Транзисторы униполярные

Производитель

Униполярные транзисторы (полевые транзисторы, FET) — это полупроводниковые приборы, в которых управление током осуществляется электрическим полем через изолированный затвор.

В отличие от биполярных, они потребляют почти нулевой ток управления, что делает их идеальными для высокочастотных, энергоэффективных и цифровых схем.

Наиболее распространённый тип — **MOSFET** (Metal-Oxide-Semiconductor FET), широко используемый в импульсных источниках питания, драйверах двигателей, DC-DC преобразователях и инверторах.

Мы предлагаем качественные униполярные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте высокую эффективность и надёжность — выбирайте профессиональные MOSFET на 7-el.ru!

0.0
BXW120R036H
Вид каналаобогащенный МонтажTHT Обозначение производителяBXW120R036H Полярностьполевой ПроизводительBRIDGELUX
2 258 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BXW120R036H, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

0.0
BXW120R036H4
Вид каналаобогащенный МонтажTHT Обозначение производителяBXW120R036H4 Полярностьполевой ПроизводительBRIDGELUX
2 258 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BXW120R036H4, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

0.0
BXW3M1K7H
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора15нC КорпусTO247-3 МонтажTHT
‍722‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BXW3M1K7H, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 3А; Idm: 12А; 69Вт" 1.

0.0
BXW60M1K2H
Вид каналаобогащенный МонтажTHT Обозначение производителяBXW60M1K2H Полярностьполевой ПроизводительBRIDGELUX
3 379 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BXW60M1K2H, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

0.0
BXW60M1K2J
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора170нC КорпусTO247-4 МонтажTHT
4 007 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BXW60M1K2J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 60А; Idm: 240А; 271,7Вт" 1.

0.0
C2M0025120D
Вид каналаобогащенный Время готовности45нс Заряд затвора161нC КорпусTO247-3 МонтажTHT
17 194 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "C2M0025120D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 90А; 463Вт; TO247-3; 45нс" 1.

0.0
C2M0040120D
Вид каналаобогащенный Время готовности54нс Заряд затвора115нC КорпусTO247-3 МонтажTHT
8 981 
Доступность: 30 шт.
+

Минимальное количество для товара "C2M0040120D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 60А; 330Вт; TO247-3; 54нс" 1.

0.0
C2M0045170D
Вид каналаобогащенный Время готовности70нс Заряд затвора188нC КорпусTO247-3 МонтажTHT
20 883 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "C2M0045170D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 48А; 520Вт; TO247-3; 70нс" 1.

0.0
C2M0080120D
Вид каналаобогащенный Время готовности32нс Заряд затвора62нC КорпусTO247-3 МонтажTHT
5 110 
Доступность: 2 шт.
+

Минимальное количество для товара "C2M0080120D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 36А; 208Вт; TO247-3; 32нс" 1.

0.0
C2M0160120D
Вид каналаобогащенный Время готовности23нс Заряд затвора34нC КорпусTO247-3 МонтажTHT
2 598 
Доступность: 20 шт.
+

Минимальное количество для товара "C2M0160120D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 17,7А; 125Вт; TO247-3" 1.

0.0
C2M1000170D
Вид каналаобогащенный Время готовности20нс Заряд затвора13нC КорпусTO247-3 МонтажTHT
1 862 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "C2M1000170D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 4,9А; 69Вт; TO247-3; 20нс" 1.

0.0
C2M1000170J
Вид каналаобогащенный Время готовности20нс Заряд затвора13нC КорпусD2PAK-7 МонтажSMD
1 362 
Доступность: 4 шт.
+

Минимальное количество для товара "C2M1000170J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 5,3А; 78Вт; D2PAK-7; 20нс" 1.

0.0
C3M0015065K
Вид каналаобогащенный Заряд затвора188нC КорпусTO247-4 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-8...19В
8 913 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "C3M0015065K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 96А; Idm: 418А; 416Вт" 1.

0.0
C3M0016120K
Вид каналаобогащенный Заряд затвора211нC КорпусTO247-4 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-8...19В
16 224 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "C3M0016120K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 556Вт" 1.

0.0
C3M0030090K
Вид каналаобогащенный Время готовности62нс Заряд затвора87нC КорпусTO247-4 МонтажTHT
8 659 
Доступность: 30 шт.
+

Минимальное количество для товара "C3M0030090K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 900В; 40А; 149Вт; TO247-4; 62нс" 1.

0.0
C3M0040120D
Вид каналаобогащенный Время готовности75нс Заряд затвора101нC КорпусTO247-3 МонтажTHT
2 988 
Доступность: 16 шт.
+

Минимальное количество для товара "C3M0040120D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 48А; Idm: 223А; 326Вт" 1.

0.0
C3M0040120K
Вид каналаобогащенный Время готовности30нс Заряд затвора99нC КорпусTO247-4 МонтажTHT
3 640 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "C3M0040120K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 48А; Idm: 223А; 326Вт" 1.

0.0
C3M0060065D
Вид каналаобогащенный Заряд затвора46нC КорпусTO247-3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-8...19В
2 496 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "C3M0060065D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 27А; Idm: 99А; 150Вт" 1.

0.0
C3M0060065J
Вид каналаобогащенный Заряд затвора46нC КорпусD2PAK-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток-8...19В
2 886 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "C3M0060065J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 26А; Idm: 99А; 136Вт" 1.

0.0
C3M0060065K
Вид каналаобогащенный Заряд затвора46нC КорпусTO247-4 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-8...19В
2 666 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "C3M0060065K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 27А; Idm: 99А; 150Вт" 1.

0.0
C3M0065090D
Вид каналаобогащенный Время готовности30нс Заряд затвора30,4нC КорпусTO247-3 МонтажTHT
3 302 
Доступность: 55 шт.
+

Минимальное количество для товара "C3M0065090D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 900В; 36А; 125Вт; TO247-3; 30нс" 1.

0.0
C3M0065090J
Вид каналаобогащенный Время готовности16нс Заряд затвора30,4нC КорпусD2PAK-7 МонтажSMD
2 496 
Доступность: 59 шт.
+

Минимальное количество для товара "C3M0065090J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 900В; 35А; 113Вт; D2PAK-7; 16нс" 1.

0.0
C3M0065100J
Вид каналаобогащенный Время готовности14нс Заряд затвора9нC КорпусD2PAK-7 МонтажSMD
2 513 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "C3M0065100J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1кВ; 35А; 113,5Вт; D2PAK-7; 14нс" 1.

0.0
C3M0075120D
Вид каналаобогащенный Заряд затвора54нC КорпусTO247-3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-8...19В
3 523 
Доступность: 38 шт.
+

Минимальное количество для товара "C3M0075120D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 19,7А; Idm: 80А; 113,6Вт" 1.

Показать еще 24 товара
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (39)