Товары из категории транзисторы униполярные - страница 590

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
136.09 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "ZXMP2120G4TA, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -200В; -0,2А; 2Вт; SOT223" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
84.10 
Доступность: 2599 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZXMP3A13FTA, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -1,3А; 0,625Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
206.42 
Доступность: 749 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZXMP3A16GTA, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -5,9А; 2Вт; SOT223" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT26 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
176.61 
Доступность: 54 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZXMP3A17E6TA, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -3,2А; Idm: -14,4А; 1,1Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
190.37 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "ZXMP4A16GQTA, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -5,6А; 2Вт; SOT223" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
198.01 
Доступность: 146 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZXMP4A16GTA, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -5,1А; 2Вт; SOT223" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,9нC КорпусSOT23 МонтажSMD
58.87 
Доступность: 968 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZXMP6A13FQTA, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,9А; Idm: -4А; 0,806Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,9нC КорпусSOT23 МонтажSMD
103.21 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "ZXMP6A13FTA, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,9А; Idm: -4А; 0,806Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
120.03 
Доступность: 106 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZXMP6A13GTA, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -1,9А; Idm: -7,8А; 2Вт; SOT223" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусDPAK МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
208.72 
Доступность: 1245 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZXMP6A16KTC, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -6,75А; 4,24Вт; DPAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента МонтажSMD Обозначение производителяZXMP6A17E6QTA Полярностьполевой
130.73 
Доступность: 2954 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZXMP6A17E6QTA, Транзистор: P-MOSFET; полевой" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT26 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
55.81 
Доступность: 849 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZXMP6A17E6TA, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -2,4А; 1,1Вт; SOT26" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
90.21 
Доступность: 150 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZXMP6A17GQTA, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -3,5А; 2Вт; SOT223" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
129.20 
Доступность: 850 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZXMP6A17GTA, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -3А; Idm: -13,7А; 2Вт; SOT223" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
344.80 
Доступность: 299 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZXMP6A18DN8TA, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -60В; -3,8А; 1,25Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусDPAK МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
219.42 
Доступность: 1193 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZXMP6A18KTC, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -10,4А; 4,3Вт; DPAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
226.30 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "ZXMP7A17GQTA, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -70В; -1,6А; 2Вт; SOT223" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
186.54 
Доступность: 2 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZXMP7A17GTA, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -70В; -2,6А; Idm: -9,6А; 2Вт; SOT223" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 МонтажSMD
208.72 
Доступность: 504 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZXMS6005DGTA, Транзистор: N-MOSFET; IntelliFET™; полевой; 60В; 2А; 1,3Вт; SOT223" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSM8 МонтажSMD
464.07 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "ZXMS6006DT8TA, Транзистор: N-MOSFET x2; IntelliFET™; полевой; 60В; 2,8А; 1,16Вт" 1.

Показать еще 12 товаров

Униполярные транзисторы (полевые транзисторы, FET) — это полупроводниковые приборы, в которых управление током осуществляется электрическим полем через изолированный затвор.

В отличие от биполярных, они потребляют почти нулевой ток управления, что делает их идеальными для высокочастотных, энергоэффективных и цифровых схем.

Наиболее распространённый тип — **MOSFET** (Metal-Oxide-Semiconductor FET), широко используемый в импульсных источниках питания, драйверах двигателей, DC-DC преобразователях и инверторах.

Мы предлагаем качественные униполярные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте высокую эффективность и надёжность — выбирайте профессиональные MOSFET на 7-el.ru!

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж