Товары из категории транзисторы, стр.331

Производитель

Транзисторы — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления, коммутации и управления электрическими сигналами и мощными нагрузками. Они являются основой современной электроники и применяются в источниках питания, усилителях, драйверах двигателей, преобразователях и цифровых схемах.

Транзисторы отличаются высокой надёжностью, стабильностью параметров и совместимостью с широким спектром схем.

Мы предлагаем качественные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте точное и эффективное управление — выбирайте профессиональные решения на 7-el.ru!

0.0
G3R450MT17D
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора18нC КорпусTO247-3 МонтажTHT
1 094.57 
Доступность: 85 шт.
 

Минимальное количество для товара "G3R450MT17D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 6А; Idm: 16А; 88Вт" 1.

0.0
G3R450MT17J
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора18нC КорпусTO263-7 МонтажSMD
948.84 
Доступность: 841 шт.
 

Минимальное количество для товара "G3R450MT17J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 6А; Idm: 16А; 91Вт" 1.

0.0
G3R45MT17D
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора182нC КорпусTO247-3 МонтажTHT
4 142.64 
Доступность: 12 шт.
 

Минимальное количество для товара "G3R45MT17D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 43А; Idm: 160А; 438Вт" 1.

0.0
G3R45MT17K
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора182нC КорпусTO247-4 МонтажTHT
5 021.71 
Доступность: 287 шт.
 

Минимальное количество для товара "G3R45MT17K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 43А; Idm: 160А; 438Вт" 1.

0.0
G3R75MT12D
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора54нC КорпусTO247-3 МонтажTHT
1 595.35 
Доступность: 51 шт.
 

Минимальное количество для товара "G3R75MT12D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 29А; Idm: 80А; 207Вт" 1.

0.0
G3R75MT12K
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора54нC КорпусTO247-4 МонтажTHT
1 350.39 
Доступность: 453 шт.
 

Минимальное количество для товара "G3R75MT12K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 29А; Idm: 80А; 207Вт" 1.

0.0
GAN041-650WSBQ
Вид транзистораHEMT, каскодный Вид упаковкитуба Заряд затвора22нC КорпусSOT429, TO247 МонтажTHT
1 613.95 
Доступность: 21 шт.
 

Минимальное количество для товара "GAN041-650WSBQ, Транзистор: N-JFET/N-MOSFET; GaN; полевой; HEMT,каскодный; 650В" 1.

0.0
GAN063-650WSAQ
Вид транзистораHEMT, каскодный Вид упаковкитуба Заряд затвора15нC КорпусSOT429, TO247 МонтажTHT
2 872.87 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GAN063-650WSAQ, Транзистор: N-JFET/N-MOSFET; GaN; полевой; HEMT,каскодный; 650В" 1.

0.0
HCT7000M-TTE
Обозначение производителяHCT7000M ПроизводительTT ELECTRONICS
4 511.63 
Доступность: 38 шт.
 

Минимальное количество для товара "HCT7000M, HCT7000M" 3.

0.0
HD1750FX
Вид упаковкитуба КорпусISOWATT218FX МонтажTHT Напряжение коллектор-эмиттер800В Обозначение производителяHD1750FX
755.04 
Доступность: 19 шт.
 

Минимальное количество для товара "HD1750FX, Транзистор: NPN; биполярный; 800В; 24А; 75Вт; ISOWATT218FX" 1.

0.0
HFA3102BZ
Вид транзистораRF КорпусSO14 Коэффициент усиления по току70 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер
1 358.14 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "HFA3102BZ, Транзистор: NPN x6; биполярный; RF; 8В; 30мА; 250мВт; SO14" 1.

0.0
HFA3127BZ
Вид транзистораRF КорпусSO16 Коэффициент усиления по току130 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер12В
2 024.81 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "HFA3127BZ, Транзистор: NPN x5; биполярный; RF; 12В; 37мА; 150мВт; SO16" 1.

0.0
HFA3127RZ
Вид транзистораRF Вид упаковкибобина, лента КорпусQFN16 Коэффициент усиления по току130 МонтажSMD
1 897.67 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "HFA3127RZ, Транзистор: NPN x5; биполярный; RF; 12В; 37мА; 150мВт; QFN16" 1.

0.0
HP8KA1TB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора24нC Конструкция диодаобщий сток КорпусHSOP8
204.65 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "HP8KA1TB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 14А; Idm: 28А; 3Вт; HSOP8" 1.

0.0
HP8MA2TB1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22/25нC КорпусHSOP8 МонтажSMD
248.84 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "HP8MA2TB1, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 18/-15А; Idm: 48А; 7Вт" 1.

0.0
HS8K11TB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11,1/20,2C КорпусuDFN8 МонтажSMD
131.78 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "HS8K11TB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 7/11А; Idm: 28÷44А; 2Вт" 1.

0.0
HS8K1TB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6/7,4нC КорпусuDFN8 МонтажSMD
126.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "HS8K1TB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 10/11А; Idm: 40÷44А; 2Вт" 1.

0.0
HUF75321P3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора44нC КорпусTO220AB МонтажTHT
181.40 
Доступность: 99 шт.
 

Минимальное количество для товара "HUF75321P3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 31А; 93Вт; TO220AB" 1.

0.0
HUF75332P3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора85нC КорпусTO220AB МонтажTHT
289.92 
Доступность: 10 шт.
 

Минимальное количество для товара "HUF75332P3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 60А; 145Вт; TO220AB" 1.

0.0
HUF75339P3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора130нC КорпусTO220AB МонтажTHT
238.76 
Доступность: 76 шт.
 

Минимальное количество для товара "HUF75339P3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 75А; 200Вт; TO220AB" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж