Москва
 +7(499)550-50-61
NEXPERIA

GAN063-650WSAQ, Транзистор: N-JFET/N-MOSFET; GaN; полевой; HEMT,каскодный; 650В

Написать отзыв
GAN063-650WSAQ

Срок поставки 4-6 недель

Бренд: NEXPERIA
3 466.84 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
30+
270+
Цена
3 058.67 ₽
2 650.51 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "GAN063-650WSAQ, Транзистор: N-JFET/N-MOSFET; GaN; полевой; HEMT,каскодный; 650В" 1.

Отложить
Артикул производителя
GAN063-650WSAQ NEXPERIA
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид транзистора
HEMT, каскодный
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
15нC
Код производителя
GAN063-650WSAQ
Корпус
SOT429, TO247
Монтаж
THT
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
650В
Полярность
полевой
Производитель
NEXPERIA
Рассеиваемая мощность
143Вт
Сопротивление в открытом состоянии
50мОм
Технология
GaN
Тип транзистора
N-JFET/N-MOSFET
Ток стока
24,4А
Ток стока в импульсном режиме
150А
Найти похожие

Отзывы не найдены

Описание (gan063-650wsa.pdf, 282 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России