Товары из категории транзисторы униполярные - страница 94

Производитель
Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±15В
208.08 
Доступность: 1478 шт.
 

Минимальное количество для товара "CPC3703CTR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 0,36А; 1,1Вт; SOT89" 1.

Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
140.72 
Доступность: 2575 шт.
 

Минимальное количество для товара "CPC3708CTR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 350В; 0,13А; 1,8Вт; SOT89" 1.

Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
116.77 
Доступность: 885 шт.
 

Минимальное количество для товара "CPC3708ZTR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 350В; 0,13А; 2,5Вт; SOT223" 1.

Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±15В
199.85 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CPC3710CTR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 0,22А; 1,4Вт; SOT89" 1.

Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±15В
238.77 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CPC3714CTR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 350В; 0,24А; 1,4Вт; SOT89" 1.

Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±15В
92.07 
Доступность: 376 шт.
 

Минимальное количество для товара "CPC3720CTR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 350В; 0,13А; 1,4Вт; SOT89" 1.

Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±15В
157.93 
Доступность: 23 шт.
 

Минимальное количество для товара "CPC3730CTR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 350В; 0,14А; 1,4Вт; SOT89" 1.

Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±15В
221.56 
Доступность: 88 шт.
 

Минимальное количество для товара "CPC3902ZTR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 0,4А; 1,8Вт; SOT223" 1.

Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±15В
232.78 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CPC3909CTR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 400В; 0,3А; 1,1Вт; SOT89" 1.

Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±15В
126.50 
Доступность: 1000 шт.
 

Минимальное количество для товара "CPC3960ZTR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 0,1А; 1,8Вт; SOT223" 1.

Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±15В
233.53 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CPC3980ZTR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 0,1А; 1,8Вт; SOT223" 1.

Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±15В
78.59 
Доступность: 2400 шт.
 

Минимальное количество для товара "CPC3982TTR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 0,15А; 0,4Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
205.84 
Доступность: 531 шт.
 

Минимальное количество для товара "CPC5602CTR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 350В; 0,13А; 2,5Вт; SOT223" 1.

Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
133.98 
Доступность: 181 шт.
 

Минимальное количество для товара "CPC5603CTR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 415В; 0,13А; 2,5Вт; SOT223" 1.

Обозначение производителяCPH6337-TL-W ПроизводительONSEMI Тип транзистораP-MOSFET
34.43 
Доступность: 2639 шт.
 

Минимальное количество для товара "CPH6337-TL-W, Транзистор: P-MOSFET" 376.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC КорпусSOT26
119.76 
Доступность: 264 шт.
 

Минимальное количество для товара "CPH6341-TL-W, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -5А; Idm: -20А; 1,6Вт; SOT26" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC КорпусSOT23 МонтажSMD
107.78 
Доступность: 2573 шт.
 

Минимальное количество для товара "CPH6350-TL-W, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -6А; Idm: -24А; 1,6Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусDSBGA4 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±10В
294.91 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD13302WT, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 12В; 1,6А; Idm: 29А; 1,8Вт; DSBGA4" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусDSBGA6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±10В
132.49 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD13306WT, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 12В; 3,5А; Idm: 44А; 1,9Вт; DSBGA6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусPICOSTAR3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
182.63 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD13380F3T, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 12В; 3,6А; Idm: 13,5А; 1,4Вт" 1.

Показать еще 20 товаров

Униполярные транзисторы (полевые транзисторы, FET) — это полупроводниковые приборы, в которых управление током осуществляется электрическим полем через изолированный затвор.

В отличие от биполярных, они потребляют почти нулевой ток управления, что делает их идеальными для высокочастотных, энергоэффективных и цифровых схем.

Наиболее распространённый тип — **MOSFET** (Metal-Oxide-Semiconductor FET), широко используемый в импульсных источниках питания, драйверах двигателей, DC-DC преобразователях и инверторах.

Мы предлагаем качественные униполярные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте высокую эффективность и надёжность — выбирайте профессиональные MOSFET на 7-el.ru!

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж