Москва
 +7(993)080-09-37

Товары из категории транзисторы - страница 379

Производитель
Сортировать по:
Новинки ниже
RD3P050SNTL1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 5А; Idm: 20А; 15Вт; DPAK,TO252
0.0
RD3P050SNTL1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
223.56 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RD3P050SNTL1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 5А; Idm: 20А; 15Вт; DPAK,TO252" 1.

RD3P08BBDTL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 80А; Idm: 160А; 119Вт
0.0
RD3P08BBDTL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора37нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
131.42 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RD3P08BBDTL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 80А; Idm: 160А; 119Вт" 2500.

RD3P100SNFRATL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 10А; Idm: 20А; 20Вт; DPAK,TO252
0.0
RD3P100SNFRATL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
86.86 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RD3P100SNFRATL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 10А; Idm: 20А; 20Вт; DPAK,TO252" 2500.

RD3P100SNTL1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 10А; Idm: 20А; 20Вт; DPAK,TO252
0.0
RD3P100SNTL1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
308.91 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RD3P100SNTL1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 10А; Idm: 20А; 20Вт; DPAK,TO252" 1.

RD3P130SPFRATL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -13А; Idm: -52А; 20Вт
0.0
RD3P130SPFRATL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора40нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
78.55 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RD3P130SPFRATL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -13А; Idm: -52А; 20Вт" 2500.

RD3P175SNTL1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 17,5А; Idm: 35А; 20Вт
0.0
RD3P175SNTL1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора24нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
301.36 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RD3P175SNTL1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 17,5А; Idm: 35А; 20Вт" 1.

RD3P200SNTL1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 20А; Idm: 80А; 20Вт; DPAK,TO252
0.0
RD3P200SNTL1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора55нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
104.98 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RD3P200SNTL1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 20А; Idm: 80А; 20Вт; DPAK,TO252" 2500.

RD3S075CNTL1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 190В; 7,5А; Idm: 30А; 52Вт; TO252
0.0
RD3S075CNTL1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC КорпусTO252 МонтажSMD
72.51 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RD3S075CNTL1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 190В; 7,5А; Idm: 30А; 52Вт; TO252" 2500.

RD3S100CNTL1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 190В; 10А; Idm: 40А; 85Вт; TO252
0.0
RD3S100CNTL1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора52нC КорпусTO252 МонтажSMD
92.15 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RD3S100CNTL1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 190В; 10А; Idm: 40А; 85Вт; TO252" 2500.

RD3T075CNTL1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 7,5А; Idm: 30А; 52Вт; SOT416F
0.0
RD3T075CNTL1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15нC КорпусSOT416F МонтажSMD
318.73 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RD3T075CNTL1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 7,5А; Idm: 30А; 52Вт; SOT416F" 1.

RE1C001UNTCL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 100мА; Idm: 0,4А; 150мВт
0.0
RE1C001UNTCL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT416F МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
46.83 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RE1C001UNTCL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 100мА; Idm: 0,4А; 150мВт" 1.

RE1C001ZPTL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,1А; Idm: -400мА; 0,15Вт
0.0
RE1C001ZPTL
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSC89 МонтажSMD
36.25 ₽
Доступность: 1867 шт.
 

Минимальное количество для товара "RE1C001ZPTL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,1А; Idm: -400мА; 0,15Вт" 1.

RE1C002UNTCL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,2А; Idm: 0,4А; 0,15Вт; SC89
0.0
RE1C002UNTCL
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSC89 МонтажSMD
30.97 ₽
Доступность: 2614 шт.
 

Минимальное количество для товара "RE1C002UNTCL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,2А; Idm: 0,4А; 0,15Вт; SC89" 1.

RE1C002ZPTL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -200мА; Idm: -0,8А; 150мВт
0.0
RE1C002ZPTL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,4нC КорпусSOT416F МонтажSMD
52.87 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RE1C002ZPTL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -200мА; Idm: -0,8А; 150мВт" 1.

RE1E002SPTCL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -250мА; Idm: -0,5А; 150мВт
0.0
RE1E002SPTCL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT416F МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
43.05 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RE1E002SPTCL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -250мА; Idm: -0,5А; 150мВт" 1.

RE1J002YNTCL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 200мА; Idm: 0,8А; 150мВт
0.0
RE1J002YNTCL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT416F МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
49.85 ₽
Доступность: 458 шт.
 

Минимальное количество для товара "RE1J002YNTCL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 200мА; Idm: 0,8А; 150мВт" 1.

RE1L002SNTL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 250мА; Idm: 1А; 150мВт; SOT416F
0.0
RE1L002SNTL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT416F МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
46.83 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RE1L002SNTL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 250мА; Idm: 1А; 150мВт; SOT416F" 1.

RF4C050APTR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -10А; Idm: -20А; 2Вт
0.0
RF4C050APTR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора55нC КорпусDFN2020-8S МонтажSMD
123.11 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RF4C050APTR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -10А; Idm: -20А; 2Вт" 1.

RF4C100BCTCR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -10А; Idm: -36А; 2Вт
0.0
RF4C100BCTCR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23,5нC КорпусDFN2020-8S МонтажSMD
167.67 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RF4C100BCTCR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -10А; Idm: -36А; 2Вт" 1.

RF4E075ATTCR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -7,5А; Idm: -30А; 2Вт
0.0
RF4E075ATTCR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC КорпусDFN2020-8S МонтажSMD
121.60 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RF4E075ATTCR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -7,5А; Idm: -30А; 2Вт" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления, коммутации и управления электрическими сигналами и мощными нагрузками. Они являются основой современной электроники и применяются в источниках питания, усилителях, драйверах двигателей, преобразователях и цифровых схемах.

Транзисторы отличаются высокой надёжностью, стабильностью параметров и совместимостью с широким спектром схем.

Мы предлагаем качественные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте точное и эффективное управление — выбирайте профессиональные решения на 7-el.ru!

Категории
Полупроводники
Транзисторы
Транзисторы - неклассифицированные
Транзисторы биполярные
Транзисторы однопереходные
Транзисторы униполярные
Модули и транзисторы IGBT
Obsolete
Динисторы
Диоды
Комплекты пусковые
Микросхемы
Мосты выпрямительные
Оснащение для полупроводников
Программаторы и стирающие устройства
+3Еще
Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж