Товары из категории транзисторы униполярные - страница 260

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора33нC КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IAUC120N04S6N009ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; полевой; 40В; 120А; Idm: 480А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора51,5нC КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IAUC120N06S5L032ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 21А; Idm: 364А; 94Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора95,9нC КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IAUC120N06S5N017ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 30А; Idm: 757А; 167Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IAUC24N10S5L300ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 16А; Idm: 96А; 38Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IAUC26N10S5L245ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 7А; Idm: 104А; 40Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IAUC28N08S5L230ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 20А; Idm: 112А; 38Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18,6нC КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IAUC40N08S5L140ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 28А; Idm: 160А; 56Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16,4нC КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IAUC41N06S5L100ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 12А; Idm: 115А; 42Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16,3нC КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IAUC41N06S5N102ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 13А; Idm: 121А; 42Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IAUC45N04S6L063HATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; полевой; 40В; 15А; Idm: 134А; 41Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IAUC45N04S6N070HATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; полевой; 40В; 14А; Idm: 119А; 41Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора29нC КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IAUC50N08S5L096ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 16А; Idm: 200А; 60Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IAUC50N08S5N102ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 12А; Idm: 200А; 60Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора35нC КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IAUC60N04S6L030HATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; полевой; 40В; 22А; Idm: 311А; 75Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IAUC60N04S6L039ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; полевой; 40В; 54А; Idm: 240А; 42Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19нC КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IAUC60N04S6L045HATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; полевой; 40В; 18А; Idm: 193А; 52Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IAUC60N04S6N031HATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; полевой; 40В; 22А; Idm: 311А; 75Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IAUC60N04S6N044ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; полевой; 40В; 50А; Idm: 240А; 42Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17нC КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IAUC60N04S6N050HATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; полевой; 40В; 16А; Idm: 171А; 52Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22,6нC КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IAUC60N06S5L073ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 15А; Idm: 168А; 52Вт; PG-TDSON-8" 1.

Показать еще 20 товаров

Униполярные транзисторы (полевые транзисторы, FET) — это полупроводниковые приборы, в которых управление током осуществляется электрическим полем через изолированный затвор.

В отличие от биполярных, они потребляют почти нулевой ток управления, что делает их идеальными для высокочастотных, энергоэффективных и цифровых схем.

Наиболее распространённый тип — **MOSFET** (Metal-Oxide-Semiconductor FET), широко используемый в импульсных источниках питания, драйверах двигателей, DC-DC преобразователях и инверторах.

Мы предлагаем качественные униполярные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте высокую эффективность и надёжность — выбирайте профессиональные MOSFET на 7-el.ru!

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж