Товары из категории транзисторы униполярные - страница 312

Производитель
Вид каналаобогащенный КорпусDirectFET МонтажSMD Напряжение сток-исток60В Обозначение производителяIRF7748L1TRPBF
486.24 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IRF7748L1TRPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 28А; 3,3Вт; DirectFET" 4000.

Вид каналаобогащенный КорпусDirectFET МонтажSMD Напряжение сток-исток60В Обозначение производителяIRF7749L1TRPBF
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IRF7749L1TRPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 33А; 3,3Вт; DirectFET" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусDirectFET МонтажSMD Напряжение сток-исток60В
535.17 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IRF7749L2TRPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 33А; 125Вт; DirectFET" 4000.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора200нC КорпусDirectFET МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
486.24 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IRF7759L2TRPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 75В; 26А; 125Вт; DirectFET" 4000.

Вид каналаобогащенный КорпусDirectFET МонтажSMD Напряжение сток-исток100В Обозначение производителяIRF7769L1TRPBF
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IRF7769L1TRPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 20А; 3,3Вт; DirectFET" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусDirectFET МонтажSMD Напряжение сток-исток100В
501.53 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IRF7769L2TRPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 124А; 125Вт; DirectFET" 4000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусDirectFET МонтажSMD Напряжение сток-исток150В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IRF7779L2TRPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 67А; 125Вт; DirectFET" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
90.98 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IRF7805TRPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 13А; 2,5Вт; SO8" 4000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
67.28 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IRF7805ZTRPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 16А; 2,5Вт; SO8" 4000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение сток-исток30В
55.81 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IRF7807VTRPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 8,3А; 2,5Вт; SO8" 4000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение сток-исток30В
50.46 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IRF7807ZTRPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 11А; 2,5Вт; SO8" 4000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение сток-исток30В
70.34 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IRF7809AVTRPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 13,3А; 2,5Вт; SO8" 4000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение сток-исток30В
49.69 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IRF7811AVTRPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 14А; 3,5Вт; SO8" 4000.

Вид каналаобогащенный КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение сток-исток150В Обозначение производителяIRF7815TRPBF
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IRF7815TRPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 5,1А; 2,5Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение сток-исток30В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IRF7821TRPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 13,6А; 2,5Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение сток-исток30В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IRF7831TRPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 21А; 2,5Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение сток-исток30В
125.38 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IRF7832TRPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 20А; 2,5Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение сток-исток30В
87.16 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IRF7834TRPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 19А; 2,5Вт; SO8" 4000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение сток-исток40В
260.70 
Доступность: 1652 шт.
 

Минимальное количество для товара "IRF7842TRPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 18А; 2,5Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение сток-исток100В
206.42 
Доступность: 2398 шт.
 

Минимальное количество для товара "IRF7853TRPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 8,3А; 2,5Вт; SO8" 1.

Показать еще 20 товаров

Униполярные транзисторы (полевые транзисторы, FET) — это полупроводниковые приборы, в которых управление током осуществляется электрическим полем через изолированный затвор.

В отличие от биполярных, они потребляют почти нулевой ток управления, что делает их идеальными для высокочастотных, энергоэффективных и цифровых схем.

Наиболее распространённый тип — **MOSFET** (Metal-Oxide-Semiconductor FET), широко используемый в импульсных источниках питания, драйверах двигателей, DC-DC преобразователях и инверторах.

Мы предлагаем качественные униполярные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте высокую эффективность и надёжность — выбирайте профессиональные MOSFET на 7-el.ru!

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж