Товары из категории транзисторы униполярные - страница 431

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC КорпусSOT223 МонтажSMD
174.31 
Доступность: 1573 шт.
 

Минимальное количество для товара "NDT3055L, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 4А; 3Вт; SOT223" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC КорпусSOT223 МонтажSMD
102.45 
Доступность: 3082 шт.
 

Минимальное количество для товара "NDT451AN, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 7,2А; 3Вт; SOT223" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
176.61 
Доступность: 3712 шт.
 

Минимальное количество для товара "NDT452AP, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -5А; 3Вт; SOT223" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO3PF МонтажTHT Напряжение затвор-исток±30В
568.81 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NDUL03N150CG, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1500В; 2,5А; 50Вт; TO3PF" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора95нC КорпусTO247-3 МонтажTHT
3 400.61 
Доступность: 21 шт.
 

Минимальное количество для товара "NSF040120L3A0Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 46А; Idm: 160А; 313Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора52нC КорпусTO247-3 МонтажTHT
1 830.28 
Доступность: 29 шт.
 

Минимальное количество для товара "NSF080120L3A0Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 25А; Idm: 80А; 183Вт" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSC75 МонтажSMD
41.28 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTA4001NT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,238А; 0,3Вт; SC75; ESD" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSC75 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±6В
35.17 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTA4151PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,76А; 0,301Вт; SC75" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,82нC КорпусSC75
48.17 
Доступность: 2413 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTA4153NT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,915А; 0,3Вт; SC75; ESD" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSC75 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±10В
29.82 
Доступность: 2965 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTA7002NT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 0,154А; 0,3Вт; SC75" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение затвор-исток±15В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTB25P06T4G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -27,5А; 120Вт; D2PAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,8нC КорпусDPAK МонтажSMD
61.93 
Доступность: 2497 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTD14N03RT4G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 2,5А; Idm: 28А; 20,8Вт; DPAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусDPAK МонтажSMD Напряжение затвор-исток±15В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTD18N06LT4G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 10А; 55Вт; DPAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусDPAK МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTD20N03L27T4G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 16А; 74Вт; DPAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21,2нC КорпусDPAK МонтажSMD
222.48 
Доступность: 2477 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTD20N06T4G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 10А; Idm: 60А; 60Вт; DPAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора26нC КорпусDPAK МонтажSMD
157.49 
Доступность: 2425 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTD20P06LT4G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -15,5А; 65Вт; DPAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16нC КорпусDPAK МонтажSMD
237.00 
Доступность: 2455 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTD24N06LT4G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 24А; 62,5Вт; DPAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC КорпусDPAK МонтажSMD
183.49 
Доступность: 668 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTD25P03LT4G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -25А; 75Вт; DPAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC КорпусDPAK МонтажSMD
172.02 
Доступность: 523 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTD3055L104T4G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 12А; Idm: 45А; 48Вт; DPAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусDPAK МонтажSMD Напряжение затвор-исток±15В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTD3055L170T4G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 3А; 28,5Вт; DPAK" 1.

Показать еще 20 товаров

Униполярные транзисторы (полевые транзисторы, FET) — это полупроводниковые приборы, в которых управление током осуществляется электрическим полем через изолированный затвор.

В отличие от биполярных, они потребляют почти нулевой ток управления, что делает их идеальными для высокочастотных, энергоэффективных и цифровых схем.

Наиболее распространённый тип — **MOSFET** (Metal-Oxide-Semiconductor FET), широко используемый в импульсных источниках питания, драйверах двигателей, DC-DC преобразователях и инверторах.

Мы предлагаем качественные униполярные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте высокую эффективность и надёжность — выбирайте профессиональные MOSFET на 7-el.ru!

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж