Транзисторы униполярные

Производитель

Униполярные транзисторы (полевые транзисторы, FET) — это полупроводниковые приборы, в которых управление током осуществляется электрическим полем через изолированный затвор.

В отличие от биполярных, они потребляют почти нулевой ток управления, что делает их идеальными для высокочастотных, энергоэффективных и цифровых схем.

Наиболее распространённый тип — **MOSFET** (Metal-Oxide-Semiconductor FET), широко используемый в импульсных источниках питания, драйверах двигателей, DC-DC преобразователях и инверторах.

Мы предлагаем качественные униполярные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте высокую эффективность и надёжность — выбирайте профессиональные MOSFET на 7-el.ru!

0.0
CSD25304W1015T
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусDSBGA6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
‍270‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "CSD25304W1015T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3А; Idm: -41А; 0,75Вт; DSBGA6" 1.

0.0
CSD25310Q2
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,6нC КорпусWSON6 МонтажSMD
‍83‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "CSD25310Q2, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -20А; Idm: 48А; 2,9Вт; WSON6" 1.

0.0
CSD25310Q2T
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,6нC КорпусWSON6 МонтажSMD
‍116‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "CSD25310Q2T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -20А; Idm: 48А; 2,9Вт; WSON6" 1.

0.0
CSD25402Q3AT
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусVSONP8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
‍149‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "CSD25402Q3AT, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -35А; Idm: -148А; 69Вт; VSONP8" 1.

0.0
CSD25404Q3T
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10,9нC КорпусVSON-CLIP8 МонтажSMD
‍299‍ 
Доступность: 383 шт.
+

Минимальное количество для товара "CSD25404Q3T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -60А; 96Вт; VSON-CLIP8" 1.

0.0
CSD25480F3T
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусPICOSTAR3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
‍198‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "CSD25480F3T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,7А; Idm: -10,6А; 500мВт" 1.

0.0
CSD25481F4T
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусPICOSTAR3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
‍192‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "CSD25481F4T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,5А; Idm: -13,1А; 500мВт" 1.

0.0
CSD25483F4T
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусPICOSTAR3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
‍86‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "CSD25483F4T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,6А; Idm: -6,5А; 500мВт" 1.

0.0
CSD25484F4T
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусPICOSTAR3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
‍110‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "CSD25484F4T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,5А; Idm: -22А; 500мВт" 1.

0.0
CSD25485F5T
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусPICOSTAR3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
‍192‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "CSD25485F5T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -5,3А; Idm: -31А; 1,4Вт" 1.

0.0
CSD25501F3T
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусPICOSTAR3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
‍209‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "CSD25501F3T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,6А; Idm: -13,6А; 500мВт" 1.

0.0
CSD75208W1015T
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Конструкция диодаобщий источник КорпусDSBGA6
‍199‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "CSD75208W1015T, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -1,6А; Idm: -22А; 0,75Вт" 1.

0.0
CSD85301Q2T
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусWSON6 МонтажSMD
‍249‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "CSD85301Q2T, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 5А; Idm: 26А; 2,3Вт; WSON6" 1.

0.0
CSD85302LT
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Конструкция диодаобщий сток КорпусPICOSTAR4
‍289‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "CSD85302LT, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 1,7Вт; PICOSTAR4; ESD" 1.

0.0
CSD87335Q3DT
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,7/10,7нC КорпусLSON-CLIP8 МонтажSMD
‍314‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "CSD87335Q3DT, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 25А; 1,5Вт; LSON-CLIP8" 1.

0.0
CSD87502Q2T
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,2нC КорпусWSON6 МонтажSMD
‍195‍ 
Доступность: 274 шт.
+

Минимальное количество для товара "CSD87502Q2T, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 5А; 2,3Вт; WSON6; 2x2мм" 1.

0.0
CSD88537NDT
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14нC КорпусSO8 МонтажSMD
‍326‍ 
Доступность: 214 шт.
+

Минимальное количество для товара "CSD88537NDT, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 15А; 2,1Вт; SO8" 1.

0.0
CSD88539NDT
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,2нC КорпусSO8 МонтажSMD
‍233‍ 
Доступность: 488 шт.
+

Минимальное количество для товара "CSD88539NDT, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 15А; 2,1Вт; SO8" 1.

0.0
DACMH120N1200-DCO
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусHB9434 Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток-10...20В Напряжение сток-исток1,2кВ
48 387 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "DACMH120N1200, Модуль; транзистор/транзистор; 1,2кВ; 76А; HB9434; винтами; 500Вт" 1.

0.0
DACMH160N1200-DCO
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусHB9434 Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток-5...20В Напряжение сток-исток1,2кВ
33 107 
Доступность: 3 шт.
+

Минимальное количество для товара "DACMH160N1200, Модуль; транзистор/транзистор; 1,2кВ; 110А; HB9434; винтами; 580Вт" 1.

0.0
DACMH200N1200-DCO
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусHB9434 Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток-10...20В Напряжение сток-исток1,2кВ
76 740 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "DACMH200N1200, Модуль; транзистор/транзистор; 1,2кВ; 125А; HB9434; винтами; 980Вт" 1.

0.0
DACMH40N1200-DCO
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусHB9434 Механический монтажвинтами Напряжение сток-исток1,2кВ Обозначение производителяDACMH40N1200
22 750 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "DACMH40N1200, Модуль; транзистор/транзистор; 1,2кВ; 25А; HB9434; винтами; SiC" 1.

0.0
DACMH80N1200-DCO
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусHB9434 Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток-10...20В Напряжение сток-исток1,2кВ
33 956 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "DACMH80N1200, Модуль; транзистор/транзистор; 1,2кВ; 50А; HB9434; винтами; 460Вт" 1.

0.0
DACMI120N1200-DCO
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток-10...20В Напряжение сток-исток1,2кВ
20 713 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "DACMI120N1200, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 76А; SOT227B; винтами; 500Вт" 1.

Показать еще 24 товара
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (39)