Товары из категории транзисторы, стр.330

Производитель

Транзисторы — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления, коммутации и управления электрическими сигналами и мощными нагрузками. Они являются основой современной электроники и применяются в источниках питания, усилителях, драйверах двигателей, преобразователях и цифровых схемах.

Транзисторы отличаются высокой надёжностью, стабильностью параметров и совместимостью с широким спектром схем.

Мы предлагаем качественные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте точное и эффективное управление — выбирайте профессиональные решения на 7-el.ru!

0.0
FZT953TA
Вид упаковкибобина, лента Количество в комплекте/упаковке1000шт. КорпусSOT223 Коэффициент усиления по току100...300 МонтажSMD
172.87 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FZT953TA, Транзистор: PNP; биполярный; 100В; 5А; 1,6Вт; SOT223" 1.

0.0
FZT956QTA
Вид упаковкибобина, лента Количество в комплекте/упаковке1000шт. КорпусSOT223 Коэффициент усиления по току10...300 МонтажSMD
193.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FZT956QTA, Транзистор: PNP; биполярный; 200В; 2А; 3Вт; SOT223" 1.

0.0
FZT956TA
Вид упаковкибобина, лента Количество в комплекте/упаковке1000шт. КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер200В
231.78 
Доступность: 326 шт.
 

Минимальное количество для товара "FZT956TA, Транзистор: PNP; биполярный; 200В; 2А; 3Вт; SOT223" 1.

0.0
FZT957TA
Вид упаковкибобина, лента Количество в комплекте/упаковке1000шт. КорпусSOT223 Коэффициент усиления по току100...300 МонтажSMD
239.53 
Доступность: 22 шт.
 

Минимальное количество для товара "FZT957TA, Транзистор: PNP; биполярный; 300В; 1А; 1,6Вт; SOT223" 1.

0.0
FZT958TA
Вид упаковкибобина, лента Количество в комплекте/упаковке1000шт. КорпусSOT223 Коэффициент усиления по току100...300 МонтажSMD
118.60 
Доступность: 954 шт.
 

Минимальное количество для товара "FZT958TA, Транзистор: PNP; биполярный; 400В; 0,5А; 1,6Вт; SOT223" 1.

0.0
FZT968TA
Вид упаковкибобина, лента Количество в комплекте/упаковке1000шт. КорпусSOT223 Коэффициент усиления по току50...1000 МонтажSMD
187.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FZT968TA, Транзистор: PNP; биполярный; 12В; 6А; 3Вт; SOT223" 1.

0.0
G2R1000MT17J
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток-5...20В
976.74 
Доступность: 187 шт.
 

Минимальное количество для товара "G2R1000MT17J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 4А; Idm: 8А; 54Вт; TO263-7" 1.

0.0
G3R160MT12D
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора28нC КорпусTO247-3 МонтажTHT
990.70 
Доступность: 845 шт.
 

Минимальное количество для товара "G3R160MT12D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 16А; Idm: 40А; 123Вт" 1.

0.0
G3R160MT17D
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора21нC КорпусTO247-3 МонтажTHT
1 737.98 
Доступность: 383 шт.
 

Минимальное количество для товара "G3R160MT17D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 15А; Idm: 48А; 175Вт" 1.

0.0
G3R160MT17J
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора51нC КорпусTO263-7 МонтажSMD
2 062.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "G3R160MT17J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 15А; Idm: 48А; 187Вт" 1.

0.0
G3R20MT12K
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора219нC КорпусTO247-4 МонтажTHT
5 581.40 
Доступность: 569 шт.
 

Минимальное количество для товара "G3R20MT12K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 90А; Idm: 240А; 542Вт" 1.

0.0
G3R20MT12N
Вид каналаобогащенный Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток-5...15В
8 536.43 
Доступность: 110 шт.
 

Минимальное количество для товара "G3R20MT12N, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 74А; SOT227B; винтами; 365Вт" 1.

0.0
G3R20MT17K
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора400нC КорпусTO247-4 МонтажTHT
16 840.31 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "G3R20MT17K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 88А; Idm: 300А; 809Вт" 1.

0.0
G3R20MT17N
Вид каналаобогащенный Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток-5...15В
17 488.37 
Доступность: 2 шт.
 

Минимальное количество для товара "G3R20MT17N, Модуль; одиночный транзистор; 1,7кВ; 70А; SOT227B; винтами; 523Вт" 1.

0.0
G3R30MT12J
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора155нC КорпусTO263-7 МонтажSMD
3 643.41 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "G3R30MT12J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 68А; Idm: 200А; 459Вт" 1.

0.0
G3R30MT12K
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора155нC КорпусTO247-4 МонтажTHT
3 483.72 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "G3R30MT12K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 63А; Idm: 200А; 400Вт" 1.

0.0
G3R350MT12D
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора12нC КорпусTO247-3 МонтажTHT
573.64 
Доступность: 373 шт.
 

Минимальное количество для товара "G3R350MT12D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 8А; Idm: 16А; 74Вт" 1.

0.0
G3R350MT12J
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора12нC КорпусTO263-7 МонтажSMD
682.17 
Доступность: 728 шт.
 

Минимальное количество для товара "G3R350MT12J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 8А; Idm: 16А; 75Вт" 1.

0.0
G3R40MT12D
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора106нC КорпусTO247-3 МонтажTHT
2 646.51 
Доступность: 109 шт.
 

Минимальное количество для товара "G3R40MT12D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 50А; Idm: 140А; 333Вт" 1.

0.0
G3R40MT12K
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора106нC КорпусTO247-4 МонтажTHT
2 294.57 
Доступность: 277 шт.
 

Минимальное количество для товара "G3R40MT12K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 50А; Idm: 140А; 333Вт" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж