RD3P08BBDTL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 80А; Idm: 160А; 119Вт

RD3P08BBDTL

Срок поставки 4-6 недель

148.21 
Оптовые цены:
Кол-во
2500+
5000+
Цена
148.21 ₽
140.55 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "RD3P08BBDTL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 80А; Idm: 160А; 119Вт" 2500.

Артикул производителя
RD3P08BBDTL ROHM SEMICONDUCTOR
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
37нC
Код производителя
RD3P08BBDTL
Корпус
DPAK, TO252
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
100В
Полярность
полевой
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Рассеиваемая мощность
119Вт
Сопротивление в открытом состоянии
16мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
80А
Ток стока в импульсном режиме
160А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России