Транзисторы униполярные

Производитель

Униполярные транзисторы (полевые транзисторы, FET) — это полупроводниковые приборы, в которых управление током осуществляется электрическим полем через изолированный затвор.

В отличие от биполярных, они потребляют почти нулевой ток управления, что делает их идеальными для высокочастотных, энергоэффективных и цифровых схем.

Наиболее распространённый тип — **MOSFET** (Metal-Oxide-Semiconductor FET), широко используемый в импульсных источниках питания, драйверах двигателей, DC-DC преобразователях и инверторах.

Мы предлагаем качественные униполярные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте высокую эффективность и надёжность — выбирайте профессиональные MOSFET на 7-el.ru!

0.0
IPD65R600C6BTMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
‍224‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IPD65R600C6BTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 7,3А; 63Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
IPD65R600E6ATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
‍224‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IPD65R600E6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 7,3А; 63Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
IPD65R600E6BTMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
‍224‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IPD65R600E6BTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 7,3А; 63Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
IPD65R660CFDATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
‍380‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IPD65R660CFDATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 6А; 62,5Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
IPD65R660CFDBTMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
‍234‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IPD65R660CFDBTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 6А; 62,5Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
IPD65R950CFDATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
‍287‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IPD65R950CFDATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 3,9А; 36,7Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
IPD65R950CFDBTMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
‍168‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IPD65R950CFDBTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 3,9А; 36,7Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
IPD70R1K4CE
Вид каналаобогащенный Заряд затвора10,5нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
‍166‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IPD70R1K4CEAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 3,4А; 53Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
IPD70R1K4P7S
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±16В Напряжение сток-исток700В
‍126‍ 
Доступность: 2494 шт.
+

Минимальное количество для товара "IPD70R1K4P7SAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 2,5А; 22,7Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
IPD70R2K0CE
Вид каналаобогащенный Заряд затвора7,8нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
‍133‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IPD70R2K0CEAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 2,6А; 42Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
IPD70R360P7S
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±16В Напряжение сток-исток700В
‍151‍ 
Доступность: 1545 шт.
+

Минимальное количество для товара "IPD70R360P7SAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 7,5А; 59,5Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
IPD70R900P7S
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±16В Напряжение сток-исток700В
‍49‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IPD70R900P7SAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 3,5А; 30,5Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
IPD78CN10NGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
‍140‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IPD78CN10NGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 13А; 31Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
IPD80R1K2P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора11нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD
‍138‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IPD80R1K2P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 3,1А; 37Вт; PG-TO252-3; ESD" 1.

0.0
IPD80R1K4CEATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток800В
‍239‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IPD80R1K4CEATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 2,3А; 63Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
IPD80R1K4P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
‍151‍ 
Доступность: 2450 шт.
+

Минимальное количество для товара "IPD80R1K4P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 2,7А; 32Вт; PG-TO252-3; ESD" 1.

0.0
IPD80R280P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
‍509‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IPD80R280P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 10,6А; 101Вт; PG-TO252-3; ESD" 1.

0.0
IPD80R2K0P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора9нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD
‍166‍ 
Доступность: 1464 шт.
+

Минимальное количество для товара "IPD80R2K0P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,9А; 24Вт; PG-TO252-3; ESD" 1.

0.0
IPD80R2K4P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора7,5нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD
‍160‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IPD80R2K4P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,7А; 22Вт; PG-TO252-3; ESD" 1.

0.0
IPD80R360P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора30нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD
‍382‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IPD80R360P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 8,6А; 84Вт; PG-TO252-3; ESD" 1.

0.0
IPD80R3K3P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора6нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD
‍106‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IPD80R3K3P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,3А; 18Вт; PG-TO252-3; ESD" 1.

0.0
IPD80R4K5P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора17нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD
‍153‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IPD80R4K5P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1А; 13Вт; PG-TO252-3; ESD" 1.

0.0
IPD80R900P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора15нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD
‍274‍ 
Доступность: 2480 шт.
+

Минимальное количество для товара "IPD80R900P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 3,9А; 45Вт; PG-TO252-3; ESD" 1.

0.0
IPD90N04S404
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора20нC КорпусPG-TO252-3-313 МонтажSMD
‍219‍ 
Доступность: 2320 шт.
+

Минимальное количество для товара "IPD90N04S404ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; полевой; 40В; 81А; Idm: 360А" 1.

Показать еще 24 товара
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (39)