Товары из категории транзисторы униполярные - страница 565

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO252 МонтажSMD Обозначение производителяWMO080N10HG2
169.72 
Доступность: 92 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMO080N10HG2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,3нC КорпусTO252 МонтажSMD
133.79 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMO08N60C4, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; полевой; 600В; 3,6А; Idm: 12А; 45Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,3нC КорпусTO252 МонтажSMD
118.50 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMO08N65C4, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; полевой; 650В; 3,6А; Idm: 12А; 45Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,3нC КорпусTO252 МонтажSMD
120.03 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMO08N70C4, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; полевой; 700В; 3,6А; Idm: 12А; 45Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
81.04 
Доступность: 1914 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMO08N80M3, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; полевой; 800В; 7А; 70Вт; TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO252 МонтажSMD Обозначение производителяWMO090NV6HG4
90.98 
Доступность: 3 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMO090NV6HG4, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO252 МонтажSMD Обозначение производителяWMO090NV6LG4
113.91 
Доступность: 237 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMO090NV6LG4, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO252 МонтажSMD Обозначение производителяWMO099N10HGS
133.03 
Доступность: 100 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMO099N10HGS, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO252 МонтажSMD Обозначение производителяWMO099N10LGS
133.03 
Доступность: 90 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMO099N10LGS, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO252 МонтажSMD Обозначение производителяWMO09N15TS
107.03 
Доступность: 500 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMO09N15TS, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO252 МонтажSMD Обозначение производителяWMO09N20DM
89.45 
Доступность: 270 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMO09N20DM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO252 МонтажSMD Обозначение производителяWMO09N20DMH
91.74 
Доступность: 275 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMO09N20DMH, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO252 МонтажSMD Обозначение производителяWMO09P10TS
100.92 
Доступность: 350 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMO09P10TS, Транзистор: P-MOSFET; полевой; TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO252 МонтажSMD Обозначение производителяWMO100N07T1
169.72 
Доступность: 487 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMO100N07T1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO252 МонтажSMD Обозначение производителяWMO100P03TS
110.86 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMO100P03TS, Транзистор: P-MOSFET; полевой; TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18,8нC КорпусTO252 МонтажSMD
499.24 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMO10N100C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 1кВ; 3,3А; Idm: 18А; 86Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,3нC КорпусTO252 МонтажSMD
119.27 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMO10N50C4, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; полевой; 500В; 4,8А; Idm: 16А; 45Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
70.34 
Доступность: 1589 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMO10N60C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 600В; 8А; 57Вт; TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9,6нC КорпусTO252 МонтажSMD
146.79 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMO10N60C4, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; полевой; 600В; 4,8А; Idm: 19А; 57Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9,6нC КорпусTO252 МонтажSMD
120.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMO10N65C4, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; полевой; 650В; 4,8А; Idm: 19А; 57Вт" 1.

Показать еще 20 товаров

Униполярные транзисторы (полевые транзисторы, FET) — это полупроводниковые приборы, в которых управление током осуществляется электрическим полем через изолированный затвор.

В отличие от биполярных, они потребляют почти нулевой ток управления, что делает их идеальными для высокочастотных, энергоэффективных и цифровых схем.

Наиболее распространённый тип — **MOSFET** (Metal-Oxide-Semiconductor FET), широко используемый в импульсных источниках питания, драйверах двигателей, DC-DC преобразователях и инверторах.

Мы предлагаем качественные униполярные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте высокую эффективность и надёжность — выбирайте профессиональные MOSFET на 7-el.ru!

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж