Товары из категории транзисторы униполярные - страница 505

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,27мкC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
818.81 
Доступность: 256 шт.
 

Минимальное количество для товара "SUM110P08-11L-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -80В; -110А; Idm: -120А; 125Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора230нC КорпусTO263 МонтажSMD
420.49 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUM40010EL-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 120А; Idm: 300А" 800.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора195нC КорпусTO263 МонтажSMD
302.75 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUM40012EL-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 150А; Idm: 300А" 800.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора275нC КорпусTO263-7 МонтажSMD
423.55 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUM40014M-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 200А; Idm: 400А" 800.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,14мкC КорпусTO263 МонтажSMD
395.26 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUM45N25-58-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 250В; 45А; Idm: 90А" 800.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора212нC КорпусTO263 МонтажSMD
417.43 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUM50010E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 150А; Idm: 500А" 800.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора128нC КорпусTO263 МонтажSMD
402.14 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUM50020E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 120А; Idm: 300А" 800.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора126нC КорпусTO263 МонтажSMD
371.56 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUM50020EL-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 120А; Idm: 300А" 800.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора115нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
543.58 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUM55P06-19L-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -31А; 125Вт; D2PAK,TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора227нC КорпусTO263 МонтажSMD
383.79 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUM60020E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 150А; Idm: 500А" 800.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора218нC КорпусTO263 МонтажSMD
689.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUM60061EL-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -80В; -150А; Idm: -250А" 800.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,1мкC КорпусTO263 МонтажSMD
632.26 
Доступность: 588 шт.
 

Минимальное количество для товара "SUM60N10-17-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 60А; Idm: 100А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора130нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
891.44 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUM65N20-30-E3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 65А; Idm: 140А; 375Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора214нC КорпусTO263 МонтажSMD
447.25 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUM70030E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 150А; Idm: 500А" 800.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора214нC КорпусTO263-7 МонтажSMD
410.55 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUM70030M-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 150А; Idm: 500А" 800.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора76нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
513.00 
Доступность: 771 шт.
 

Минимальное количество для товара "SUM70040E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 120А; 125Вт; D2PAK,TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,12мкC КорпусTO263-7 МонтажSMD
383.79 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUM70040M-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 120А; Idm: 480А" 800.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора110нC КорпусTO263 МонтажSMD
347.86 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUM70042E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 150А; Idm: 200А" 800.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора81нC КорпусTO263 МонтажSMD
233.94 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUM70060E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 131А; Idm: 240А" 800.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC КорпусTO263 МонтажSMD
257.65 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUM70090E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 50А; Idm: 120А" 800.

Показать еще 20 товаров

Униполярные транзисторы (полевые транзисторы, FET) — это полупроводниковые приборы, в которых управление током осуществляется электрическим полем через изолированный затвор.

В отличие от биполярных, они потребляют почти нулевой ток управления, что делает их идеальными для высокочастотных, энергоэффективных и цифровых схем.

Наиболее распространённый тип — **MOSFET** (Metal-Oxide-Semiconductor FET), широко используемый в импульсных источниках питания, драйверах двигателей, DC-DC преобразователях и инверторах.

Мы предлагаем качественные униполярные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте высокую эффективность и надёжность — выбирайте профессиональные MOSFET на 7-el.ru!

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж