DI7A6N10SQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 7,6А; Idm: 200А; 2,5Вт; SO8

DI7A6N10SQ-DIO

Срок поставки 4-6 недель

207.48 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
100+
500+
1000+
2000+
4000+
8000+
12000+
Цена
136.05 ₽
91.84 ₽
72.28 ₽
65.48 ₽
59.52 ₽
55.27 ₽
51.87 ₽
51.02 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "DI7A6N10SQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 7,6А; Idm: 200А; 2,5Вт; SO8" 1.

Артикул производителя
DI7A6N10SQ DIOTEC SEMICONDUCTOR
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
22нC
Код производителя
DI7A6N10SQ
Корпус
SO8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
100В
Полярность
полевой
Производитель
DIOTEC SEMICONDUCTOR
Рассеиваемая мощность
2,5Вт
Сопротивление в открытом состоянии
28мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
7,6А
Ток стока в импульсном режиме
200А

Отзывы не найдены

Описание (di7a6n10sq.pdf, 945 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России