Товары из категории транзисторы униполярные - страница 247

Производитель
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563F МонтажSMD
105.50 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDY1002PZ, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -0,83А; 0,625Вт; SOT563F" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,4нC КорпусSOT523 МонтажSMD
68.04 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDY100PZ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,35А; 0,625Вт; SOT523" 5.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,1нC КорпусSOT523 МонтажSMD
71.87 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDY300NZ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,6А; 0,625Вт; SOT523" 5.

Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563F МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDY4000CZ, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 20/-20В" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-EASY1BM-2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток-10...20В Напряжение сток-исток1,2кВ
17 480.89 
Доступность: 1 шт.
 

Минимальное количество для товара "FF45MR12W1M1B11BOMA1, Модуль; транзистор/транзистор; 1,2кВ; 25А; AG-EASY1BM-2; Idm: 50А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора40нC Конструкция диодадиод/транзистор КорпусISOPLUS i4-pac™ x024a
3 055.81 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FMD15-06KC5, Транзистор: N-MOSFET; HiPerDynFRED; полевой; 600В; 15А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора150нC Конструкция диодадиод/транзистор КорпусISOPLUS i4-pac™ x024a
5 010.70 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FMD47-06KC5, Транзистор: N-MOSFET; HiPerDynFRED; полевой; 600В; 32А" 3.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности66нс Заряд затвора178нC Конструкция диодадва последовательных диода
4 088.69 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FMM150-0075X2F, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchT2™; полевой; 75В; 120А; Idm: 500А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности200нс Заряд затвора50нC Конструкция диодадва последовательных диода
4 792.05 
Доступность: 23 шт.
 

Минимальное количество для товара "FMM22-05PF, Транзистор: N-MOSFET x2; PolarHV™; полевой; 500В; 13А; Idm: 55А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности200нс Заряд затвора58нC Конструкция диодадва последовательных диода
4 353.21 
Доступность: 25 шт.
 

Минимальное количество для товара "FMM22-06PF, Транзистор: N-MOSFET x2; PolarHV™; полевой; 600В; 12А; Idm: 66А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности84нс Заряд затвора78нC Конструкция диодадва последовательных диода
4 349.39 
Доступность: 25 шт.
 

Минимальное количество для товара "FMM50-025TF, Транзистор: N-MOSFET x2; Trench; полевой; 250В; 30А; Idm: 130А; 84нс" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности300нс Заряд затвора180нC Конструкция диодадва последовательных диода
4 531.35 
Доступность: 25 шт.
 

Минимальное количество для товара "FMM75-01F, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 100В; 75А; 300нс" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора56нC КорпусTO3PN МонтажTHT
573.39 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FQA13N50C-F109, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 8,5А; Idm: 54А; 218Вт; TO3PN" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора88нC КорпусTO3PN МонтажTHT
1 116.97 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FQA13N80-F109, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 8А; Idm: 50,4А; 300Вт; TO3PN" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора285нC КорпусTO3PN МонтажTHT
1 263.00 
Доступность: 12 шт.
 

Минимальное количество для товара "FQA140N10, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 99А; Idm: 560А; 375Вт; TO3PN" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора145нC КорпусTO3PN МонтажTHT
1 234.71 
Доступность: 17 шт.
 

Минимальное количество для товара "FQA24N60, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 14,9А; 310Вт; TO3PN" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора105нC КорпусTO3PN МонтажTHT
780.58 
Доступность: 517 шт.
 

Минимальное количество для товара "FQA36P15, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -150В; -25,5А; 294Вт; TO3PN" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора110нC КорпусTO3PN МонтажTHT
707.95 
Доступность: 441 шт.
 

Минимальное количество для товара "FQA40N25, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 25А; Idm: 160А; 280Вт; TO3PN" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора11нC КорпусTO3PN МонтажTHT
499.24 
Доступность: 69 шт.
 

Минимальное количество для товара "FQA70N10, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 49,5А; 214Вт; TO3PN" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO3PN МонтажTHT Напряжение затвор-исток±30В
1 014.53 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FQA8N100C, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1000В; 5А; 225Вт; TO3PN" 1.

Показать еще 20 товаров

Униполярные транзисторы (полевые транзисторы, FET) — это полупроводниковые приборы, в которых управление током осуществляется электрическим полем через изолированный затвор.

В отличие от биполярных, они потребляют почти нулевой ток управления, что делает их идеальными для высокочастотных, энергоэффективных и цифровых схем.

Наиболее распространённый тип — **MOSFET** (Metal-Oxide-Semiconductor FET), широко используемый в импульсных источниках питания, драйверах двигателей, DC-DC преобразователях и инверторах.

Мы предлагаем качественные униполярные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте высокую эффективность и надёжность — выбирайте профессиональные MOSFET на 7-el.ru!

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж