Товары из категории транзисторы униполярные - страница 439

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусDFN5x6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
61.93 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTMFS5C673NLT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 35А; 23Вт; DFN5x6" 1500.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
114.68 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTMS10P02R2G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -8А; 2,5Вт; SO8" 2500.

0.0
NTPF190N65S3HF-ONS
Обозначение производителяNTPF190N65S3HF ПроизводительONSEMI Тип транзистораN-MOSFET
426.61 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTPF190N65S3HF, Транзистор: N-MOSFET" 31.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,18нC КорпусSOT23 МонтажSMD
16.06 
Доступность: 988 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTR0202PLT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,4А; 0,225Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,1нC КорпусSOT23 МонтажSMD
50.46 
Доступность: 2205 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTR1P02LT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,3А; 0,4Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTR1P02LT3G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,3А; 0,4Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
35.93 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTR1P02T1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1А; 0,4Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
58.87 
Доступность: 1431 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTR2101PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -8В; -3А; 0,96Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
71.87 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTR3A052PZT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,6А; 0,72Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
58.87 
Доступность: 2975 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTR3C21NZT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 2,6А; 0,47Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,15нC КорпусSOT23 МонтажSMD
10.70 
Доступность: 2185 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTR4003NT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 0,56А; 0,69Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
6.88 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTR4003NT3G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 0,4А; 0,83Вт; SOT23" 10000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,5нC КорпусSOT23 МонтажSMD
28.29 
Доступность: 5210 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTR4101PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,7А; 0,21Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
60.40 
Доступность: 2500 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTR4170NT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 1,7А; 0,48Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,4нC КорпусSOT23 МонтажSMD
81.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTR4171PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -1,5А; 1,25Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6нC КорпусSOT23 МонтажSMD
43.58 
Доступность: 371 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTR4501NT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 2,4А; Idm: 10А; 1,25Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6нC КорпусSOT23 МонтажSMD
32.11 
Доступность: 2854 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTR4502PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -1,56А; 1,25Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,81нC КорпусSOT23 МонтажSMD
25.23 
Доступность: 1268 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTR5103NT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,31А; 0,42Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
29.82 
Доступность: 1094 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTR5105PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,141А; 0,347Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
52.75 
Доступность: 1300 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTR5198NLT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 1,6А; 0,6Вт; SOT23" 1.

Показать еще 20 товаров

Униполярные транзисторы (полевые транзисторы, FET) — это полупроводниковые приборы, в которых управление током осуществляется электрическим полем через изолированный затвор.

В отличие от биполярных, они потребляют почти нулевой ток управления, что делает их идеальными для высокочастотных, энергоэффективных и цифровых схем.

Наиболее распространённый тип — **MOSFET** (Metal-Oxide-Semiconductor FET), широко используемый в импульсных источниках питания, драйверах двигателей, DC-DC преобразователях и инверторах.

Мы предлагаем качественные униполярные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте высокую эффективность и надёжность — выбирайте профессиональные MOSFET на 7-el.ru!

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж