Транзисторы униполярные

Производитель

Униполярные транзисторы (полевые транзисторы, FET) — это полупроводниковые приборы, в которых управление током осуществляется электрическим полем через изолированный затвор.

В отличие от биполярных, они потребляют почти нулевой ток управления, что делает их идеальными для высокочастотных, энергоэффективных и цифровых схем.

Наиболее распространённый тип — **MOSFET** (Metal-Oxide-Semiconductor FET), широко используемый в импульсных источниках питания, драйверах двигателей, DC-DC преобразователях и инверторах.

Мы предлагаем качественные униполярные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте высокую эффективность и надёжность — выбирайте профессиональные MOSFET на 7-el.ru!

0.0
DI1A0N60D1-AQ-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,3нC КорпусDPAK МонтажSMD
‍81‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "DI1A0N60D1-AQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 0,63А; Idm: 2,5А; 25Вт; DPAK" 1.

0.0
DI1A5N60D1-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,9нC КорпусDPAK, TO252AA МонтажSMD
‍81‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "DI1A5N60D1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 0,97А; Idm: 6А; 25Вт" 1.

0.0
DI200N04D2-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора90нC КорпусD2PAK, TO263AB МонтажSMD
‍526‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "DI200N04D2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 180А; Idm: 800А; 225Вт" 1.

0.0
DI200N04PQ-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора92нC КорпусQFN5x6 МонтажSMD
‍379‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "DI200N04PQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 165А; Idm: 800А; 180Вт; QFN5x6" 1.

0.0
DI200N10D2-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора262нC КорпусD2PAK, TO263AB МонтажSMD
‍528‍ 
Доступность: 875 шт.
+

Минимальное количество для товара "DI200N10D2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 185А; Idm: 950А; 340Вт" 1.

0.0
DI260N04D2-AQ-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора68нC КорпусD2PAK МонтажSMD
‍396‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "DI260N04D2-AQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 184А; Idm: 1,039кА; 150Вт; D2PAK" 1.

0.0
DI280N10TL-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора122нC КорпусHSOF-8 МонтажSMD
‍620‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "DI280N10TL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 194А; Idm: 1,2кА; 425Вт; HSOF-8" 1.

0.0
DI2A2N100D1K-AQ
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC КорпусDPAK МонтажSMD
‍162‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "DI2A2N100D1K-AQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 1,4А; Idm: 25А; 30Вт; DPAK" 1.

0.0
DI2A2N100D1K-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC КорпусDPAK МонтажSMD
‍247‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "DI2A2N100D1K, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 1,4А; Idm: 25А; 30Вт; DPAK" 1.

0.0
DI2A7N70D1K-DIO
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,8нC КорпусDPAK, TO252AA
‍185‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "DI2A7N70D1K, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 1,7А; Idm: 6А; 34,4Вт; ESD" 1.

0.0
DI2A8N03PWK2-DIO
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,8нC КорпусQFN2X2
‍111‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "DI2A8N03PWK2, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 3А; Idm: 12А; 1,4Вт; QFN2X2" 1.

0.0
DI320N04TL-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора92нC КорпусTOLL МонтажSMD
‍202‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "DI320N04TL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 320А; Idm: 1200А; 250Вт; TOLL" 1.

0.0
DI330N04D7-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора157нC КорпусD2PAK-7 МонтажSMD
‍688‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "DI330N04D7, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 330А; Idm: 1,4А; 375Вт; D2PAK-7" 1.

0.0
DI4A5C06SQ-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12,5нC КорпусSO8 МонтажSMD
‍128‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "DI4A5C06SQ, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 60/-60В; 4,5/-3,5А; Idm: 20÷-20А" 1.

0.0
DI4A7P06SQ2-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,5нC КорпусSO8 МонтажSMD
‍177‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "DI4A7P06SQ2, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -60В; -4,7А; Idm: -30А; 3Вт; SO8" 1.

0.0
DI5A0N60D1-AQ-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10,6нC КорпусDPAK МонтажSMD
‍171‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "DI5A0N60D1-AQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 3,2А; Idm: 12А; 45Вт; DPAK" 1.

0.0
DI5A6C04SQ-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,3нC КорпусSO8 МонтажSMD
‍115‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "DI5A6C04SQ, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 40В; 5,6/-4,7А; Idm: 20÷-20А; SO8" 1.

0.0
DI5A7N65D1K-AQ-DIO
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18,4нC КорпусDPAK, TO252AA
‍372‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "DI5A7N65D1K-AQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 3,6А; Idm: 25А; 36Вт; ESD" 1.

0.0
DI5A7N65D1K-DIO
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18,4нC КорпусDPAK, TO252AA
‍233‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "DI5A7N65D1K, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 3,6А; Idm: 25А; 36Вт; ESD" 1.

0.0
DI6A7P02SQ-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,5нC КорпусSO8 МонтажSMD
‍120‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "DI6A7P02SQ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; 20В; -6,7А; Idm: -27А; 2,5Вт; SO8" 1.

0.0
DI7A5N65D2K-AQ-DIO
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18,4нC КорпусD2PAK, TO263AB
‍301‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "DI7A5N65D2K-AQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 4,7А; Idm: 25А; 62,5Вт; ESD" 1.

0.0
DI7A5N65D2K-DIO
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18,4нC КорпусD2PAK, TO263AB
‍270‍ 
Доступность: 48 шт.
+

Минимальное количество для товара "DI7A5N65D2K, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 4,7А; Idm: 25А; 62,5Вт; ESD" 1.

0.0
DI7A6N04SQ2-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC КорпусSO8 МонтажSMD
‍74‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "DI7A6N04SQ2, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 7,6А; Idm: 50А; 3,1Вт; SO8" 1.

0.0
DI7A6N10SQ-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC КорпусSO8 МонтажSMD
‍170‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "DI7A6N10SQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 7,6А; Idm: 200А; 2,5Вт; SO8" 1.

Показать еще 24 товара
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (39)