Москва
 +7(993)080-09-37

Товары из категории транзисторы униполярные - страница 504

Производитель
Сортировать по:
Новинки ниже
SUD50N04-8M8P-4GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 14А; Idm: 100А; 30,8Вт
0.0
SUD50N04-8M8P-4GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора56нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
266.82 ₽
Доступность: 1912 шт.
 

Минимальное количество для товара "SUD50N04-8M8P-4GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 14А; Idm: 100А; 30,8Вт" 1.

SUD50N06-09L-E3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 50А; 136Вт; DPAK,TO252
0.0
SUD50N06-09L-E3
Вид каналаобогащенный Заряд затвора47нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
379.97 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUD50N06-09L-E3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 50А; 136Вт; DPAK,TO252" 1.

SUD50P04-08-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -50А; Idm: -100А; 73,5Вт
0.0
SUD50P04-08-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора159нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
321.10 ₽
Доступность: 2355 шт.
 

Минимальное количество для товара "SUD50P04-08-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -50А; Idm: -100А; 73,5Вт" 1.

SUD50P04-09L-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -50А; Idm: -100А; 136Вт
0.0
SUD50P04-09L-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора150нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
487.77 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUD50P04-09L-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -50А; Idm: -100А; 136Вт" 1.

SUD50P06-15-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -50А; Idm: -80А; 113Вт
0.0
SUD50P06-15-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора165нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
524.46 ₽
Доступность: 2648 шт.
 

Минимальное количество для товара "SUD50P06-15-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -50А; Idm: -80А; 113Вт" 1.

SUD50P06-15L-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -50А; Idm: -80А; 136Вт
0.0
SUD50P06-15L-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора165нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
528.29 ₽
Доступность: 1182 шт.
 

Минимальное количество для товара "SUD50P06-15L-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -50А; Idm: -80А; 136Вт" 1.

SUD50P08-25L-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -80В; -50А; Idm: -40А; 95Вт
0.0
SUD50P08-25L-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора160нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
438.84 ₽
Доступность: 800 шт.
 

Минимальное количество для товара "SUD50P08-25L-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -80В; -50А; Idm: -40А; 95Вт" 1.

SUD50P10-43L-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -37,1А; Idm: -40А; 95Вт
0.0
SUD50P10-43L-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора160нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
448.78 ₽
Доступность: 916 шт.
 

Минимальное количество для товара "SUD50P10-43L-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -37,1А; Idm: -40А; 95Вт" 1.

SUD50P10-43L-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -36,4А; Idm: -40А; 72,7Вт
0.0
SUD50P10-43L-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора160нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
536.70 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUD50P10-43L-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -36,4А; Idm: -40А; 72,7Вт" 1.

SUD70090E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 50А; Idm: 120А
0.0
SUD70090E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC КорпусTO252 МонтажSMD
249.24 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUD70090E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 50А; Idm: 120А" 2000.

SUD80460E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 42А; Idm: 40А
0.0
SUD80460E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16нC КорпусTO252 МонтажSMD
87.92 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUD80460E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 42А; Idm: 40А" 2000.

SUD90330E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 200В; 35,8А; Idm: 70А
0.0
SUD90330E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32нC КорпусTO252 МонтажSMD
152.91 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUD90330E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 200В; 35,8А; Idm: 70А" 2000.

SUG80050E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 100А; Idm: 300А
0.0
SUG80050E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора165нC КорпусTO247 МонтажTHT
958.72 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUG80050E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 100А; Idm: 300А" 1.

SUG90090E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 200В; 100А; Idm: 300А
0.0
SUG90090E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора129нC КорпусTO247 МонтажTHT
867.74 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUG90090E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 200В; 100А; Idm: 300А" 1.

SUM10250E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 36,6А; 125Вт; D2PAK,TO263
0.0
SUM10250E-GE3
Вид каналаобогащенный Заряд затвора57,6нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
605.50 ₽
Доступность: 650 шт.
 

Минимальное количество для товара "SUM10250E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 36,6А; 125Вт; D2PAK,TO263" 1.

SUM110N10-09-E3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 87А; 375Вт; D2PAK,TO263
0.0
SUM110N10-09-E3
Вид каналаобогащенный Заряд затвора110нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
642.20 ₽
Доступность: 376 шт.
 

Минимальное количество для товара "SUM110N10-09-E3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 87А; 375Вт; D2PAK,TO263" 1.

SUM110P04-04L-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -110А; Idm: -240А
0.0
SUM110P04-04L-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,35мкC КорпусTO263 МонтажSMD
528.29 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUM110P04-04L-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -110А; Idm: -240А" 800.

SUM110P04-05-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -33А; 375Вт; D2PAK,TO263
0.0
SUM110P04-05-E3
Вид каналаобогащенный Заряд затвора280нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
783.64 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUM110P04-05-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -33А; 375Вт; D2PAK,TO263" 1.

SUM110P06-07L-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -110А; Idm: -240А; 375Вт
0.0
SUM110P06-07L-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора345нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
692.66 ₽
Доступность: 143 шт.
 

Минимальное количество для товара "SUM110P06-07L-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -110А; Idm: -240А; 375Вт" 1.

SUM110P06-08L-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -110А; Idm: -200А
0.0
SUM110P06-08L-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора240нC КорпусTO263 МонтажSMD
561.93 ₽
Доступность: 1229 шт.
 

Минимальное количество для товара "SUM110P06-08L-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -110А; Idm: -200А" 1.

Показать еще 20 товаров

Униполярные транзисторы (полевые транзисторы, FET) — это полупроводниковые приборы, в которых управление током осуществляется электрическим полем через изолированный затвор.

В отличие от биполярных, они потребляют почти нулевой ток управления, что делает их идеальными для высокочастотных, энергоэффективных и цифровых схем.

Наиболее распространённый тип — **MOSFET** (Metal-Oxide-Semiconductor FET), широко используемый в импульсных источниках питания, драйверах двигателей, DC-DC преобразователях и инверторах.

Мы предлагаем качественные униполярные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте высокую эффективность и надёжность — выбирайте профессиональные MOSFET на 7-el.ru!

Категории
Полупроводники
Транзисторы
Транзисторы униполярные
Транзисторные модули MOSFET
Транзисторы многоканальные
Транзисторы с каналом типа N
Транзисторы с каналом типа P
Транзисторы - неклассифицированные
Транзисторы биполярные
Транзисторы однопереходные
Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж