Москва
 +7(993)080-09-37

SI1062X-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 530мА; Idm: 2А

Написать отзыв
SI1062X-T1-GE3
47.58 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
10+
50+
100+
500+
1000+
3000+
6000+
Цена
34.74 ₽
24.17 ₽
20.39 ₽
15.11 ₽
13.60 ₽
11.33 ₽
11.33 ₽
Доступность: 346 шт.

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SI1062X-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 530мА; Idm: 2А" 1.

Отложить
Артикул производителя
SI1062X-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
2,7нC
Корпус
SC89, SOT563
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±8В
Напряжение сток-исток
20В
Обозначение производителя
SI1062X-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
0,22Вт
Сопротивление в открытом состоянии
762мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
0,53А
Ток стока в импульсном режиме
2А
Найти похожие

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России