Москва
 +7(993)080-09-37

Товары из категории транзисторы - страница 399

Производитель
Сортировать по:
Новинки ниже
SI1036X-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 610мА; Idm: 2А
0.0
SI1036X-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2нC КорпусSC89, SOT563 МонтажSMD
83.84 ₽
Доступность: 1967 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI1036X-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 610мА; Idm: 2А" 1.

SI1062X-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 530мА; Idm: 2А
0.0
SI1062X-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,7нC КорпусSC89, SOT563 МонтажSMD
47.58 ₽
Доступность: 346 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI1062X-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 530мА; Idm: 2А" 1.

SI1077X-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -1,75А; Idm: -8А
0.0
SI1077X-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора31,1нC КорпусSC89 МонтажSMD
95.92 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1077X-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -1,75А; Idm: -8А" 1.

SI1302DL-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 0,6А; Idm: 1,5А; 0,18Вт; SC70
0.0
SI1302DL-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,4нC КорпусSC70 МонтажSMD
111.03 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1302DL-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 0,6А; Idm: 1,5А; 0,18Вт; SC70" 5.

SI1302DL-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 0,48А; 0,18Вт; SC70
0.0
SI1302DL-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,86нC КорпусSC70 МонтажSMD
81.57 ₽
Доступность: 2970 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI1302DL-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 0,48А; 0,18Вт; SC70" 1.

SI1308EDL-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 1,4А; Idm: 6А; 0,3Вт; SC70; ESD
0.0
SI1308EDL-T1-GE3
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,1нC КорпусSC70
87.61 ₽
Доступность: 2088 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI1308EDL-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 1,4А; Idm: 6А; 0,3Вт; SC70; ESD" 1.

SI1317DL-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,4А; Idm: -6А; 0,3Вт; SC70
0.0
SI1317DL-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,5нC КорпусSC70 МонтажSMD
89.88 ₽
Доступность: 3750 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI1317DL-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,4А; Idm: -6А; 0,3Вт; SC70" 1.

SI1330EDL-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,19А; 0,18Вт; SC70; ESD
0.0
SI1330EDL-T1-E3
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,4нC КорпусSC70
134.44 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1330EDL-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,19А; 0,18Вт; SC70; ESD" 1.

SI1401EDH-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -4А; Idm: -25А; 1,8Вт; SC70; ESD
0.0
SI1401EDH-T1-GE3
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора36нC КорпусSC70
104.98 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1401EDH-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -4А; Idm: -25А; 1,8Вт; SC70; ESD" 1.

SI1403CDL-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,6А; 0,6Вт; SC70-6
0.0
SI1403CDL-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4нC КорпусSC70-6 МонтажSMD
46.07 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1403CDL-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,6А; 0,6Вт; SC70-6" 3.

SI1411DH-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -150В; -0,38А; 0,81Вт; SC70-6
0.0
SI1411DH-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,2нC КорпусSC70-6 МонтажSMD
124.62 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1411DH-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -150В; -0,38А; 0,81Вт; SC70-6" 1.

SI1424EDH-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 4А; 1,8Вт; SC70; ESD
0.0
SI1424EDH-T1-GE3
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11,5нC КорпусSC70
86.86 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1424EDH-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 4А; 1,8Вт; SC70; ESD" 1.

SI1427EDH-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2А; Idm: -8А; 1,8Вт; SC70; ESD
0.0
SI1427EDH-T1-GE3
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC КорпусSC70
72.51 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1427EDH-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2А; Idm: -8А; 1,8Вт; SC70; ESD" 1.

SI1428EDH-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4А; 1,8Вт; SC70; ESD
0.0
SI1428EDH-T1-GE3
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4нC КорпусSC70
46.07 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1428EDH-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4А; 1,8Вт; SC70; ESD" 3.

SI1442DH-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 12В; 4А; Idm: 20А; 2,8Вт
0.0
SI1442DH-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора33нC КорпусSC70-6, SOT363 МонтажSMD
62.69 ₽
Доступность: 2170 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI1442DH-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 12В; 4А; Idm: 20А; 2,8Вт" 1.

SI1443EDH-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4А; Idm: -15А; 1,8Вт; SC70; ESD
0.0
SI1443EDH-T1-GE3
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора28нC КорпусSC70
95.92 ₽
Доступность: 3000 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI1443EDH-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4А; Idm: -15А; 1,8Вт; SC70; ESD" 1.

SI1480DH-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 2,6А; Idm: 7А
0.0
SI1480DH-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5нC КорпусSC70-6, SOT363 МонтажSMD
33.99 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1480DH-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 2,6А; Idm: 7А" 3000.

SI1553CDL-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20/-20В; 700/-500мА
0.0
SI1553CDL-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3/1,8нC КорпусSC70, SOT363 МонтажSMD
97.43 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1553CDL-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20/-20В; 700/-500мА" 1.

SI1902CDL-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 0,9А; 0,27Вт; SC70
0.0
SI1902CDL-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2нC КорпусSC70 МонтажSMD
52.87 ₽
Доступность: 340 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI1902CDL-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 0,9А; 0,27Вт; SC70" 1.

SI1902DL-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,66А; Idm: 1А; 0,14Вт; SC70
0.0
SI1902DL-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,2нC КорпусSC70 МонтажSMD
80.82 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1902DL-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,66А; Idm: 1А; 0,14Вт; SC70" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления, коммутации и управления электрическими сигналами и мощными нагрузками. Они являются основой современной электроники и применяются в источниках питания, усилителях, драйверах двигателей, преобразователях и цифровых схемах.

Транзисторы отличаются высокой надёжностью, стабильностью параметров и совместимостью с широким спектром схем.

Мы предлагаем качественные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте точное и эффективное управление — выбирайте профессиональные решения на 7-el.ru!

Категории
Полупроводники
Транзисторы
Транзисторы - неклассифицированные
Транзисторы биполярные
Транзисторы однопереходные
Транзисторы униполярные
Модули и транзисторы IGBT
Obsolete
Динисторы
Диоды
Комплекты пусковые
Микросхемы
Мосты выпрямительные
Оснащение для полупроводников
Программаторы и стирающие устройства
+3Еще
Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж