Товары из категории транзисторы униполярные - страница 526

Производитель
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,6нC КорпусTUMT6
155.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "US6K1TR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 1,5А; Idm: 6А; 1Вт; TUMT6; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,4нC КорпусTUMT6
148.32 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "US6K2TR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 1,4А; Idm: 5,6А; 1Вт; TUMT6" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,8нC КорпусTUMT6
156.73 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "US6K4TR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 1,5А; Idm: 3А; 1Вт; TUMT6; ESD" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,8/2,4нC КорпусTUMT6 МонтажSMD
134.56 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "US6M11TR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-12В; 1,5/-1,3А; Idm: 5,2÷6А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,4/2,1нC КорпусTUMT6 МонтажSMD
162.08 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "US6M1TR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-20В; 1,4/-1А; Idm: 4÷5,6А; 1Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,6/2,1нC КорпусTUMT6 МонтажSMD
133.03 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "US6M2TR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-20В; 1,5/-1А; Idm: 4÷6А; 1Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,7нC КорпусDFN2020D-8 МонтажSMD
129.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "UT6JA2TCR, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -4А; Idm: -12А; 2Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,5нC КорпусDFN2020D-8 МонтажSMD
181.19 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "UT6JA3TCR, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -5А; Idm: -12А; 2Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,1нC КорпусDFN2020D-8 МонтажSMD
259.17 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "UT6K30TCR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 3А; Idm: 12А; 2Вт; DFN2020D-8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4нC КорпусDFN2020D-8 МонтажSMD
136.09 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "UT6K3TCR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 5,5А; Idm: 12А; 2Вт; DFN2020D-8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,3/6,7нC КорпусDFN2020D-8 МонтажSMD
95.57 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "UT6MA2TCR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 4/-4А; Idm: 12А; 2Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4/6,5нC КорпусDFN2020D-8 МонтажSMD
214.83 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "UT6MA3TCR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 5,5/-5А; Idm: 12А; 2Вт" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусY3-DCB Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток300В
77 196.48 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VMM300-03F, Модуль; транзистор/транзистор; 300В; 220А; Y3-DCB; Idm: 1,16кА" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусY3-Li Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
104 633.03 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VMM650-01F, Модуль; транзистор/транзистор; 100В; 500А; Y3-Li; HiPerFET™" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора2мкC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусY3-DCB
93 725.54 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VMO550-01F, Модуль; одиночный транзистор; 100В; 590А; Y3-DCB; Idm: 2,36кА; 2мкC" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора405нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусTO240AA
14 330.28 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VMO60-05F, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 60А; TO240AA; Idm: 240А; 590Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора2,3мкC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусY3-DCB
54 463.30 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VMO650-01F, Модуль; одиночный транзистор; 100В; 690А; Y3-DCB; Idm: 2,78кА" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
198.78 
Доступность: 279 шт.
 

Минимальное количество для товара "VN0104N3-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 350мА; Idm: 2А; 1Вт; TO92" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
134.56 
Доступность: 343 шт.
 

Минимальное количество для товара "VN0106N3-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 350мА; Idm: 2А; 1Вт; TO92" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
126.15 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VN0106N3-G-P003, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 350мА; Idm: 2А; 1Вт; TO92" 1.

Показать еще 20 товаров

Униполярные транзисторы (полевые транзисторы, FET) — это полупроводниковые приборы, в которых управление током осуществляется электрическим полем через изолированный затвор.

В отличие от биполярных, они потребляют почти нулевой ток управления, что делает их идеальными для высокочастотных, энергоэффективных и цифровых схем.

Наиболее распространённый тип — **MOSFET** (Metal-Oxide-Semiconductor FET), широко используемый в импульсных источниках питания, драйверах двигателей, DC-DC преобразователях и инверторах.

Мы предлагаем качественные униполярные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте высокую эффективность и надёжность — выбирайте профессиональные MOSFET на 7-el.ru!

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж