAKR04120PA-TC, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 39А; Idm: 171А; 454Вт" 1.

0.0
EL-MAKR04120PA
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора115нC КорпусTO247-4 МонтажTHT
2 188 
Доступность: 15 шт.
+

Минимальное количество для товара "EL-MAKR04120PA, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 39А; Idm: 171А; 454Вт" 1.

0.0
EL-MANR04120PA
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора115нC КорпусTO247-3 МонтажTHT
2 188 
Доступность: 5 шт.
+

Минимальное количество для товара "EL-MANR04120PA, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 39А; Idm: 171А; 454Вт" 1.

0.0
EM6J1T2R
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,4нC КорпусSOT563
‍71‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "EM6J1T2R, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; 200мА; Idm: -0,8А; 150мВт" 1.

0.0
EM6K31T2R
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563 МонтажSMD
‍95‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "EM6K31T2R, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 250мА; Idm: 1А; 150мВт; ESD" 1.

0.0
EM6K33T2R
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563 МонтажSMD
‍93‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "EM6K33T2R, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 50В; 200мА; Idm: 0,8А; 150мВт" 1.

0.0
EM6K34T2CR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563 МонтажSMD
‍66‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "EM6K34T2CR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 50В; 200мА; Idm: 0,8А; 150мВт" 1.

0.0
EM6K6T2R
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563 МонтажSMD
‍99‍ 
Доступность: 8000 шт.
+

Минимальное количество для товара "EM6K6T2R, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 300мА; Idm: 0,6А; 150мВт" 1.

0.0
EM6K7T2CR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563 МонтажSMD
‍94‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "EM6K7T2CR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 200мА; Idm: 0,4А; 150мВт" 1.

0.0
EM6K7T2R
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563 МонтажSMD
‍106‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "EM6K7T2R, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 200мА; Idm: 0,4А; 150мВт" 1.

0.0
EM6M2T2R
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563
‍73‍ 
Доступность: 3222 шт.
+

Минимальное количество для товара "EM6M2T2R, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 20/-20В" 1.

Показать еще 24 товара
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (39)