Товары из категории транзисторы - страница 146

Производитель
Вид каналаобедненный Вид упаковкитуба КорпусTO220 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
334.58 
Доступность: 4 шт.
 

Минимальное количество для товара "DN2535N5-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 350В; 0,15А; 15Вт; TO220" 1.

Вид каналаобедненный Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
187.87 
Доступность: 142 шт.
 

Минимальное количество для товара "DN2540N3-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 400В; 120мА; Idm: 0,5А; 1Вт; TO92" 1.

Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
197.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DN2540N3-G-P003, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 400В; 120мА; Idm: 0,5А; 1Вт; TO92" 1.

Вид каналаобедненный Вид упаковкитуба КорпусTO220 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
321.11 
Доступность: 235 шт.
 

Минимальное количество для товара "DN2540N5-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 400В; 500мА; Idm: 0,5А; 15Вт; TO220" 1.

Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
264.97 
Доступность: 208 шт.
 

Минимальное количество для товара "DN2540N8-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 400В; 170мА; Idm: 0,5А; 1,6Вт" 1.

Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
330.84 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DN2625K4-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 1,1А; 2,5Вт; TO252" 1.

Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
156.44 
Доступность: 279 шт.
 

Минимальное количество для товара "DN3135K1-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 350В; 0,18А; 360мВт; SOT23-3" 1.

Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
181.14 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DN3525N8-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 0,3А; 1,6Вт; SOT89-3" 1.

Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
189.37 
Доступность: 1629 шт.
 

Минимальное количество для товара "DN3535N8-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 350В; 0,2А; 1,6Вт; SOT89-3" 1.

Вид каналаобедненный Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
161.68 
Доступность: 998 шт.
 

Минимальное количество для товара "DN3545N3-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 450В; 0,2А; 740мВт; TO92" 1.

Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
241.77 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DN3545N8-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 450В; 0,2А; 1,6Вт; SOT89-3" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,6нC КорпусECH8
160.93 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "ECH8657-TL-H, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 35В; 4,5А; Idm: 30А; 1,5Вт; ECH8" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Вид упаковкибобина, лента КорпусECH8
208.83 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "ECH8690-TL-H, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 60/-60В" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC Конструкция диодаобщий сток
107.04 
Доступность: 2062 шт.
 

Минимальное количество для товара "ECH8695R-TL-W, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 24В; 11А; Idm: 60А; 1,4Вт; ECH8" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусWLCSP4 МонтажSMD
38.92 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "EFC4612R-S-TR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 24В; 6А; Idm: 60А; 1,6Вт; WLCSP4" 5.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,4нC КорпусSOT563
110.03 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "EM6J1T2R, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; 200мА; Idm: -0,8А; 150мВт" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563 МонтажSMD
120.51 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "EM6K31T2R, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 250мА; Idm: 1А; 150мВт; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563 МонтажSMD
91.32 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "EM6K33T2R, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 50В; 200мА; Idm: 0,8А; 150мВт" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563 МонтажSMD
65.12 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "EM6K34T2CR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 50В; 200мА; Idm: 0,8А; 150мВт" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563 МонтажSMD
98.05 
Доступность: 7850 шт.
 

Минимальное количество для товара "EM6K6T2R, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 300мА; Idm: 0,6А; 150мВт" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления, коммутации и управления электрическими сигналами и мощными нагрузками. Они являются основой современной электроники и применяются в источниках питания, усилителях, драйверах двигателей, преобразователях и цифровых схемах.

Транзисторы отличаются высокой надёжностью, стабильностью параметров и совместимостью с широким спектром схем.

Мы предлагаем качественные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте точное и эффективное управление — выбирайте профессиональные решения на 7-el.ru!

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж