Транзисторы униполярные

Производитель

Униполярные транзисторы (полевые транзисторы, FET) — это полупроводниковые приборы, в которых управление током осуществляется электрическим полем через изолированный затвор.

В отличие от биполярных, они потребляют почти нулевой ток управления, что делает их идеальными для высокочастотных, энергоэффективных и цифровых схем.

Наиболее распространённый тип — **MOSFET** (Metal-Oxide-Semiconductor FET), широко используемый в импульсных источниках питания, драйверах двигателей, DC-DC преобразователях и инверторах.

Мы предлагаем качественные униполярные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте высокую эффективность и надёжность — выбирайте профессиональные MOSFET на 7-el.ru!

0.0
G2R1000MT17J
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток-5...20В
1 070 
Доступность: 188 шт.
+

Минимальное количество для товара "G2R1000MT17J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 4А; Idm: 8А; 54Вт; TO263-7" 1.

0.0
G3R160MT12D
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора28нC КорпусTO247-3 МонтажTHT
1 085 
Доступность: 845 шт.
+

Минимальное количество для товара "G3R160MT12D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 16А; Idm: 40А; 123Вт" 1.

0.0
G3R160MT17D
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора21нC КорпусTO247-3 МонтажTHT
1 903 
Доступность: 388 шт.
+

Минимальное количество для товара "G3R160MT17D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 15А; Idm: 48А; 175Вт" 1.

0.0
G3R160MT17J
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора51нC КорпусTO263-7 МонтажSMD
2 258 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "G3R160MT17J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 15А; Idm: 48А; 187Вт" 1.

0.0
G3R20MT12K
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора219нC КорпусTO247-4 МонтажTHT
6 112 
Доступность: 569 шт.
+

Минимальное количество для товара "G3R20MT12K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 90А; Idm: 240А; 542Вт" 1.

0.0
G3R20MT12N
Вид каналаобогащенный Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток-5...15В
9 348 
Доступность: 110 шт.
+

Минимальное количество для товара "G3R20MT12N, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 74А; SOT227B; винтами; 365Вт" 1.

0.0
G3R20MT17K
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора400нC КорпусTO247-4 МонтажTHT
18 441 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "G3R20MT17K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 88А; Idm: 300А; 809Вт" 1.

0.0
G3R20MT17N
Вид каналаобогащенный Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток-5...15В
19 151 
Доступность: 2 шт.
+

Минимальное количество для товара "G3R20MT17N, Модуль; одиночный транзистор; 1,7кВ; 70А; SOT227B; винтами; 523Вт" 1.

0.0
G3R30MT12J
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора155нC КорпусTO263-7 МонтажSMD
3 990 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "G3R30MT12J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 68А; Idm: 200А; 459Вт" 1.

0.0
G3R30MT12K
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора155нC КорпусTO247-4 МонтажTHT
3 815 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "G3R30MT12K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 63А; Idm: 200А; 400Вт" 1.

0.0
G3R350MT12D
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора12нC КорпусTO247-3 МонтажTHT
‍628‍ 
Доступность: 374 шт.
+

Минимальное количество для товара "G3R350MT12D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 8А; Idm: 16А; 74Вт" 1.

0.0
G3R350MT12J
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора12нC КорпусTO263-7 МонтажSMD
‍747‍ 
Доступность: 728 шт.
+

Минимальное количество для товара "G3R350MT12J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 8А; Idm: 16А; 75Вт" 1.

0.0
G3R40MT12D
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора106нC КорпусTO247-3 МонтажTHT
2 898 
Доступность: 671 шт.
+

Минимальное количество для товара "G3R40MT12D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 50А; Idm: 140А; 333Вт" 1.

0.0
G3R40MT12K
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора106нC КорпусTO247-4 МонтажTHT
2 513 
Доступность: 279 шт.
+

Минимальное количество для товара "G3R40MT12K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 50А; Idm: 140А; 333Вт" 1.

0.0
G3R450MT17D
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора18нC КорпусTO247-3 МонтажTHT
1 199 
Доступность: 407 шт.
+

Минимальное количество для товара "G3R450MT17D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 6А; Idm: 16А; 88Вт" 1.

0.0
G3R450MT17J
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора18нC КорпусTO263-7 МонтажSMD
1 039 
Доступность: 841 шт.
+

Минимальное количество для товара "G3R450MT17J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 6А; Idm: 16А; 91Вт" 1.

0.0
G3R45MT17D
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора182нC КорпусTO247-3 МонтажTHT
4 537 
Доступность: 12 шт.
+

Минимальное количество для товара "G3R45MT17D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 43А; Idm: 160А; 438Вт" 1.

0.0
G3R45MT17K
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора182нC КорпусTO247-4 МонтажTHT
5 499 
Доступность: 305 шт.
+

Минимальное количество для товара "G3R45MT17K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 43А; Idm: 160А; 438Вт" 1.

0.0
G3R75MT12D
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора54нC КорпусTO247-3 МонтажTHT
1 747 
Доступность: 91 шт.
+

Минимальное количество для товара "G3R75MT12D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 29А; Idm: 80А; 207Вт" 1.

0.0
G3R75MT12K
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора54нC КорпусTO247-4 МонтажTHT
1 479 
Доступность: 461 шт.
+

Минимальное количество для товара "G3R75MT12K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 29А; Idm: 80А; 207Вт" 1.

0.0
GAN041-650WSBQ
Вид транзистораHEMT, каскодный Вид упаковкитуба Заряд затвора22нC КорпусSOT429, TO247 МонтажTHT
1 767 
Доступность: 36 шт.
+

Минимальное количество для товара "GAN041-650WSBQ, Транзистор: N-JFET/N-MOSFET; GaN; полевой; HEMT,каскодный; 650В" 1.

0.0
GAN063-650WSAQ
Вид транзистораHEMT, каскодный Вид упаковкитуба Заряд затвора15нC КорпусSOT429, TO247 МонтажTHT
3 146 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GAN063-650WSAQ, Транзистор: N-JFET/N-MOSFET; GaN; полевой; HEMT,каскодный; 650В" 1.

0.0
HP8KA1TB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора24нC Конструкция диодаобщий сток КорпусHSOP8
‍224‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "HP8KA1TB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 14А; Idm: 28А; 3Вт; HSOP8" 1.

0.0
HP8MA2TB1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22/25нC КорпусHSOP8 МонтажSMD
‍272‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "HP8MA2TB1, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 18/-15А; Idm: 48А; 7Вт" 1.

Показать еще 24 товара
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (39)