Транзисторы униполярные

Производитель

Униполярные транзисторы (полевые транзисторы, FET) — это полупроводниковые приборы, в которых управление током осуществляется электрическим полем через изолированный затвор.

В отличие от биполярных, они потребляют почти нулевой ток управления, что делает их идеальными для высокочастотных, энергоэффективных и цифровых схем.

Наиболее распространённый тип — **MOSFET** (Metal-Oxide-Semiconductor FET), широко используемый в импульсных источниках питания, драйверах двигателей, DC-DC преобразователях и инверторах.

Мы предлагаем качественные униполярные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте высокую эффективность и надёжность — выбирайте профессиональные MOSFET на 7-el.ru!

0.0
IPD90N04S405ATMA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора18нC КорпусPG-TO252-3-313 МонтажSMD
‍149‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IPD90N04S405ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; полевой; 40В; 61А; Idm: 344А" 1.

0.0
IPD90R1K2C3ATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток900В
‍275‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IPD90R1K2C3ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 900В; 3,2А; 83Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
IPD90R1K2C3BTMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток900В
‍221‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IPD90R1K2C3BTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 900В; 3,2А; 83Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
IPD95R450P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора35нC КорпусDPAK
‍479‍ 
Доступность: 1476 шт.
+

Минимальное количество для товара "IPD95R450P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 950В; 8,6А; 104Вт; DPAK; ESD" 1.

0.0
IPDD60R050G7XTMA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора68нC КорпусPG-HDSOP-10-1 МонтажSMD
1 224 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IPDD60R050G7XTMA1, Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; полевой; 600В; 47А; Idm: 135А" 1.

0.0
IPDD60R080G7XTMA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора42нC КорпусPG-HDSOP-10-1 МонтажSMD
1 177 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IPDD60R080G7XTMA1, Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; полевой; 600В; 29А; Idm: 83А" 1.

0.0
IPDD60R102G7XTMA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора34нC КорпусPG-HDSOP-10-1 МонтажSMD
‍868‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IPDD60R102G7XTMA1, Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; полевой; 600В; 23А; Idm: 66А" 1.

0.0
IPDD60R125G7XTMA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора27нC КорпусPG-HDSOP-10-1 МонтажSMD
‍667‍ 
Доступность: 47 шт.
+

Минимальное количество для товара "IPDD60R125G7XTMA1, Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; полевой; 600В; 20А; Idm: 54А" 1.

0.0
IPDD60R150G7XTMA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23нC КорпусPG-HDSOP-10-1 МонтажSMD
‍569‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IPDD60R150G7XTMA1, Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; полевой; 600В; 16А; Idm: 45А" 1.

0.0
IPDD60R190G7XTMA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC КорпусPG-HDSOP-10-1 МонтажSMD
‍509‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IPDD60R190G7XTMA1, Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; полевой; 600В; 13А; Idm: 36А" 1.

0.0
IPG20N04S408
Вид каналаобогащенный Заряд затвора28нC КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
‍285‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IPG20N04S408ATMA1, Транзистор: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; полевой; 40В; 20А; 65Вт" 1.

0.0
IPG20N04S409
Вид каналаобогащенный Заряд затвора21,7нC КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
‍147‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IPG20N04S409ATMA1, Транзистор: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; полевой; 40В; 20А; 54Вт" 1.

0.0
IPI020N06NAKSA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO262-3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
‍681‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IPI020N06NAKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 120А; 214Вт; PG-TO262-3" 1.

0.0
IPI024N06N3GXKSA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO262-3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
‍401‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IPI024N06N3GXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 120А; 250Вт; PG-TO262-3" 1.

0.0
IPI029N06NAKSA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO262-3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
‍426‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IPI029N06NAKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; 136Вт; PG-TO262-3" 1.

0.0
IPI030N10N3GXKSA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO262-3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
‍803‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IPI030N10N3GXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 100А; 300Вт; PG-TO262-3" 1.

0.0
IPI032N06N3GAKSA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO262-3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
‍345‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IPI032N06N3GAKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 120А; 188Вт; PG-TO262-3" 1.

0.0
IPI040N06N3GXKSA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO262-3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
‍209‍ 
Доступность: 348 шт.
+

Минимальное количество для товара "IPI040N06N3GXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 90А; 188Вт; PG-TO262-3" 1.

0.0
IPI041N12N3GAKSA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO262-3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток120В
1 012 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IPI041N12N3GAKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 120В; 120А; 300Вт; PG-TO262-3" 1.

0.0
IPI045N10N3GXKSA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO262-3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
‍711‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IPI045N10N3GXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 100А; 214Вт; PG-TO262-3" 1.

0.0
IPI075N15N3GXKSA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO262-3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток150В
‍966‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IPI075N15N3GXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 100А; 300Вт; PG-TO262-3" 1.

0.0
IPI076N12N3GAKSA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO262-3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток120В
‍659‍ 
Доступность: 150 шт.
+

Минимальное количество для товара "IPI076N12N3GAKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 120В; 100А; 168Вт; PG-TO262-3" 1.

0.0
IPI086N10N3GXKSA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO262-3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
‍355‍ 
Доступность: 138 шт.
+

Минимальное количество для товара "IPI086N10N3GXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 80А; 125Вт; PG-TO262-3" 1.

0.0
IPI111N15N3GAKSA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO262-3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток150В
‍951‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IPI111N15N3GAKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 83А; 214Вт; PG-TO262-3" 1.

Показать еще 24 товара
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (39)