Москва
 +7(993)080-09-37

Товары из категории транзисторы - страница 356

Производитель
Сортировать по:
Новинки ниже
PJS6601_S1_00001, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 4,1/-3,1А; 1,25Вт
0.0
PJS6601-S1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,6/5,4нC КорпусSOT23-6 МонтажSMD
67.22 ₽
Доступность: 2586 шт.
 

Минимальное количество для товара "PJS6601_S1_00001, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 4,1/-3,1А; 1,25Вт" 1.

PJS6816_S1_00001, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 5,2А; Idm: 20,8А; 1,25Вт
0.0
PJS6816-S1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
80.06 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PJS6816_S1_00001, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 5,2А; Idm: 20,8А; 1,25Вт" 1.

PJS6839_S1_00001, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -60В; -300мА; Idm: -1А; 500мВт
0.0
PJS6839-S1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,1нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
57.40 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PJS6839_S1_00001, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -60В; -300мА; Idm: -1А; 500мВт" 1.

PJT138K-AU_R1_000A1, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 50В; 360мА; Idm: 1,2А; 236мВт
0.0
PJT138K-AU-R1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1нC КорпусSOT363 МонтажSMD
45.32 ₽
Доступность: 3000 шт.
 

Минимальное количество для товара "PJT138K-AU_R1_000A1, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 50В; 360мА; Idm: 1,2А; 236мВт" 1.

PJT7600_R1_00001, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 1А/-700мА; 350мВт
0.0
PJT7600-R1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,6/2,2нC КорпусSOT363 МонтажSMD
78.55 ₽
Доступность: 2685 шт.
 

Минимальное количество для товара "PJT7600_R1_00001, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 1А/-700мА; 350мВт" 1.

PJT7600_S1_00001, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; SOT363
0.0
PJT7600-S1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусSOT363 МонтажSMD Обозначение производителяPJT7600_S1_00001
45.32 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PJT7600_S1_00001, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; SOT363" 1.

PJT7603_R1_00001, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 50/-60В; -250/400мА; 350мВт
0.0
PJT7603-R1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,95/1,1нC КорпусSOT363 МонтажSMD
46.83 ₽
Доступность: 2760 шт.
 

Минимальное количество для товара "PJT7603_R1_00001, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 50/-60В; -250/400мА; 350мВт" 1.

PJT7605-AU_R1_000A1, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; SOT363
0.0
PJT7605-AU-R1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусSOT363 МонтажSMD Обозначение производителяPJT7605-AU_R1_000A1
148.79 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PJT7605-AU_R1_000A1, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; SOT363" 1.

PJT7800_R1_00001, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 1А; Idm: 4А; 350мВт; SOT363
0.0
PJT7800-R1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,6нC КорпусSOT363 МонтажSMD
24.17 ₽
Доступность: 5968 шт.
 

Минимальное количество для товара "PJT7800_R1_00001, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 1А; Idm: 4А; 350мВт; SOT363" 1.

PJT7801_R1_00001, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -700мА; Idm: -2,8А; 350мВт
0.0
PJT7801-R1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,2нC КорпусSOT363 МонтажSMD
86.10 ₽
Доступность: 2845 шт.
 

Минимальное количество для товара "PJT7801_R1_00001, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -700мА; Idm: -2,8А; 350мВт" 1.

PJT7828_R1_00001, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 300мА; Idm: 0,6А; 350мВт
0.0
PJT7828-R1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,9нC КорпусSOT363 МонтажSMD
60.42 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PJT7828_R1_00001, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 300мА; Idm: 0,6А; 350мВт" 1.

PJT7838_R1_00001, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 50В; 400мА; Idm: 1,2А; 350мВт
0.0
PJT7838-R1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,95нC КорпусSOT363 МонтажSMD
27.19 ₽
Доступность: 7648 шт.
 

Минимальное количество для товара "PJT7838_R1_00001, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 50В; 400мА; Idm: 1,2А; 350мВт" 1.

PJW3P10A_R2_00001, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -2,6А; Idm: -10,4А; 3,1Вт
0.0
PJW3P10A-R2
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC КорпусSOT223 МонтажSMD
126.13 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PJW3P10A_R2_00001, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -2,6А; Idm: -10,4А; 3,1Вт" 1.

PJW4P06A-AU_R2_000A1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -4А; Idm: -16А; 3,1Вт; SOT223
0.0
PJW4P06A-AU-R2
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC КорпусSOT223 МонтажSMD
113.29 ₽
Доступность: 5634 шт.
 

Минимальное количество для товара "PJW4P06A-AU_R2_000A1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -4А; Idm: -16А; 3,1Вт; SOT223" 1.

PJW4P06A_R2_00001, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -4А; Idm: -16А; 3,1Вт; SOT223
0.0
PJW4P06A-R2
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC КорпусSOT223 МонтажSMD
101.96 ₽
Доступность: 165 шт.
 

Минимальное количество для товара "PJW4P06A_R2_00001, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -4А; Idm: -16А; 3,1Вт; SOT223" 1.

PJW5P06A-AU_R2_000A1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -5А; Idm: -20А; 1Вт; SOT223
0.0
PJW5P06A-AU-R2
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17нC КорпусSOT223 МонтажSMD
104.23 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PJW5P06A-AU_R2_000A1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -5А; Idm: -20А; 1Вт; SOT223" 1.

PJX138K_R1_00001, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 50В; 350мА; Idm: 1,2А; 223мВт
0.0
PJX138K-R1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1нC КорпусSOT563 МонтажSMD
38.52 ₽
Доступность: 3922 шт.
 

Минимальное количество для товара "PJX138K_R1_00001, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 50В; 350мА; Idm: 1,2А; 223мВт" 1.

PJX138L_R1_00002, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; SOT563
0.0
PJX138L-R1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусSOT563 МонтажSMD Обозначение производителяPJX138L_R1_00002
83.84 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PJX138L_R1_00002, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; SOT563" 1.

PJX8603_R1_00001, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 50/-60В; 360/-200мА; 300мВт
0.0
PJX8603-R1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,95/1,1нC КорпусSOT563 МонтажSMD
53.63 ₽
Доступность: 1647 шт.
 

Минимальное количество для товара "PJX8603_R1_00001, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 50/-60В; 360/-200мА; 300мВт" 1.

PMBF170,215, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 190мА; Idm: 1,2А; 0,83Вт
0.0
PMBF170.215
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23, TO236AB МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
39.27 ₽
Доступность: 11 шт.
 

Минимальное количество для товара "PMBF170,215, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 190мА; Idm: 1,2А; 0,83Вт" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления, коммутации и управления электрическими сигналами и мощными нагрузками. Они являются основой современной электроники и применяются в источниках питания, усилителях, драйверах двигателей, преобразователях и цифровых схемах.

Транзисторы отличаются высокой надёжностью, стабильностью параметров и совместимостью с широким спектром схем.

Мы предлагаем качественные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте точное и эффективное управление — выбирайте профессиональные решения на 7-el.ru!

Категории
Полупроводники
Транзисторы
Транзисторы - неклассифицированные
Транзисторы биполярные
Транзисторы однопереходные
Транзисторы униполярные
Модули и транзисторы IGBT
Obsolete
Динисторы
Диоды
Комплекты пусковые
Микросхемы
Мосты выпрямительные
Оснащение для полупроводников
Программаторы и стирающие устройства
+3Еще
Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж