Товары из категории транзисторы, стр.333

Производитель

Транзисторы — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления, коммутации и управления электрическими сигналами и мощными нагрузками. Они являются основой современной электроники и применяются в источниках питания, усилителях, драйверах двигателей, преобразователях и цифровых схемах.

Транзисторы отличаются высокой надёжностью, стабильностью параметров и совместимостью с широким спектром схем.

Мы предлагаем качественные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте точное и эффективное управление — выбирайте профессиональные решения на 7-el.ru!

0.0
IMH1AT110
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSC74, SOT457 Коэффициент усиления по току56 МонтажSMD
30.23 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IMH1AT110, Транзистор: NPN x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 300мВт; SC74,SOT457" 1.

0.0
IMH21T110
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSC74, SOT457 Коэффициент усиления по току820...2700 МонтажSMD
46.51 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IMH21T110, Транзистор: NPN x2; биполярный; BRT; 20В; 0,6А; 300мВт; SC74,SOT457" 3.

0.0
IMH23T110
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSC74, SOT457 Коэффициент усиления по току820...2700 МонтажSMD
51.16 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IMH23T110, Транзистор: NPN x2; биполярный; BRT; 20В; 0,6А; 300мВт; SC74,SOT457" 1.

0.0
IMH2AT110
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSC74, SOT457 Коэффициент усиления по току68 МонтажSMD
47.29 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IMH2AT110, Транзистор: NPN x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 300мВт; SC74,SOT457" 1.

0.0
IMH4AT110
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSC74, SOT457 Коэффициент усиления по току100...600 МонтажSMD
16.28 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IMH4AT110, Транзистор: NPN x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 300мВт; SC74,SOT457" 3000.

0.0
IMH5AT108
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSC74, SOT457 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер50В
27.91 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IMH5AT108, Транзистор: NPN x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 300мВт; SC74,SOT457" 5.

0.0
IMH9AT110
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSC74, SOT457 Коэффициент усиления по току68 МонтажSMD
28.68 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IMH9AT110, Транзистор: NPN x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 300мВт; SC74,SOT457" 1.

0.0
IMT18T110
Вид упаковкибобина, лента КорпусSC74, SOT457 Коэффициент усиления по току270...680 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер12В
63.57 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IMT18T110, Транзистор: PNP x2; биполярный; 12В; 0,5А; 300мВт; SC74,SOT457" 1.

0.0
IMT1AT110
Вид упаковкибобина, лента КорпусSC74, SOT457 Коэффициент усиления по току120...560 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер50В
40.31 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IMT1AT110, Транзистор: PNP x2; биполярный; 50В; 0,15А; 300мВт; SC74,SOT457" 1.

0.0
IMW120R014M1HXKSA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO247 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-7...20В
8 316.28 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IMW120R014M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 89,3А; Idm: 267,9А; 227Вт" 1.

0.0
IMW120R020M1HXKSA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO247 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-7...20В
5 941.09 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IMW120R020M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 71А; Idm: 213А; 188Вт" 1.

0.0
IMW120R030M1HXKSA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO247 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-7...23В
3 423.26 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IMW120R030M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 45А; Idm: 150А; 114Вт" 1.

0.0
IMW120R045M1XKSA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO247 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-10...20В
3 762.79 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IMW120R045M1XKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 36А; Idm: 130А; 114Вт" 1.

0.0
IMW120R060M1HXKSA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO247 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-7...23В
2 249.61 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IMW120R060M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 26А; Idm: 76А; 75Вт; TO247" 1.

0.0
IMW120R090M1HXKSA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO247 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-7...23В
2 156.59 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IMW120R090M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 18А; Idm: 50А; 58Вт; TO247" 1.

0.0
IMW120R140M1HXKSA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO247 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-7...23В
2 068.22 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IMW120R140M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 13А; Idm: 32А; 47Вт; TO247" 1.

0.0
IMW120R220M1HXKSA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO247 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-7...23В
1 514.73 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IMW120R220M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 9,5А; Idm: 21А; 37,5Вт" 1.

0.0
IMW120R350M1HXKSA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO247 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-7...23В
1 018.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IMW120R350M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 4,7А; Idm: 13А; 30Вт" 1.

0.0
IMW65R027M1HXKSA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO247 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-5...23В
4 582.95 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IMW65R027M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 39А; Idm: 185А; 189Вт" 1.

0.0
IMW65R048M1HXKSA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO247 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-5...23В
3 553.49 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IMW65R048M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 24А; Idm: 100А; 125Вт" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж