Товары из категории транзисторы униполярные - страница 98

Производитель
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
139.91 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ088N03MSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 35Вт; PG-TSDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
243.88 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ0901NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 50Вт; PG-TSDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
230.12 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ0901NSIATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 69Вт; PG-TSDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ0902NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 48Вт; PG-TSDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ0902NSIATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 48Вт; PG-TSDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток34В
124.62 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ0909NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 34В; 32А; 25Вт; PG-TSDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8FL МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ096N10LS5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 39А; Idm: 160А; 69Вт" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В
71.87 
Доступность: 4875 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSZ097N04LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 40А; 35Вт; PG-TSDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ097N10NS5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 40А; 69Вт; PG-TSDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора5,2нC КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
163.61 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ0994NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 13А; 2,1Вт; PG-TSDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора6,9нC КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ099N06LS5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 29А; 36Вт; PG-TSDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
139.91 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ100N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 36А; 30Вт; PG-TSDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
52.75 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ100N03MSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 39А; 30Вт; PG-TSDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ100N06LS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 20А; 50Вт; PG-TSDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ100N06NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 40А; 36Вт; PG-TSDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора13нC КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
138.38 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ105N04NSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 29А; 35Вт; PG-TSDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ110N06NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 20А; Idm: 80А; 50Вт; PG-TSDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток80В
255.35 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ110N08NS5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 40А; 50Вт; PG-TSDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±25В Напряжение сток-исток-30В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ120P03NS3GATMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -40А; 52Вт; PG-TSDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток80В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ123N08NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 40А; 66Вт; PG-TSDSON-8" 1.

Показать еще 20 товаров

Униполярные транзисторы (полевые транзисторы, FET) — это полупроводниковые приборы, в которых управление током осуществляется электрическим полем через изолированный затвор.

В отличие от биполярных, они потребляют почти нулевой ток управления, что делает их идеальными для высокочастотных, энергоэффективных и цифровых схем.

Наиболее распространённый тип — **MOSFET** (Metal-Oxide-Semiconductor FET), широко используемый в импульсных источниках питания, драйверах двигателей, DC-DC преобразователях и инверторах.

Мы предлагаем качественные униполярные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте высокую эффективность и надёжность — выбирайте профессиональные MOSFET на 7-el.ru!

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж