Транзисторы униполярные | купить в розницу и оптом

IXTQ120N15P, Транзистор: N-MOSFET; PolarHT™; полевой; 150В; 120А; 600Вт; TO3P

0.0

КОД:

IXTQ120N15P

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности150нс Заряд затвора150нC КорпусTO3P

1 478⁸⁷ ^₽

Доступность: 8 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "IXTQ120N15P, Транзистор: N-MOSFET; PolarHT™; полевой; 150В; 120А; 600Вт; TO3P" 3.

IXTT16N10D2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 16А; 830Вт; TO268; 940нс

0.0

КОД:

IXTT16N10D2

Вид каналаобедненный Вид упаковкитуба Время готовности940нс КорпусTO268 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXTT16N10D2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 16А; 830Вт; TO268; 940нс" 1.

IXTZ550N055T2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 550А; 600Вт; DE475; 100нс

0.0

КОД:

IXTZ550N055T2

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности100нс Заряд затвора595нC КорпусDE475

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXTZ550N055T2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 550А; 600Вт; DE475; 100нс" 1.

NTE132, Транзистор: N-JFET; полевой; 25В; 20мА; 0,2Вт; TO106; Igt: 10мА

0.0

КОД:

NTE132

Вид упаковкироссыпью КорпусTO106 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-25В Напряжение сток-исток25В

0⁰⁰ ^₽

Доступность: 6 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "NTE132, Транзистор: N-JFET; полевой; 25В; 20мА; 0,2Вт; TO106; Igt: 10мА" 1.

NTE2385, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт; TO220

0.0

КОД:

NTE2385

Вид каналаобогащенный КорпусTO220 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток500В

0⁰⁰ ^₽

Доступность: 12 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "NTE2385, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт; TO220" 1.

NTE2395, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 36А; Idm: 200А; 150Вт; TO220

0.0

КОД:

NTE2395

Вид каналаобогащенный КорпусTO220 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В

0⁰⁰ ^₽

Доступность: 1 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "NTE2395, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 36А; Idm: 200А; 150Вт; TO220" 1.

NTE2916, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 35А; Idm: 200А; 300Вт; TO247

0.0

КОД:

NTE2916

Вид каналаобогащенный КорпусTO247 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток200В

0⁰⁰ ^₽

Доступность: 2 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "NTE2916, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 35А; Idm: 200А; 300Вт; TO247" 1.

NTE458, Транзистор: N-JFET; полевой; 50В; 20мА; 0,25Вт; TO92; Igt: 10мА

0.0

КОД:

NTE458

Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-50В Напряжение сток-исток50В

0⁰⁰ ^₽

Доступность: 7 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "NTE458, Транзистор: N-JFET; полевой; 50В; 20мА; 0,25Вт; TO92; Igt: 10мА" 1.

NTE459, Транзистор: N-JFET; полевой; 50В; 10мА; 0,3Вт; TO72; Igt: 10мА

0.0

КОД:

NTE459

Вид упаковкироссыпью КорпусTO72 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-50В Напряжение сток-исток50В

0⁰⁰ ^₽

Доступность: 5 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "NTE459, Транзистор: N-JFET; полевой; 50В; 10мА; 0,3Вт; TO72; Igt: 10мА" 1.

NX138AKR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,12А; 0,265Вт; SOT23,TO236AB

0.0

КОД:

NX138AKR

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,4нC КорпусSOT23, TO236AB

26⁴¹ ^₽

Доступность: 4864 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "NX138AKR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,12А; 0,265Вт; SOT23,TO236AB" 10.

P66F7R5SN-5600, Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; полевой; 75В; 66А; Idm: 264А; 51Вт

0.0

КОД:

P66F7R5SN-5600

Вид каналаобогащенный Вид упаковкироссыпью Заряд затвора115нC КорпусFTO-220AG (SC91) МонтажTHT

242⁰⁸ ^₽

Доступность: 48 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "P66F7R5SN-5600, Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; полевой; 75В; 66А; Idm: 264А; 51Вт" 5.

PMV60ENEAR, Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 40В; 2,1А; Idm: 12А; ESD

0.0

КОД:

PMV60ENEAR

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5нC КорпусSOT23, TO236AB

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

+ −

R8008ANJFRGTL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 8А; Idm: 32А; 195Вт; D2PAK

0.0

КОД:

R8008ANJFRGTL

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора38нC КорпусD2PAK МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

+ −

RTF025N03FRATL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 2,5А; Idm: 10А; 800мВт; TUMT3

0.0

КОД:

RTF025N03FRATL

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,7нC КорпусTUMT3 МонтажSMD

50¹⁸ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "RTF025N03FRATL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 2,5А; Idm: 10А; 800мВт; TUMT3" 3.

RYC002N05T316, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 200мА; Idm: 0,8А; 350мВт; SST3

0.0

КОД:

RYC002N05T316

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSST3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В

63³⁸ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "RYC002N05T316, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 200мА; Idm: 0,8А; 350мВт; SST3" 10.

SCT040W120G3-4AG, Транзистор: N-MOSFET; полевой

0.0

КОД:

SCT040W120G3-4AG

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба МонтажTHT Обозначение производителяSCT040W120G3-4AG Полярностьполевой

3 930⁴⁶ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SCT040W120G3-4AG, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 3.

SI4168DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 24А; Idm: 70А; 5,7Вт

0.0

КОД:

SI4168DY-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора44нC КорпусSO8 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

+ −

SI9435BDY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -5,7А; Idm: -30А

0.0

КОД:

SI9435BDY-T1-E3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора24нC КорпусSO8 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

+ −

SI9435BDY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4,6А; 2,5Вт; SO8

0.0

КОД:

SI9435BDY-E3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора24нC КорпусSO8 МонтажSMD

80⁹⁹ ^₽

Доступность: 1728 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "SI9435BDY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4,6А; 2,5Вт; SO8" 3.

SIHFBC30AS-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 2,3А; Idm: 14А; 74Вт

0.0

КОД:

SIHFBC30AS-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD

220⁰⁷ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SIHFBC30AS-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 2,3А; Idm: 14А; 74Вт" 5.

SIHK125N60EF-T1GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 21А; Idm: 54А; 132Вт

0.0

КОД:

SIHK125N60EF-T1GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора45нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В

704²³ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SIHK125N60EF-T1GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 21А; Idm: 54А; 132Вт" 2000.

SIR188LDP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 93,6А; Idm: 300А

0.0

КОД:

SIR188LDP-T1-RE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора52нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD

151⁴¹ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SIR188LDP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 93,6А; Idm: 300А" 3000.

SIS128LDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 26,9А; Idm: 70А

0.0

КОД:

SIS128LDN-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD

158⁴⁵ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SIS128LDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 26,9А; Idm: 70А" 10.

SISS42LDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 31,2А; Idm: 80А

0.0

КОД:

SISS42LDN-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора48нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD

255²⁸ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SISS42LDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 31,2А; Idm: 80А" 10.