Транзисторы униполярные

Производитель

Униполярные транзисторы (полевые транзисторы, FET) — это полупроводниковые приборы, в которых управление током осуществляется электрическим полем через изолированный затвор.

В отличие от биполярных, они потребляют почти нулевой ток управления, что делает их идеальными для высокочастотных, энергоэффективных и цифровых схем.

Наиболее распространённый тип — **MOSFET** (Metal-Oxide-Semiconductor FET), широко используемый в импульсных источниках питания, драйверах двигателей, DC-DC преобразователях и инверторах.

Мы предлагаем качественные униполярные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте высокую эффективность и надёжность — выбирайте профессиональные MOSFET на 7-el.ru!

0.0
BSZ100N03MSGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
‍65‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSZ100N03MSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 39А; 30Вт; PG-TSDSON-8" 1.

0.0
BSZ105N04NSG
Вид каналаобогащенный Заряд затвора13нC КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
‍134‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSZ105N04NSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 29А; 35Вт; PG-TSDSON-8" 1.

0.0
BSZ110N08NS5ATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток80В
‍247‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSZ110N08NS5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 40А; 50Вт; PG-TSDSON-8" 1.

0.0
BSZ12DN20NS3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток200В
‍241‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSZ12DN20NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 11,3А; 50Вт; PG-TSDSON-8" 1.

0.0
BSZ130N03LSGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
‍128‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSZ130N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 28А; 25Вт; PG-TSDSON-8" 1.

0.0
BSZ130N03MSGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
‍85‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSZ130N03MSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 31А; 25Вт; PG-TSDSON-8" 1.

0.0
BSZ15DC02KDHXTMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В Напряжение сток-исток20/-20В
‍219‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSZ15DC02KDHXTMA1, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 5,1/-3,2А; 2,5Вт" 1.

0.0
BSZ160N10NS3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
‍184‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSZ160N10NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 40А; 63Вт; PG-TSDSON-8" 1.

0.0
BSZ180P03NS3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±25В Напряжение сток-исток-30В
‍136‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSZ180P03NS3GATMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -39,6А; 40Вт; PG-TSDSON-8" 1.

0.0
BSZ22DN20NS3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток200В
‍262‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSZ22DN20NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 7А; 34Вт; PG-TSDSON-8" 1.

0.0
BSZ42DN25NS3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток250В
‍244‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSZ42DN25NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 5А; 33,8Вт; PG-TSDSON-8" 1.

0.0
BSZ440N10NS3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
‍264‍ 
Доступность: 5899 шт.
+

Минимальное количество для товара "BSZ440N10NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 18А; 29Вт; PG-TSDSON-8" 1.

0.0
BSZ520N15NS3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток150В
‍228‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSZ520N15NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 21А; 57Вт; PG-TSDSON-8" 1.

0.0
BSZ900N15NS3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток150В
‍172‍ 
Доступность: 3006 шт.
+

Минимальное количество для товара "BSZ900N15NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 13А; 38Вт; PG-TSDSON-8" 1.

0.0
BSZ900N20NS3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток200В
‍270‍ 
Доступность: 968 шт.
+

Минимальное количество для товара "BSZ900N20NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 15,2А; 62,5Вт; PG-TSDSON-8" 1.

0.0
BUK4D38-20PX
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16нC КорпусDFN6, SOT1220 МонтажSMD
‍75‍ 
Доступность: 2000 шт.
+

Минимальное количество для товара "BUK4D38-20PX, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -11А; Idm: -72А; 19Вт" 1.

0.0
BUK6607-55C.118
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора43нC КорпусD2PAK, SOT404 МонтажSMD
‍256‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BUK6607-55C,118, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 74А; Idm: 420А; 158Вт" 1.

0.0
BUK6D120-40EX
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,6нC КорпусDFN6, SOT1220 МонтажSMD
‍115‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BUK6D120-40EX, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 3,6А; Idm: 23А; 7,5Вт" 1.

0.0
BUK6D120-60PX
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC КорпусDFN2020MD-6, SOT1220 МонтажSMD
‍81‍ 
Доступность: 1761 шт.
+

Минимальное количество для товара "BUK6D120-60PX, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -60В; -5,1А; Idm: -32А; 15Вт" 1.

0.0
BUK6D125-60EX
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6нC КорпусDFN6, SOT1220 МонтажSMD
‍78‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BUK6D125-60EX, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 5,3А; Idm: 30А; 15Вт" 1.

0.0
BUK6D210-60EX
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,8нC КорпусDFN6, SOT1220 МонтажSMD
‍65‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BUK6D210-60EX, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 4,1А; Idm: 23А; 15Вт" 1.

0.0
BUK6D22-30EX
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14нC КорпусDFN6, SOT1220 МонтажSMD
‍72‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BUK6D22-30EX, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 15,7А; Idm: 89А; 19Вт" 1.

0.0
BUK6D23-40EX
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19нC КорпусDFN6, SOT1220 МонтажSMD
‍87‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BUK6D23-40EX, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 12А; Idm: 76А; 15Вт" 1.

0.0
BUK6D230-80EX
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,2нC КорпусDFN6, SOT1220 МонтажSMD
‍72‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BUK6D230-80EX, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 3,6А; Idm: 20,4А; 15Вт" 1.

Показать еще 24 товара
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (39)