Москва
 +7(499)550-50-61
NEXPERIA

GAN041-650WSBQ, Транзистор: N-JFET/N-MOSFET; GaN; полевой; HEMT,каскодный; 650В

Написать отзыв
GAN041-650WSBQ

Срок поставки 4-6 недель

Бренд: NEXPERIA
5 103.74 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
10+
30+
Цена
4 109.69 ₽
2 768.71 ₽
Доступность: 4 шт.
 

Минимальное количество для товара "GAN041-650WSBQ, Транзистор: N-JFET/N-MOSFET; GaN; полевой; HEMT,каскодный; 650В" 1.

Отложить
Артикул производителя
GAN041-650WSBQ NEXPERIA
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид транзистора
HEMT, каскодный
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
22нC
Код производителя
GAN041-650WSBQ
Корпус
SOT429, TO247
Монтаж
THT
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
650В
Полярность
полевой
Производитель
NEXPERIA
Рассеиваемая мощность
187Вт
Сопротивление в открытом состоянии
35мОм
Технология
GaN
Тип транзистора
N-JFET/N-MOSFET
Ток стока
33,4А
Ток стока в импульсном режиме
240А
Найти похожие

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России