Транзисторы униполярные

Производитель

Униполярные транзисторы (полевые транзисторы, FET) — это полупроводниковые приборы, в которых управление током осуществляется электрическим полем через изолированный затвор.

В отличие от биполярных, они потребляют почти нулевой ток управления, что делает их идеальными для высокочастотных, энергоэффективных и цифровых схем.

Наиболее распространённый тип — **MOSFET** (Metal-Oxide-Semiconductor FET), широко используемый в импульсных источниках питания, драйверах двигателей, DC-DC преобразователях и инверторах.

Мы предлагаем качественные униполярные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте высокую эффективность и надёжность — выбирайте профессиональные MOSFET на 7-el.ru!

0.0
FDG6301N-F085
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSC70-6, SC88, SOT363 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
‍46‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FDG6301N-F085, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 25В; 0,22А; 0,3Вт" 3.

0.0
FDG6301N
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,4нC КорпусSC70-6, SC88, SOT363 МонтажSMD
‍56‍ 
Доступность: 273 шт.
+

Минимальное количество для товара "FDG6301N, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 25В; 0,22А; 0,3Вт" 1.

0.0
FDG6303N
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,3нC КорпусSC70-6, SC88, SOT363 МонтажSMD
‍78‍ 
Доступность: 834 шт.
+

Минимальное количество для товара "FDG6303N, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 25В; 500мА; Idm: 1,3А; 0,3Вт" 5.

0.0
FDG6304P
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,5нC КорпусSC70-6, SC88, SOT363 МонтажSMD
‍149‍ 
Доступность: 1230 шт.
+

Минимальное количество для товара "FDG6304P, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -25В; -0,41А; 0,3Вт" 1.

0.0
FDG6308P
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,5нC КорпусSC70-6, SC88, SOT363 МонтажSMD
‍50‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FDG6308P, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -0,6А; 0,3Вт" 3.

0.0
FDG6317NZ
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSC70-6, SC88, SOT363 МонтажSMD
‍73‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FDG6317NZ, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 0,7А; 0,3Вт; ESD" 1.

0.0
FDG6321C
Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,3/1,5нC КорпусSC70-6, SC88, SOT363
‍110‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FDG6321C, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 25/-25В" 1.

0.0
FDG6322C
Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,4/1,5нC КорпусSC70-6, SC88, SOT363
‍65‍ 
Доступность: 701 шт.
+

Минимальное количество для товара "FDG6322C, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 25/-25В" 1.

0.0
FDG6335N
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,4нC КорпусSC70-6, SC88, SOT363 МонтажSMD
‍135‍ 
Доступность: 477 шт.
+

Минимальное количество для товара "FDG6335N, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 0,7А; 0,3Вт" 1.

0.0
FDG8850NZ
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,44нC КорпусSC70-6, SC88, SOT363 МонтажSMD
‍113‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FDG8850NZ, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 0,75А; 0,36Вт" 1.

0.0
FDH047AN08A0
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора138нC КорпусTO247 МонтажTHT
1 177 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FDH047AN08A0, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 75В; 80А; 310Вт; TO247" 1.

0.0
FDH055N15A
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO247 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
1 163 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FDH055N15A, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 118А; 429Вт; TO247" 1.

0.0
FDH210N08
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора301нC КорпусTO247 МонтажTHT
1 078 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FDH210N08, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 75В; 132А; Idm: 840А; 462Вт; TO247" 1.

0.0
FDH3632
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора110нC КорпусTO247 МонтажTHT
‍854‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FDH3632, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 800мА; 310Вт; TO247" 1.

0.0
FDH44N50
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора108нC КорпусTO247 МонтажTHT
1 553 
Доступность: 231 шт.
+

Минимальное количество для товара "FDH44N50, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 44А; 750Вт; TO247" 1.

0.0
FDL100N50F
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора238нC КорпусTO264 МонтажTHT
3 015 
Доступность: 23 шт.
+

Минимальное количество для товара "FDL100N50F, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 100А; 2500Вт; TO264" 1.

0.0
FDM47-06KC5
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора150нC Конструкция диодадиод/транзистор КорпусISOPLUS i4-pac™ x024a
1 511 
Доступность: 21 шт.
+

Минимальное количество для товара "FDM47-06KC5, Транзистор: N-MOSFET; HiPerDynFRED; полевой; 600В; 32А" 1.

0.0
FDMA037N08LC
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9нC КорпусWDFN6 МонтажSMD
‍236‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FDMA037N08LC, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 6А; Idm: 55А; 2,4Вт; WDFN6" 1.

0.0
FDMA1024NZ
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,3нC КорпусWDFN6 МонтажSMD
‍287‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FDMA1024NZ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 5А; Idm: 6А; 1,4Вт; WDFN6" 1.

0.0
FDMA1027P
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6нC КорпусMicroFET МонтажSMD
‍222‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FDMA1027P, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -3А; Idm: -6А; MicroFET" 1.

0.0
FDMA1029PZ
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC КорпусMicroFET МонтажSMD
‍153‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FDMA1029PZ, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -3,1А; Idm: -6А; 1,4Вт" 1.

0.0
FDMA2002NZ
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3нC КорпусMicroFET
‍159‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FDMA2002NZ, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 2,9А; Idm: 10А; 1,5Вт; ESD" 1.

0.0
FDMA291P
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14нC КорпусMicroFET МонтажSMD
‍107‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FDMA291P, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -6,6А; 2,4Вт; MicroFET" 1.

0.0
FDMA410NZ
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусWDFN6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
‍192‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FDMA410NZ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 9,5А; 2,4Вт; WDFN6" 1.

Показать еще 24 товара
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (39)