Товары из категории транзисторы униполярные - страница 458

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
28.29 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQA413CEJW-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -7,5А; Idm: -30А" 3000.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,1нC КорпусPowerPAK® SC70
67.28 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQA470EEJ-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 2,25А; 13,6Вт; PowerPAK® SC70" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора130нC КорпусTO252 МонтажSMD
208.72 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQD100N04-3M6L-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 100А; Idm: 400А" 2000.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора27нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
334.86 
Доступность: 1351 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQD19P06-60L_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -11А; 15Вт; DPAK,TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора34нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
461.01 
Доступность: 1969 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQD25N15-52_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 16А; 107Вт; DPAK,TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC КорпусTO252 МонтажSMD
137.61 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQD30N05-20L_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 55В; 30А; Idm: 120А; 50Вт" 2000.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора186нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
346.33 
Доступность: 725 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQD40031EL_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -94А; 45Вт; DPAK,TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора52нC КорпусTO252 МонтажSMD
89.45 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQD40052EL_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 30А; Idm: 120А; 62Вт" 2000.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора55,3нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
398.32 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQD45P03-12_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -37А; 23Вт; DPAK,TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора85нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
425.84 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQD50N04-4M5L_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 50А; 136Вт; DPAK,TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора34,6нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
347.86 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQD50N05-11L-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 32А; 75Вт; DPAK,TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора145нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
551.99 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQD50P08-28_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -80В; -28А; Idm: -190А; 45Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора152нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
162.84 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQJ126EP-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 500А; Idm: 776А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
177.37 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQJ158EP-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 13А; 45Вт; PowerPAK® SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора57нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
97.09 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQJ164ELP-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 75А; Idm: 130А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
93.27 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQJ170ELP-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 63А; Idm: 66А; 136Вт" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора34нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
243.88 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQJ402EP-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 32А; 83Вт; PowerPAK® SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора260нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
137.61 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQJ409EP-T1_BE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -60А; Idm: -150А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,1мкC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
133.03 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQJ422EP-T1_BE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 75А; Idm: 300А; 83Вт" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора85нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
169.72 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQJ431AEP-T1_BE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -200В; -9,4А; Idm: -60А" 3000.

Показать еще 20 товаров

Униполярные транзисторы (полевые транзисторы, FET) — это полупроводниковые приборы, в которых управление током осуществляется электрическим полем через изолированный затвор.

В отличие от биполярных, они потребляют почти нулевой ток управления, что делает их идеальными для высокочастотных, энергоэффективных и цифровых схем.

Наиболее распространённый тип — **MOSFET** (Metal-Oxide-Semiconductor FET), широко используемый в импульсных источниках питания, драйверах двигателей, DC-DC преобразователях и инверторах.

Мы предлагаем качественные униполярные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте высокую эффективность и надёжность — выбирайте профессиональные MOSFET на 7-el.ru!

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж