Товары из категории транзисторы униполярные - страница 580

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
28.29 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMT4N65D1B, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 4А; SOT223" 5.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO220FP МонтажTHT Обозначение производителяWMU080N10HG2
168.20 
Доступность: 75 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMU080N10HG2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO220FP" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора40нC КорпусTO3PF МонтажTHT
257.65 
Доступность: 361 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMX3N150D1, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; полевой; 1,5кВ; 3А; Idm: 12А; 90Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора41нC КорпусTO3PF МонтажTHT
240.83 
Доступность: 189 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMX4N150D1, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; полевой; 1,5кВ; 4А; Idm: 16А; 90Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20,3нC КорпусDFN8x8 МонтажSMD
347.86 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMZ13N65EM, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ EM; полевой; 650В; 6,5А; Idm: 35А; 85Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22,1нC КорпусDFN8x8 МонтажSMD
612.39 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMZ26N60C4, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; полевой; 600В; 10,5А; Idm: 40А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22,1нC КорпусDFN8x8 МонтажSMD
480.89 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMZ26N65C4, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; полевой; 650В; 10,5А; Idm: 40А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16нC КорпусDFN8x8 МонтажSMD
745.41 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMZ36N65C4, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; полевой; 650В; 20А; Idm: 100А; 277Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора58нC КорпусDFN8x8 МонтажSMD
883.03 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMZ53N60F2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; полевой; 600В; 26А; Idm: 90А; 280Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора32нC КорпусTO247-4 МонтажTHT
5 249.24 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WNSC2M20120R6Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 94А; Idm: 200А; 750Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора19нC КорпусTO247-4 МонтажTHT
2 993.88 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WNSC2M40120R6Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 52А; Idm: 100А; 405Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора59нC КорпусTO247-4 МонтажTHT
2 178.13 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WNSCM80120R6Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 32А; Idm: 81А; 270Вт" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23-3 МонтажSMD
137.61 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "XP151A11B0MR-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 1А; Idm: 4А; 0,5Вт; SOT23-3; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23-3 МонтажSMD
135.32 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "XP151A13A0MR-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 1А; Idm: 4А; 0,5Вт; SOT23-3; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23-3 МонтажSMD
101.68 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "XP152A11E5MR-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -0,7А; Idm: -2,8А; 0,5Вт; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD
178.90 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "XP161A11A1PR-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4А; Idm: 16А; 2Вт; SOT89-3; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD
205.66 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "XP161A1265PR-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 4А; Idm: 16А; 2Вт; SOT89-3; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD
153.67 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "XP161A1355PR-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 4А; Idm: 16А; 2Вт; SOT89-3; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD
175.08 
Доступность: 340 шт.
 

Минимальное количество для товара "XP162A11C0PR-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,5А; Idm: -10А; 2Вт; SOT89-3" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD
200.31 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "XP162A12A6PR-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,5А; Idm: -10А; 2Вт; SOT89-3" 1.

Показать еще 20 товаров

Униполярные транзисторы (полевые транзисторы, FET) — это полупроводниковые приборы, в которых управление током осуществляется электрическим полем через изолированный затвор.

В отличие от биполярных, они потребляют почти нулевой ток управления, что делает их идеальными для высокочастотных, энергоэффективных и цифровых схем.

Наиболее распространённый тип — **MOSFET** (Metal-Oxide-Semiconductor FET), широко используемый в импульсных источниках питания, драйверах двигателей, DC-DC преобразователях и инверторах.

Мы предлагаем качественные униполярные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте высокую эффективность и надёжность — выбирайте профессиональные MOSFET на 7-el.ru!

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж