Товары из категории транзисторы - страница 434

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора22,5нC КорпусIPAK, TO251 МонтажTHT
315.71 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHU6N80AE-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 3,2А; Idm: 10А; 62,5Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора40нC КорпусIPAK, TO251 МонтажTHT
234.14 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHU7N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 5А; Idm: 18А; 78Вт; IPAK,TO251" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора371нC КорпусTO247AD МонтажTHT
4 591.39 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHW61N65EF-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 41А; Idm: 199А; 520Вт; TO247AD" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора380нC КорпусTO247AD МонтажTHT
2 997.73 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHW70N60EF-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 45А; Idm: 229А; 520Вт; TO247AD" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
163.14 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJ128LDP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 25,5А; Idm: 70А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора70нC МонтажSMD Напряжение сток-исток45В
124.62 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJ150DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 45В; 110А; Idm: 300А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора37нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
134.44 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJ186DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 79,4А; Idm: 150А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора44нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
192.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJ188DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 92,4А; Idm: 150А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора162нC МонтажSMD Напряжение сток-исток40В
149.55 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJ438ADP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 169А; Idm: 300А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора182нC МонтажSMD Напряжение сток-исток40В
237.92 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJ438DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 80А; Idm: 200А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
148.04 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJ462ADP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 39,3А; Idm: 100А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
152.57 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJ462DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 46,5А; Idm: 100А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора56нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
115.56 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJ470DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 58,8А; Idm: 150А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора54нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
134.44 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJ478DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 60А; Idm: 150А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора69нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
259.06 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJ4819DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -80В; -62А; Idm: -145А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора71нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
212.99 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJ482DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 60А; Idm: 100А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора31нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
189.58 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJ494DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 36,8А; Idm: 100А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,1мкC МонтажSMD Напряжение сток-исток40В
124.62 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJA52ADP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 131А; Idm: 200А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора150нC МонтажSMD Напряжение сток-исток40В
181.27 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJA52DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 60А; Idm: 150А; 48Вт" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора104нC МонтажSMD Напряжение сток-исток40В
139.73 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJA54DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 60А; Idm: 150А" 3000.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления, коммутации и управления электрическими сигналами и мощными нагрузками. Они являются основой современной электроники и применяются в источниках питания, усилителях, драйверах двигателей, преобразователях и цифровых схемах.

Транзисторы отличаются высокой надёжностью, стабильностью параметров и совместимостью с широким спектром схем.

Мы предлагаем качественные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте точное и эффективное управление — выбирайте профессиональные решения на 7-el.ru!

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж