Товары из категории транзисторы униполярные - страница 430

Производитель
Конструкция диодадиод SiC/транзистор КорпусSP6P Механический монтажвинтами Напряжение сток-исток700В Обозначение производителяMSCSM70TAM10CTPAG
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MSCSM70TAM10CTPAG, Модуль; диод SiC/транзистор; 700В; 189А; SP6P; Press-in PCB; 674Вт" 1.

Конструкция диодадиод SiC/транзистор КорпусSP3F Механический монтажвинтами Напряжение сток-исток700В Обозначение производителяMSCSM70TAM19CT3AG
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MSCSM70TAM19CT3AG, Модуль; диод SiC/транзистор; 700В; 98А; SP3F; Press-in PCB; 365Вт" 1.

Конструкция диодаSiC диод/тиристор/транзистор КорпусSP4 Механический монтажвинтами Напряжение сток-исток700В Обозначение производителяMSCSM70VM10C4AG
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MSCSM70VM10C4AG, Модуль; SiC диод/тиристор/транзистор; 700В; 189А; SP4; Idm: 476А" 1.

Конструкция диодаSiC диод/тиристор/транзистор КорпусSP3F Механический монтажвинтами Напряжение сток-исток700В Обозначение производителяMSCSM70VM19C3AG
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MSCSM70VM19C3AG, Модуль; SiC диод/тиристор/транзистор; 700В; 98А; SP3F; Idm: 250А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора47,3нC КорпусTO247-3 МонтажTHT
1 695.72 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MXP120A080FW-GE3, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 18А; Idm: 58А; 56Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,5/2,2нC КорпусSuperSOT-6
77.22 
Доступность: 1138 шт.
 

Минимальное количество для товара "NDC7001C, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 60/-60В" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1нC КорпусSuperSOT-6 МонтажSMD
57.34 
Доступность: 2244 шт.
 

Минимальное количество для товара "NDC7002N, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 50В; 0,51А; 0,96Вт; SuperSOT-6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,2нC КорпусSuperSOT-6 МонтажSMD
49.69 
Доступность: 2410 шт.
 

Минимальное количество для товара "NDC7003P, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -60В; -0,34А; 0,96Вт; SuperSOT-6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора60нC КорпусTO220AB МонтажTHT
331.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NDP6060L, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 48А; 100Вт; TO220AB" 800.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,5нC КорпусSOT23 МонтажSMD
39.76 
Доступность: 9578 шт.
 

Минимальное количество для товара "NDS0605, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,18А; 0,36Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение сток-исток-60В
29.05 
Доступность: 375 шт.
 

Минимальное количество для товара "NDS0610, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,12А; 0,36Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,5нC КорпусSOT23 МонтажSMD
76.45 
Доступность: 1684 шт.
 

Минимальное количество для товара "NDS331N, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 1,3А; 0,5/0,46Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5нC КорпусSuperSOT-3 МонтажSMD
81.04 
Доступность: 2055 шт.
 

Минимальное количество для товара "NDS332P, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1А; 0,5Вт; SuperSOT-3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3нC КорпусSuperSOT-3 МонтажSMD
81.04 
Доступность: 64 шт.
 

Минимальное количество для товара "NDS352AP, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -0,9А; 0,5Вт; SuperSOT-3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5нC КорпусSOT23 МонтажSMD
90.98 
Доступность: 1080 шт.
 

Минимальное количество для товара "NDS355AN, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 1,7А; 0,5Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
23.70 
Доступность: 1006 шт.
 

Минимальное количество для товара "NDS7002A, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,28А; Idm: 1,5А; 0,3Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC КорпусSO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NDS9945, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 3,5А; 2Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC КорпусSO8 МонтажSMD
157.49 
Доступность: 1469 шт.
 

Минимальное количество для товара "NDS9948, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -60В; -2А; 2Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Вид упаковкибобина, лента КорпусSO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NDS9952A, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 30/-30В" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
126.15 
Доступность: 1842 шт.
 

Минимальное количество для товара "NDT2955, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -2,5А; 3Вт; SOT223" 1.

Показать еще 20 товаров

Униполярные транзисторы (полевые транзисторы, FET) — это полупроводниковые приборы, в которых управление током осуществляется электрическим полем через изолированный затвор.

В отличие от биполярных, они потребляют почти нулевой ток управления, что делает их идеальными для высокочастотных, энергоэффективных и цифровых схем.

Наиболее распространённый тип — **MOSFET** (Metal-Oxide-Semiconductor FET), широко используемый в импульсных источниках питания, драйверах двигателей, DC-DC преобразователях и инверторах.

Мы предлагаем качественные униполярные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте высокую эффективность и надёжность — выбирайте профессиональные MOSFET на 7-el.ru!

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж