Товары из категории транзисторы униполярные - страница 440

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTRV4101PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,7А; 0,73Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSC70, SOT323 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
52.75 
Доступность: 385 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTS2101PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -8В; -1,1А; 0,29Вт; SC70,SOT323" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSC70, SOT323 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
25.23 
Доступность: 2789 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTS4001NT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 0,2А; 0,33Вт; SC70,SOT323" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,4нC КорпусSC70, SOT323 МонтажSMD
57.34 
Доступность: 2833 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTS4101PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,62А; 0,329Вт; SC70,SOT323" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10,1нC КорпусSC70, SOT323 МонтажSMD
61.16 
Доступность: 1826 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTS4173PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -0,8А; Idm: -5А; 290мВт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,2нC КорпусSC70, SOT323 МонтажSMD
63.46 
Доступность: 6 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTS4409NT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 0,75А; 0,28Вт; SC70,SOT323" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусWDFN8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTTFS5116PLTAG, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -14А; 20Вт; WDFN8" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT963
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTUD3169CZT5G, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 20/-20В" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT963 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTUD3170NZT5G, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 0,16А; 0,125Вт; SOT963; ESD" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,7нC КорпусSOT563 МонтажSMD
52.75 
Доступность: 1830 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTZD3152PT1G, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -0,43А; 0,25Вт; SOT563" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,5нC КорпусSOT563 МонтажSMD
67.28 
Доступность: 993 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTZD3154NT1G, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 0,54А; 0,25Вт; SOT563" 1.

Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,5/1,7нC КорпусSOT563F
48.93 
Доступность: 2988 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTZD3155CT1G, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 20/-20В" 5.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563F
53.52 
Доступность: 3459 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTZD3155CT2G, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 20/-20В" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563F МонтажSMD
55.05 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTZD5110NT1G, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,225А; 0,28Вт; SOT563F; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563F МонтажSMD
55.81 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTZS3151PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,76А; 0,21Вт; SOT563F; ESD" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7нC КорпусDPAK МонтажSMD
186.54 
Доступность: 1712 шт.
 

Минимальное количество для товара "NVD5C688NLT4G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 12А; Idm: 77А; 9Вт; DPAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14,3нC КорпусSOT223 МонтажSMD
178.90 
Доступность: 710 шт.
 

Минимальное количество для товара "NVF2955T1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -2,6А; 2,3Вт; SOT223" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±15В
177.37 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NVF3055L108T1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 1,4А; 1,3Вт; SOT223" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора160нC КорпусTO247 МонтажTHT
1 778.29 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NVH4L040N65S3F, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 45А; Idm: 162,5А; 446Вт; TO247" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора78нC КорпусTO247-3 МонтажTHT
6 922.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NVHL020N090SC1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 900В; 83А; Idm: 472А; 251Вт" 1.

Показать еще 20 товаров

Униполярные транзисторы (полевые транзисторы, FET) — это полупроводниковые приборы, в которых управление током осуществляется электрическим полем через изолированный затвор.

В отличие от биполярных, они потребляют почти нулевой ток управления, что делает их идеальными для высокочастотных, энергоэффективных и цифровых схем.

Наиболее распространённый тип — **MOSFET** (Metal-Oxide-Semiconductor FET), широко используемый в импульсных источниках питания, драйверах двигателей, DC-DC преобразователях и инверторах.

Мы предлагаем качественные униполярные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте высокую эффективность и надёжность — выбирайте профессиональные MOSFET на 7-el.ru!

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж